CMOS芯片结构与制造技术
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作者潘桂忠
出版社电子工业出版社
ISBN9787121425004
出版时间2021-12
装帧平装
开本16开
定价158元
货号1202566539
上书时间2024-12-13
商品详情
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作者简介
潘桂忠，男，工作期间主要从事集成电路设计，工艺技术，芯片结构，电路研制以及生产等领域工作，退休后受聘于各单位(北电或新茂半导体公司，清华大学微电子所，华大ＩＣ设计中心在沪分公司，复华公司以及上海五官科医院等)任高级技术顾问。曾在国内不同刊物上发表论文50余篇，曾编著《MOS集成电路结构与制造技术》《MOS集成电路工艺与制造技术》等书。
目录
第1章LSI/VLSI制造基本技术11.1基础工艺技术11.1.1基础工艺技术11.1.2工艺制程31.1.3工艺一体化41.2器件隔离技术41.2.1LOCOS隔离41.2.2浅槽隔离61.2.3PN结隔离71.3衬底与阱技术81.3.1CMOS工艺与阱的形成81.3.2可靠性与阱技术101.3.3外延与SOI衬底101.4栅与源?p漏结的形成技术111.4.1栅工艺111.4.2源?p漏结构的形成121.4.3漏极技术131.5接触的形成与多层布线技术131.5.1接触的形成141.5.2金属化系统141.5.3多层布线工艺与平坦化技术141.6BiCMOS技术151.7LV/HV兼容技术161.7.1LV/HV兼容CMOS161.7.2LV/HV兼容BiCMOS171.7.3LV/HV兼容BCD181.8MOS集成电路工艺设计191.8.1硅衬底参数设计201.8.2栅介质材料201.8.3栅电极材料211.8.4阈值电压设计211.8.5工艺参数设计221.9MOS集成电路设计与制造技术关系241.9.1芯片结构及其参数251.9.2芯片结构技术251.9.3芯片制造26第2章单阱CMOS芯片与制程剖面结构282.1P-WellCMOS（A）282.1.1芯片平面/剖面结构292.1.2工艺技术322.1.3工艺制程322.2P-WellCMOS（B）342.2.1芯片剖面结构342.2.2工艺技术352.2.3工艺制程382.3P-WellCMOS（C）392.3.1芯片剖面结构402.3.2工艺技术402.3.3工艺制程432.4HVP-WellCMOS452.4.1芯片剖面结构462.4.2工艺技术462.4.3工艺制程492.5N-WellCMOS（A）512.5.1芯片平面/剖面结构522.5.2工艺技术552.5.3工艺制程552.6N-WellCMOS（B）572.6.1芯片剖面结构572.6.2工艺技术582.6.3工艺制程612.7N-WellCMOS（C）622.7.1芯片剖面结构632.7.2工艺技术632.7.3工艺制程662.8HVN-WellCMOS672.8.1芯片剖面结构682.8.2工艺技术692.8.3工艺制程71第3章双阱CMOS芯片与制程剖面结构733.1亚微米CMOS（A）743.1.1芯片平面/剖面结构753.1.2工艺技术793.1.3工艺制程803.2亚微米CMOS（B）813-2-1芯片剖面结构823.2.2工艺技术823.2.3工艺制程853.3亚微米CMOS（C）873.3.1芯片剖面结构873.3.2工艺技术883.3.3工艺制程913.4深亚微米CMOS（A）933.4.1芯片剖面结构943.4.2工艺技术943.4.3工艺制程973.5深亚微米CMOS（B）993.5.1芯片剖面结构993.5.2工艺技术1003.5.3工艺制程1033.6深亚微米CMOS（C）1053.6.1芯片剖面结构1063.6.2工艺技术1063.6.3工艺制程1113.7纳米CMOS（A）1123.7.1芯片剖面结构1133.7.2工艺技术1143.7.3工艺制程1153.8纳米CMOS（B）1183.8.1芯片剖面结构1193.8.2工艺技术1203.8.3工艺制程1223.9纳米CMOS（C）1243.9.1芯片剖面结构1253.9.2工艺技术1253.9.3工艺制程1293.10纳米CMOS（D）1303.10.1芯片剖面结构1313.10.2工艺技术1323.10.3工艺制程137第4章LV/HV兼容CMOS芯片与制程剖面结构1394.1LV/HVP-WellCMOS（A）1404.1.1芯片平面/剖面结构1404.1.2工艺技术1414.1.3工艺制程1454.2LV/HVP-WellCMOS（B）1474.2.1芯片剖面结构1484.2.2工艺技术1484.2.3工艺制程1514.3LV/HVP-WellCMOS（C）1524.3.1芯片剖面结构1534.3.2工艺技术1544.3.3工艺制程1574.4LV/HVN-WellCMOS（A）1584.4.1芯片剖面结构1594.4.2工艺技术1604.4.3工艺制程1634.5LV/HVN-WellCMOS（B）1644.5.1芯片剖面结构1654.5.2工艺技术1664.5.3工艺制程1684.6LV/HVN-WellCMOS（C）1704.6.1芯片剖面结构1714.6.2工艺技术1714.6.3工艺制程1744.7LV/HVTwin-WellCMOS（A）1764.7.1芯片剖面结构1774.7.2工艺技术1774.7.3工艺制程1814.8LV/HVTwin-WellCMOS（B）1824.8.1芯片剖面结构1834.8.2工艺技术1844.8.3工艺制程187第5章BiCMOS芯片与制程剖面结构1895.1P-WellBiCMOS[C]1905.1.1芯片平面/剖面结构1915.1.2工艺技术1955.1.3工艺制程1965.2P-WellBiCMOS[B]-（A）1975.2.1芯片剖面结构1985.2.2工艺技术1995.2.3工艺制程2025.3P-WellBiCMOS[B]-（B）2035.3.1芯片剖面结构2045.3.2工艺技术2055.3.3工艺制程2085.4N-WellBiCMOS[C]2105.4.1芯片剖面结构2105.4.2工艺技术2115.4.3工艺制程2135.5N-WellBiCMOS[B]-（A）2155.5.1芯片剖面结构2165.5.2工艺技术2165.5.3工艺制程2205.6N-WellBiCMOS[B]-（B）2225.6.1芯片剖面结构2225.6.2工艺技术2235.6.3工艺制程2275.7Twin-WellBiCMOS[B]-（A）2295.7.1芯片剖面结构2305.7.2工艺技术2305.7.3工艺制程2345.8Twin-WellBiCMOS[B]-（B）2365.8.1芯片剖面结构2375.8.2工艺技术2375.8.3工艺制程241第6章LV/HV兼容BiCMOS芯片与制程剖面结构2446.1LV/HVP-WellBiCMOS[C]2446.1.1芯片平面/剖面结构2456.1.2工艺技术2456.1.3工艺制程2506.2LV/HVP-WellBiCMOS[B]-（A）2516.2.1芯片剖面结构2526.2.2工艺技术2526.2.3工艺制程2566.3LV/HVP-WellBiCMOS[B]-（B）2586.3.1芯片剖面结构2596.3.2工艺技术2596.3.3工艺制程2636.4LV/HVN-WellBiCMOS[C]2646.4.1芯片剖面结构2656.4.2工艺技术2666.4.3工艺制程2696.5LV/HVN-WellBiCMOS[B]-（A）2706.5.1芯片剖面结构2716.5.2工艺技术2726.5.3工艺制程2756.6LV/HVN-WellBiCMOS[B]-（B）2776.6.1芯片剖面结构2786.6.2工艺技术2786.6.3工艺制程2826.7LV/HVTwin-WellBiCMOS[C]2836.7.1芯片剖面结构2846.7.2工艺技术2856.7.3工艺制程2886.8LV/HVTwin-WellBiCMOS[B]2906.8.1芯片剖面结构2916.8.2工艺技术2916.8.3工艺制程294第7章LV/HV兼容BCD芯片与制程剖面结构2967.1LV/HVP-WellBCD[C]2977.1.1芯片平面/剖面结构2987.1.2工艺技术2987.1.3工艺制程3027.2LV/HVP-WellBCD[B]-（A）3047.2.1芯片剖面结构3057.2.2工艺技术3057.2.3工艺制程3097.3LV/HVP-WellBCD[B]-（B）3107.3.1芯片剖面结构3117.3.2工艺技术3117.3.3工艺制程3157.4LV/HVN-WellBCD[C]3177.4.1芯片剖面结构3187.4.2工艺技术3187.4.3工艺制程3217.5LV/HVN-WellBCD[B]-（A）3237.5.1芯片剖面结构3237.5.2工艺技术3247.5.3工艺制程3277.6LV/HVN-WellBCD[B]-（B）3297.6.1芯片剖面结构3307.6.2工艺技术3317.6.3工艺制程3347.7LV/HVN-WellBCD[B]-（C）3367.7.1芯片剖面结构3377.7.2工艺技术3377.7.3工艺制程3417.8LV/HVTwin-WellBCD[C]3427.8.1芯片剖面结构3437.8.2工艺技术3447.8.3工艺制程3477.9LV/HVTwin-WellBCD[B]-（A）3487.9.1芯片剖面结构3497.9.2工艺技术3507.9.3工艺制程3537.10LV/HVTwin-WellBCD[B]-（B）3557.10.1芯片剖面结构3567.10.2工艺技术3567.10.3工艺制程360附录A术语缩写对照363附录B简要说明367参考文献369
内容摘要
本书从CMOS芯片结构技术出发，系统地介绍了微米?p亚微米?p深亚微米及纳米CMOS制造技术，内容包括单阱CMOS?p双阱CMOS?pLV/HV兼容CMOS?pBiCMOS?pLV/HV兼容BiCMOS，以及LV/HV兼容BCD制造技术。全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件?p制造技术及主要参数所组成的综合表，从芯片结构出发，利用计算机和它所提供的软件，描绘出芯片制造的各工序剖面结构，从而得到制程剖面结构。书中给出了100种典型CMOS芯片结构，介绍了各种典型制造技术，并描绘出50种制程剖面结构。深入地了解芯片制程剖面结构，对于电路设计?p芯片制造?p良率提升?p产品质量提高及电路失效分析等都是十分重要的。本书技术含量高，非常实用，可作为芯片设计?p制造?p测试及可靠性等方面工程技术人员的重要参考资料，也可作为微电子专业高年级本科生的重要参考书，还可供信息领域其他专业的学生和相关科研人员?p工程技术人员参考。
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