宽禁带功率半导体器件可靠性
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天津西青
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作者孙伟锋 等 著
出版社东南大学出版社
ISBN9787576601534
出版时间2024-09
装帧平装
开本16开
定价58元
货号1203430044
上书时间2024-11-18
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商品详情
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目录
第1章 绪论
1.1 宽禁带半导体材料特性
1.1.1 SiC材料特性
1.1.2 GaN材料特性
1.2 SiC功率器件发展
1.2.1 SiC功率二极管发展
1.2.2 SiC功率MOSFET器件发展
1.2.3 SiC功率IGBT器件发展
1.3 GaN功率器件发展
1.3.1 GaN功率二极管发展
1.3.2 GaN纵向FET器件发展
1.3.3 GaN功率HEMT器件发展
1.4 SiC功率MOSFET器件应用及可靠性挑战
1.5 GaN功率HEMT器件应用及可靠性挑战
参考文献
第2章 宽禁带器件可靠性探测表征方法
2.1 步进红外热成像法
……
内容摘要
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关速度快及热传导性好等优点，相比传统的Si基功率器件，可简化功率电子系统拓扑结构，减小系统损耗和体积，因而对功率电子系统的发展至关重要。然而，由于宽禁带器件的外延材料和制备工艺仍不完善，器件界面缺陷密度大等问题，使得宽禁带功率器件在高温、高压、大电流及快速开关等极限条件下长期应用时，可靠性问题频发，严重制约了宽禁带功率半导体器件的推广应用。本书详细介绍了碳化硅、氮化镓功率器件在各类雪崩、短路、高温偏置等恶劣电热应力下的损伤机理，并讲述了相关表征方法及寿命模型，同时讨论了高可靠宽禁带器件新结构，对宽禁带功率器件相关技术人员及学者具有较强的指导意义。
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