半导体照明技术（第二版）

图书标准信息

• 作者 方志烈 著
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2018-04
• 版次 2
• ISBN 9787121340369
• 定价 79.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 396页
• 字数 634千字

【内容简介】

本书在介绍半导体照明器件———发光二极管的材料、机理及其制造技术的同时，详细讲解了器件的光 电参数测试方法，器件的可靠性分析、驱动和控制方法，以及各种半导体照明的应用技术。本书内容系统、 全面，通过理论联系实际，重点突出了 “半导体照明”主题，反映了国内外*新的应用技术。

【作者简介】

方志烈，1938年2月出生于江苏江阴。1961年毕业于复旦大学并留校任教，现任该校教授。中国发光学会理事。上海市通信学会光通信专业委员会委员。

【目录】

第1章光视觉颜色
1.1光
1.1.1光的本质
1.1.2光的产生和传播
1.1.3人眼的光谱灵敏度
1.1.4光度学及其测量
1.2视觉
1.2.1作为光学系统的人眼
1.2.2视觉的特征与功能
1.3颜色
1.3.1颜色的性质
1.3.2国际照明委员会色度学系统
1.3.3色度学及其测量
第2章光源
2.1自然光源
2.1.1太阳
2.1.2月亮和行星
2.2人工光源
2.2.1人工光源的发明与发展
2.2.2白炽灯
2.2.3卤钨灯
2.2.4荧光灯
2.2.5低压钠灯
2.2.6高压放电灯
2.2.7无电极放电灯
2.2.8发光二极管
2.2.9照明的经济核算
第3章半导体发光材料晶体导论
3.1晶体结构
3.1.1空间点阵
3.1.2晶面与晶向
3.1.3闪锌矿结构、金刚石结构和纤锌矿结构
3.1.4缺陷及其对发光的影响
3.2能带结构
3.3半导体晶体材料的电学性质
3.3.1费米能级和载流子
3.3.2载流子的漂移和迁移率
3.3.3电阻率和载流子浓度
3.3.4寿命
3.4半导体发光材料的条件
3.4.1带隙宽度合适
3.4.2可获得电导率高的p型和n型晶体
3.4.3可获得完整性好的优质晶体
3.4.4发光复合概率大
第4章半导体的激发与发光
4.1pn结及其特性
4.1.1理想的pn结
4.1.2实际的pn结
4.2注入载流子的复合
4.2.1复合的种类
4.2.2辐射型复合
4.2.3非辐射型复合
4.3辐射与非辐射复合之间的竞争
4.4异质结构和量子阱
4.4.1异质结构
4.4.2量子阱
第5章半导体发光材料体系
5.1砷化镓
5.2磷化镓
5.3磷砷化镓
5.3.1GaAs0.60P0.40/GaAs
5.3.2晶体中的杂质和缺陷对发光效率的影响
5.4镓铝砷
5.5铝镓铟磷
5.6铟镓氮
第6章半导体照明光源的发展和特征参量
6.1发光二极管的发展
6.2发光二极管材料生长方法
6.3高亮度发光二极管芯片结构
6.3.1单量子阱（SQW）结构
6.3.2多量子阱（MQW）结构
6.3.3分布布拉格反射（DBR）结构
6.3.4透明衬底技术（Transparent Substrate，TS）
6.3.5镜面衬底（Mirror Substrate，MS）
6.3.6透明胶质黏结型
6.3.7表面纹理结构
6.4照明用LED的特征参数和要求
6.4.1光通量
6.4.2发光效率
6.4.3显色指数
6.4.4色温
6.4.5寿命
6.4.6稳定性
6.4.7热阻
6.4.8抗静电性能
第7章磷砷化镓、磷化镓、镓铝砷材料生长
7.1磷砷化镓氢化物气相外延生长（HVPE）
7.2氢化物外延体系的热力学分析
7.3液相外延原理
7.4磷化镓的液相外延
7.4.1磷化镓绿色发光材料外延生长
7.4.2磷化镓红色发光材料外延生长
7.5镓铝砷的液相外延
第8章铝镓铟磷发光二极管
8.1AlGaInP金属有机物化学气相沉积通论
8.1.1源材料
8.1.2生长条件
8.1.3器件生长
8.2外延材料的规模生产问题
8.2.1反应器问题:输送和排空处理
8.2.2均匀性的重要性
8.2.3源的质量问题
8.2.4颜色控制问题
8.2.5生产损耗问题
8.3电流扩展
8.3.1欧姆接触的改进
8.3.2p型衬底上生长
8.3.3电流扩展窗层
8.3.4氧化铟锡（ITO）
8.4电流阻挡结构
8.5光的取出
8.5.1上窗设计
8.5.2衬底吸收
8.5.3分布布拉格反射LED
8.5.4GaP晶片黏结透明衬底LED
8.5.5胶质黏着（蓝宝石晶片黏结）
8.5.6纹理表面结构
8.6芯片制造技术
8.7器件特性
第9章铟镓氮发光二极管
9.1GaN生长
9.1.1未掺杂GaN
9.1.2n型GaN
9.1.3p型GaN
9.1.4GaN pn结LED
9.2InGaN生长
9.2.1未掺InGaN
9.2.2掺杂InGaN
9.3InGaN LED
9.3.1InGaN/GaN双异质结LED
9.3.2InGaN/AlGaN双异质结LED
9.3.3InGaN单量子阱（SQW）结构LED
9.3.4高亮度绿色和蓝色LED
9.3.5InGaN多量子阱（MQW）结构LED
9.3.6紫外LED
9.3.7AlGaN深紫外LED
9.3.8硅衬底GaN蓝光LED
9.4提高质量和降低成本的几个重要技术问题
