光电子器件（第3版）

图书标准信息

• 作者 汪贵华 编
• 出版社 国防工业出版社
• 出版时间 2020-10
• 版次 1
• ISBN 9787118121735
• 定价 58.00元
• 装帧 其他
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 360页
• 字数 520千字

【内容简介】

本书着重讲授光电子探测与成像器件的基础理论和基本知识。主要内容有：半导体光电探测器、光电倍增管、微光像增强器、真空摄像管、CCD和CMOS成像器件、致冷和非致冷红外成像器件、紫外成像器件、X射线成像器件。本书适合电子科学与技术、光电子技术、物理电子学等专业本科生作为教材使用，也可供相近专业的研究生阅读，同时可供从事光电子器件研究和从事光电子技术的技术人员参考。

【作者简介】

编著者长期从事光电子器件的相关研究：从事的的‘高增透大面积的类金刚石碳膜研制‘项目通过鉴定，获得了江苏省科技委员会科技进步奖。参加了与日本大阪大学合作的热释电的PbTiO3膜的项目研究；研究GaAs光电阴极的MOCVD材料生长研究；砷化镓NEA光电阴极的激活工艺和评估技术研究‘；THz辐射探测器件的机理研究等多个项目。发表论文十多篇。

【目录】

●绪论

 章光电导探测器

1.1光电子器件的基本特性

1.1.1光诰响应率和响应率

1.1.2小可探测辐射功率和探测率

1.1.3光吸收系数

1.1.4光生栽流子的复合

1.2光电导探测器原理

1.2.1光电导效应

1.2.2光电导电流

1.2.3光电导增益

1.2.4光电导灵敏度

1.2.5光电导惰性和响应时间

1.2.6光电导的光谱响应特性

1.2.7电压响应率

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