MOS集成电路工艺与制造技术
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九品
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作者潘桂忠 编
出版社上海科学技术出版社
出版时间2012-07
版次1
装帧平装
货号h03
上书时间2023-12-01
商品详情
- 品相描述:九品
图书标准信息
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作者
潘桂忠 编
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出版社
上海科学技术出版社
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出版时间
2012-07
-
版次
1
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ISBN
9787547809808
-
定价
85.00元
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装帧
平装
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开本
16开
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纸张
胶版纸
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页数
252页
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字数
670千字
- 【内容简介】
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《MOS集成电路工艺与制造技术》全面介绍了MOS集成电路工艺和制造技术。内容包括:硅晶圆衬底,氧化,扩散,离子注入,外延,化学汽相淀积,光刻,付蚀与刻蚀等,PNOS,NMOS,CMOS,LVHV兼容CMOS等制造工艺。
- 【目录】
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第1章 硅衬底与清洗
1.1 硅晶圆
1.2 P型硅衬底
1.3 N型硅衬底
1.4 Pepi/P或Pepi/P+型硅衬底
1.5 Nepi/P或Nepi/N+型硅衬底
1.6 硅片激光编号
1.7 硅片清洗分类及其步骤
1.8 硅片各种清洗液及其清洗
第2章 热氧化
第3章 热扩散
第4章 离子注入及其退伙
第5章 硅外延
第6章 化学气相淀积
第7章 光刻
第8章 腐蚀和刻蚀
第9章 金属化
第10章 表面钝化
第11章 CMOS工艺集成
第13章 Bicmos工艺集成
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