铁电存储器

图书标准信息

• 作者 斯科特 著；朱旻 译；朱劲松；吕笑梅
• 出版社 清华大学出版社
• 出版时间 2004-09
• 版次 1
• ISBN 9787302090144
• 定价 45.00元
• 装帧 平装
• 开本 其他
• 纸张 胶版纸
• 页数 244页
• 字数 252千字

【内容简介】

铁电存储器是近10余年研究出的一种重量轻、存取速度快、寿命长、功耗低的新型存储器，有极好的应用背景。本书是引领域的第一本专著，内容包括铁电基础知识、铁电存储器件的设计、工艺、检测、存储物理有关的问题（击穿、漏电流、开关机制、疲劳）以及铁电存储器件的应用。全书引用550篇文献，概括了2000年之前人类在该领域所做的主要工作，其中包括著者本人的工作。本书内容新颖、实用、既有理论又有应用（侧重前者）。可供集成电路工程师、器件物理学家参考，也可作为应用物理和工程类专业高年级本科生的教学参考书。

【作者简介】

Prof.Scott就学于美国哈佛大学和俄赢亥俄州大学，毕业后在Bell电话实验室量子电子部工作了六年。他曾是美国Colorado大学教授（1971-1992），随后在澳大利亚墨尔本和悉尼工作七年，任新南威尔士大学理学院院长。1999年起他成为英国剑桥大学铁性材料研究的教授。    Scot

【目录】

1.导言

  1.1  铁电体的基本性质:体材料

  1.2  铁电薄膜:退极化场和有限尺寸效应

2.RAM的基本性质

  2.1  系统设计

  2.2  实际器件

  2.3  测试

3.DRAM和NV-RAM的电击穿

  3.1  热击穿机制

  3.2  Von Hippel方程

  3.3  枝晶状击穿

  3.4  击穿电压不对称和漏电流不对称

4.漏电流

  4.1  Schottky发射

  4.2  铁电薄膜Schottky理论的修正

  4.3  电荷注人

  4.4  空间电荷限制电流BCLC

  4.5  负电阻率

5.电容-电压关系C(V)

  5.1  支持薄耗尽层的方面

  5.2  支持完全耗尽薄的论据

  5.3  Zuleeg-Dey模型

  5.4  混合模型

  5.5  基于XPS的能带结构以匹配关系

  5.6  离子空间电荷限制电流

……

6.开关动力学

7.电荷注入和疲劳

8.频率依赖

9.制备过程中的相序

10. CBT族Aurivillius相层状结构

11.淀积和工艺

12.非破坏性出器件

13.基于超导体的铁电器件：相控阵雷达和

14.薄膜黏结

15.电子发射和平面显示器

16.光学器件

17.纳米相器件

18.缺点和不足

习题

参考文献

索引