应用物理学丛书：相变存储器

图书标准信息

• 作者 宋志棠 著
• 出版社 科学出版社
• 出版时间 2010-02
• 版次 1
• ISBN 9787030267405
• 定价 49.00元
• 装帧 精装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 253页
• 字数 319千字
• 正文语种 简体中文

【内容简介】

　　《相变存储器》依托国家“863”、“973”等项目，围绕PCRAM研发所涉及的基础科学与关键技术问题，对PCRAM的基本原理、PCRAM所用的材料体系、新型相变材料的理论与方法、PCRAM的关键单项工艺与集成工艺、器件单元结构改进、PCRAM所涉及的器件结构与芯片模拟、测试、芯片设计与制造等方面进行了较为详细的阶段性工作总结。
　　《相变存储器》适合材料、微电子等相关专业的研究生、科技人员和教学人员使用。

【目录】

前言
第1章绪论
1.1半导体存储器简介
1.2相变存储器概述
1.3相变存储器研究现状
1.4相变存储器的发展趋势
参考文献

第2章Ge2Sb2Te5相变材料及其改性
2.1Ge2Sb2Te5薄膜的制备与性能表征
2.2Ge2Sb2Te5薄膜的氮掺杂
2.3Ge2sb2Te5薄膜的氧离子掺杂
2.4纳米复合相变材料
参考文献

第3章新型相变材料：
3.1新型相变材料筛选理论与方法
3.2SiSbTe相变材料
3.3环境友好无碲SiSb相变材料
参考文献

第4章相变存储单元制备及关键工艺
4.1纳米加热电极
4.2相变材料的干法刻蚀工艺
4.3化学机械抛光(CMP)
4.4电子束曝光工艺
参考文献

第5章相变存储器模拟
5.1相变存储单元读、写操作的器件模拟
5.2Hspice电学模拟
参考文献

第6章新结构相变存储单元
6.1基于夹在多晶锗层间的GeSbTePCRAM器件
6.2相变存储器用三氧化钨下加热层
6.3相变存储单元底电极结构的改进——针状电极
6.4横向纳米线结构
参考文献

第7章相变存储器测试
7.1材料电性能表征测试
7.2器件电性能测试及操作特性测试
7.3工艺一致性测试及WAT
7.4产品测试

第8章相变存储器设计与制造
8.1相变存储器的整体结构
8.2相变存储单元设计
8.3驱动模块设计
8.4基准电路设计
8.5控制逻辑设计
8.6相变存储器芯片制造
参考文献