纳米集成电路制造工艺

图书标准信息

• 作者 张汝京 著
• 出版社 清华大学出版社
• 出版时间 2014-07
• 版次 1
• ISBN 9787302360278
• 定价 69.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 433页
• 字数 718千字
• 正文语种 简体中文
• 原版书名 Nanoscale Integrated Circuits--The Manufacturing Process

【内容简介】

　　《纳米集成电路制造工艺》共分19章，涵盖先进集成电路工艺的发展史，集成电路制造流程、介电薄膜、金属化、光刻、刻蚀、表面清洁与湿法刻蚀、掺杂、化学机械平坦化，器件参数与工艺相关性，DFM（DesignforManufacturing），集成电路检测与分析、集成电路的可靠性，生产控制，良率提升，芯片测试与芯片封装等项目和课题。
　　国内从事半导体产业的科研工作者、技术工作者和研究生可使用《纳米集成电路制造工艺》作为教科书或参考资料。

【作者简介】

　　张汝京，昇瑞光电科技（上海）有限公司董事长兼执行长，西安神光安瑞光电有限公司执行长兼总经理，是国内屈指可数的LED全产业链垂直整合的先导者和领军人物。毕业于台湾大学机械工程学系，于纽约州立大学取得工程学硕士学位并于美国南方卫理公会大学取得电子工程博士学位。曾在美国德州仪器公司工作20年，为该公司在美国、日本等地建立和管理多座半导体工厂。后任台湾世大集成电路公司（WSMC）总裁。2000年，回国创办中芯国际集成电路制造有限公司，运用其超过30年的半导体芯片研发和制造经验将先进的半导体技术带回了祖国，中国人从此有了中国“芯”。2005年，荣获中华人民共和国国务院颁发的国际科学技术合作奖；2006年荣获中国半导体业领导体业领军人物称号；2011，荣获上海市首批千人计划专家殊荣。

【目录】

第1章半导体器件
1.1N型半导体和P型半导体
1.2二极管
1.3金属氧化物半导体场效晶体管
1.4电容和电感

第2章集成电路制造工艺发展趋势
2.1引言
2.2横向微缩所推动的工艺发展趋势
2.2.1光刻技术
2.2.2沟槽填充技术
2.2.3互连层RC延迟的降低
2.3纵向微缩所推动的工艺发展趋势
2.3.1等效栅氧厚度的微缩
2.3.2源漏工程
2.3.3自对准硅化物工艺
2.4弥补几何微缩的等效扩充
2.4.1高k金属栅
2.4.2载流子迁移率提高技术
2.5展望
参考文献

第3章CMOS逻辑电路及存储器制造流程
3.1逻辑技术及工艺流程
3.1.1引言
3.1.2CMOS工艺流程
3.2存储器技术和制造工艺
3.2.1概述
3.2.2DRAM和eDRAM
3.2.3闪存
3.2.4FeRAM
3.2.5PCRAM
3.2.6RRAM
3.2.7MRAM
参考文献

第4章电介质薄膜沉积工艺
4.1前言
4.2氧化膜/氮化膜工艺
4.3栅极电介质薄膜
4.3.1栅极氧化介电层-氮氧化硅（SiOxNy）
4.3.2高k栅极介质
4.4半导体绝缘介质的填充
4.4.1高密度等离子体化学气相沉积工艺
4.4.2O3-TEOS的亚常压化学气相沉积工艺
4.5超低介电常数薄膜
4.5.1前言
4.5.2RCdelay对器件运算速度的影响
4.5.3k为2.7-3.0的低介电常数材料
4.5.4k为2.5的超低介电常数材料
4.5.5Etchingstoplayerandcopperbarrier介电常数材料
参考文献

第5章应力工程
5.1简介
5.2源漏区嵌入技术
5.2.1嵌入式锗硅工艺
5.2.2嵌入式碳硅工艺
5.3应力记忆技术
5.3.1SMT技术的分类
5.3.2SMT的工艺流程
5.3.3SMT氮化硅工艺介绍及其发展
5.4双极应力刻蚀阻挡层
5.5应力效应提升技术
参考文献

第6章金属薄膜沉积工艺及金属化
6.1金属栅
6.1.1金属栅极的使用
6.1.2金属栅材料性能的要求
6.2自对准硅化物
6.2.1预清洁处理
6.2.2镍铂合金沉积
6.2.3盖帽层TiN沉积
6.3接触窗薄膜工艺
6.3.1前言
6.3.2主要的问题
6.3.3前处理工艺
6.3.4PVDTi
6.3.5TiN制程
6.3.6Wplug制程
6.4金属互连
6.4.1前言
6.4.2预清洁工艺
6.4.3阻挡层
6.4.4种子层
6.4.5铜化学电镀
6.4.6洗边和退火
6.5本章总结
参考文献

第7章光刻技术
第8章干法刻蚀
第9章集成电路制造中的污染和清洗技术
第10章超浅结技术
第11章化学机械平坦化
第12章器件参数和工艺相关性
第13章可制造性设计
第14章半导体器件失效分析
第15章集成电路可靠性介绍
第16章集成电路测量
第17章良率改善
第18章测试工程
第19章芯片封装