氮化镓射频功率放大器的设计实践与研究
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作者陈瑾,程知群
出版社西安电子科技大学出版社
ISBN9787560665764
出版时间2022-11
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数320页
字数338千字
定价59元
货号SC:9787560665764
上书时间2024-10-04
商品详情
- 品相描述：全新
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- 商品描述
-
内容简介:
功率放大器作为通信系统的核心部分，正在引领研究潮流，成为科学研究和产业界的热点，其中高质量和高性能射频功率放大器的设计与制作，更是成为学者们争相探索和研究的领域。
本书着重从氮化镓器件的设计与建模入手，从用于射频功率放大器的氮化镓器件的设计与制作的角度，给出了一系列新型高性能氮化镓器件的设计与建模方法，以及用于实现宽频带、高效率和高线性度射频功率放大器的设计与制作实例。这些设计与制作实例都经过测试验证，可为电子信息工程、电子科学与技术、通信工程、集成电路设计与集成系统等专业的本科生和研究生学习“通信电路与系统实验”“射频实训”等实践类课程提供具体的技术指导，也可为从事射频功率放大器设计和研究的工程师提供参考，还可为射频功率放大器电路的研究和设计者们提供重要的技术借鉴。
目录:
第1章 氮化镓器件的基本原理
1.1氮化镓( Ga1)材料的特性及其优势
1.2 GaN HEMT器件的工作原理及特性
1.2.1 AlGal/ GaN HEMT器件的基本工作原理
1.2.2 AlGal/ GaN HEMT器件中的2 DE性质
1.2.3I-V特性
1.2.4频率特性
1.2.5功率特性
1.2.6自热效应
1.3 AIGa/ GaN HEMT器件的优势及研究进展
本章 小结
第2章 氮化镓器件的设计与建模
2.1亚微米线性 A2 G1_2N/ AIN/ Al, G1_,N/ GaN HEMT器件的
设计与建模
2.1.1新型 ! GaN HEMT器件的设计与仿真
2.1.2直流和微波特性测量与分析
2.1.3 AlGal/ GaN HEMT器件建模
2.2高线性度 A2 G1-N/ AI/ A, G1_,N/ GaN HEMT器件的
设计与建模
2.2.1栅长1 uī的 IA.3 G.7N/ Al. sGa.5N/ GaN HEMT器件
2.2.2 A, G1-N/ AI/ A, G81-,N/ GaN HEMT器件仿真研究
……
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