9.4.1衬底
9.4.2缓冲层
9.4.3激光剥离（LLO）
9.4.4氧化铟锡（ITO）
9.4.5表面纹理结构
9.4.6图形衬底技术（PSS）
9.4.7微矩阵发光二极管（MALED）
9.4.8光子晶体（Photonic Crystal，PC）LED
9.4.9金属垂直光子LED（MVP LED）
第10章LED芯片制造技术
10.1光刻技术
10.2氮化硅生长
10.3扩散
10.4欧姆接触电极
10.5ITO透明电极
10.6表面粗化
10.7光子晶体
10.8激光剥离（Laser Liftoff，LLO）
10.9倒装芯片技术
10.10垂直结构芯片技术
10.11芯片的切割
10.12LED芯片结构的发展
第11章白光发光二极管
11.1新世纪光源的研制目标
11.2人造白光的最佳化
11.2.1发光效率和显色性的折中
11.2.2二基色体系
11.2.3多基色体系
11.3荧光粉转换白光LED
11.3.1二基色荧光粉转换白光LED
11.3.2多基色荧光粉转换白光LED
11.3.3紫外LED激发多基色荧光粉
11.4多芯片白光LED
11.4.1二基色多芯片白光LED
11.4.2多基色多芯片白光LED
第12章LED封装技术
12.1LED器件的设计
12.1.1设计原则
12.1.2电学设计
12.1.3热学设计
12.1.4光学设计
12.1.5视觉因素
12.2LED封装技术
12.2.1小功率LED封装
12.2.2SMD LED的封装
12.2.3芯片级封装（CSP）
12.2.4大电流LED的封装
12.2.5功率LED的封装
12.2.6功率LED组件
12.2.7铟镓氮类LED的防静电措施
第13章发光二极管的测试
13.1发光器件的效率
13.1.1发光效率
13.1.2功率效率
13.1.3量子效率
13.2电学参数
13.2.1伏安特性
13.2.2总电容
13.3光电特性参数——光电响应特性
13.4光度学参数
13.4.1法向光强I0的测定
13.4.2发光强度角分布（半强度角和偏差角）
13.4.3总光通量的测量
13.4.4量值传递
13.5色度学参数
13.5.1光谱分布曲线
13.5.2光电积分法测量色度坐标
13.6热学参数（结温、热阻）
13.7静电耐受性
第14章发光二极管的可靠性
14.1LED可靠性概念
14.1.1可靠性的含义
14.1.2可靠度的定义
14.1.3LED可靠性的相关概念
14.2LED的失效分析
14.2.1芯片的退化
14.2.2环氧系塑料的寿命分析
14.2.3管芯的寿命分析
14.2.4荧光粉的退化
14.3可靠性试验
14.3.1小功率LED环境试验
14.3.2功率LED环境试验
14.4寿命试验
14.4.1磷化镓发光器件的寿命试验
14.4.2功率LED（白光）长期工作寿命试验
14.4.3加速寿命试验
14.5可靠性筛选
14.5.1功率老化
14.5.2高温老化
14.5.3湿度试验
14.5.4高低温循环
14.5.5其他项目的选用
14.6例行试验和鉴定验收试验
14.6.1例行试验
14.6.2鉴定验收试验
第15章有机发光二极管
15.1有机发光二极管材料
15.1.1小分子有机物
15.1.2高分子聚合物
15.1.3镧系金属有机化合物
15.2有机发光二极管的结构和原理
15.3OLED实现白光的途径
15.3.1波长转换
15.3.2颜色混合
15.4有机发光二极管的驱动
15.5有机发光二极管研发现状
第16章半导体照明驱动和控制
16.1LED驱动技术
16.1.1LED的电学性能特点
16.1.2电源驱动方案
16.1.3驱动电路基本方案
16.1.4LED驱动器的特性
16.1.5LED与驱动器的匹配
16.2LED驱动器
16.2.1电容降压式LED驱动器
16.2.2电感式LED驱动器
16.2.3电荷泵式LED驱动器
16.2.4LED恒流驱动器
16.3LED集成驱动电路
16.3.1电荷泵驱动LED的典型电路
16.3.2开关式DC/DC变换器驱动LED的典型电路
16.3.3限流开关TPS2014/TPS2015
16.3.4六路串联白光LED驱动电路MAX8790
16.3.5集成肖特基二极管的恒流白光LED驱动器LT3591
16.3.6低功耗高亮度LED驱动器LM3404
16.3.7具有诊断功能的16通道LED驱动器AS1110
16.3.8高压线性恒流LED驱动电路
16.4控制技术
16.4.1调光
16.4.2调色
16.4.3调色温
16.4.4智能照明
第17章半导体照明应用
17.1半导体照明应用产品开发原则
17.1.1要从LED的优点出发开发应用产品
17.1.2应用产品市场启动的判据——照明成本
17.1.3应用产品的技术关键是散热
17.1.4遵循功率由低到高、技术由易到难的原则
17.1.5造型设计要创新
17.1.6照明灯具通则
17.2LED显示屏
17.2.1总体发展规模
17.2.2产品技术完善
17.2.3新品继续拓展
17.3交通信号灯
17.3.1道路交通信号灯
17.3.2铁路信号灯
17.3.3机场信号灯
17.3.4航标灯
17.3.5路障灯
17.3.6航空障碍灯
17.4景观照明
17.4.1城市景观照明的功能作用
17.4.2光源选择