半导体物理与器件
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作者裴素华 等 编
出版社机械工业出版社
ISBN9787111247319
出版时间2022-03
装帧平装
开本16开
定价49.8元
货号1202656407
上书时间2024-12-21
商品详情
- 品相描述：全新
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作者简介
裴素华黄萍刘爱华朱俊孔修显武编著
目录
前言
第1章半导体材料的基本性质
1.1半导体与基本晶体结构
1.1.1半导体
1.1.2半导体材料的基本特性
1.1.3半导体的晶体结构
1.1.4晶面及其表示方法
1.1.5半导体材料简介
1.2半导体的能带
1.2.1孤立原子中电子能级
1.2.2晶体中电子的能带
1.2.3硅晶体能带的形成过程
1.2.4能带图的意义及简化表示
1.3本征半导体与本征载流子浓度
1.3.1本征半导体的导电机构
1.3.2热平衡状态与热平衡载流子浓度
1.3.3本征载流子浓度
1.3.4费米能级与载流子浓度的关系
1.4杂质半导体与杂质半导体的载流子浓度
1.4.1N型半导体与P型半导体
1.4.2施主与受主杂质能级
……
第2章PN结机理与特性
第3章双极型晶体管
第4章MOS场效应晶体管
第5章半导体器件制备技术
第6章Ca在Si02/Si结构下的开管掺杂
附录
参考文献
内容摘要
本书较系统全面地阐述了半导体物理的基础知识和典型半导体器件的工作原理、工作特性。具体内容包括：半导体材料的基本性质、PN结机理与特性、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、半导体器件制备技术、Ca在Si02／Si结构下的开管掺杂共6章。每章后附有内容小结、思考题和习题。书后有附录，附录A是本书的主要符号表，附录B是常用物理常数表，附录c是锗、硅、砷化镓主要物理性质表，附录D是求扩散结杂质浓度梯度的图表和方法。对本书各章内容可以单独选择或任意组合使用。 本书可作为半导体、微电子技术、应用物理等电子信息类专业本科生的必修教材，也可作为电子学相关专业本科生、研究生选修课教材，以及供信息技术领域人员参考。
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