晶体生长原理与技术 第2版
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作者介万奇
出版社科学出版社
ISBN9787030589989
出版时间2019-01
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定价360元
货号1201793227
上书时间2024-08-15
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目录
第二版前言
版前言
篇晶体生长的基本原理
章导论3
1.1晶体的基本概念3
1.1.1晶体的结构特征3
1.1.2晶体结构与点阵4
1.1.3晶向与晶面5
1.1.4晶体的结构缺陷概述6
1.2晶体材料12
1.2.1常见晶体材料的晶体结构12
1.2.2按照功能分类的晶体材料16
1.3晶体生长技术的发展21
1.4晶体生长技术基础及其与其他学科的联系23
参考文献25
第2章晶体生长的热力学原理27
2.1晶体生长过程的物相及其热力学描述27
2.1.1气体的结构及热力学描述27
2.1.2液体的结构及热力学描述30
2.1.3固体的结构及其热力学参数33
2.1.4相界面及其热力学分析37
2.1.5晶体生长的热力学条件42
2.2单质晶体生长热力学原理44
2.2.1单质晶体生长过程中的热力学条件44
2.2.2液相及气相生长的热力学条件及驱动力48
2.2.3固态再结晶的热力学条件50
2.3二元系的晶体生长热力学原理52
2.3.1二元合金中的化学位52
2.3.2液-固界面的平衡与溶质分凝53
2.3.3气-液及气-固平衡56
2.4多组元系晶体生长热力学分析58
2.4.1多元体系的自由能58
2.4.2多元系结晶过程的热力学平衡条件59
2.4.3相图计算技术的应用60
2.5化合物晶体生长热力学原理63
2.5.1化合物分解与合成过程的热力学分析64
2.5.2复杂二元及多元化合物体系的简化处理67
2.5.3化合物晶体非化学计量比的成分偏离与晶体结构缺陷70
2.5.4熔体中的短程序及缔合物72
2.6强磁场及高压环境对晶体生长热力学条件的影响75
2.6.1强磁场对晶体生长热力学平衡条件的影响75
2.6.2高压对晶体生长热力学平衡条件的影响76
参考文献79
第3章晶体生长过程的形核原理83
3.1均质形核理论83
3.1.1熔体中的均质形核理论83
3.1.2气相与固相中的均质形核86
3.1.3均质形核理论的发展87
3.2异质形核90
3.2.1异质形核的基本原理90
3.2.2异质外延生长过程中的形核92
3.3多元多相合金结晶过程中的形核94
3.3.1多组元介质中的形核94
3.3.2多相形核过程的分析98
3.4特殊条件下的形核问题101
3.4.1溶液中的形核101
3.4.2电化学形核103
3.4.3超临界液体结晶过程中的形核103
3.4.4形核过程的实验观察与控制104
参考文献107
第4章晶体生长的动力学原理111
4.1结晶界面的微观结构111
4.1.1结晶界面结构的经典模型111
4.1.2界面结构的Monte-Carlo(MC)模拟116
4.2结晶界面的原子迁移过程与生长速率119
4.2.1结晶界面上原沉积的途径与过程119
4.2.2连续生长过程的原子沉积动力学122
4.2.3结晶界面上的原子扩散123
4.2.4结晶界面上原子的二维形核126
4.2.5位错生长128
4.2.6化合物晶体生长的界面动力学129
4.2.7基于实验结果的结晶界面动力学过程分析130
4.3晶体生长的本征形态134
4.3.1晶体生长形态的热力学分析134
4.3.2晶体生长形态的动力学描述135
参考文献145
第5章实际晶体生长形态的形成原理149
5.1晶体生长驱动力与平面结晶界面的失稳149
5.2枝晶的形成条件与生长形态155
5.3枝晶阵列的生长161
5.3.1Hunt模型163
5.3.2Kurz-Fisher模型164
5.3.3Lu-Hunt数值模型166
5.4强各向异性晶体强制生长形态170
5.5多相协同生长173
5.5.1亚共晶生长173
5.5.2共晶生长174
5.5.3偏晶生长178
5.5.4包晶生长179
参考文献180
第二篇晶体生长的技术基础
第6章晶体生长过程的传输问题185
6.1晶体生长过程的传质原理185
6.1.1溶质扩散的基本方程185
6.1.2扩散过程的求解条件与分析方法188
6.1.3扩散系数的本质及其处理方法189
6.1.4晶体生长过程扩散的特性191
6.1.5多组元的协同扩散193
6.1.6外场作用下的扩散194
6.2晶体生长过程的传热原理195
6.2.1晶体生长过程的导热195
6.2.2晶体生长过程的辐射换热200
6.2.3晶体生长过程的对流换热与界面换热203
6.2.4晶体生长过程温度场的测控方法与技术204
6.3晶体生长过程的液相流动212
6.3.1流动的起因与分类212
6.3.2流体的黏度214
6.3.3流体流动的控制方程215
6.3.4流体流动过程的求解条件与分析方法217
6.3.5层流与紊流的概念及典型层流过程分析218
6.3.6双扩散对流220
6.3.7Marangoni对流223
参考文献224
第7章晶体生长过程中的化学问题226
7.1晶体生长过程相关的化学原理226
7.1.1晶体生长过程的化学反应226
7.1.2物质的主要化学性质和化学定律229
7.1.3化学反应动力学原理233
7.1.4化学反应过程的热效应237
7.1.5化学反应的尺寸效应238
7.1.6晶体生长过程的其他化学问题239
7.2原料的提纯243
7.2.1气化-凝结法244
7.2.2萃取法254
7.2.3电解提纯法260
7.2.4区熔法261
7.3晶体生长原料的合成原理263
7.3.1熔体直接反应合成263
7.3.2溶液中的反应合成265
7.3.3气相反应合成268
7.3.4固相反应合成274
7.3.5自蔓延合成276
参考文献279
第8章晶体生长过程物理场的作用282
8.1晶体生长过程的压力作用原理282
8.1.1重力场中的压力282
8.1.2微重力场的特性与影响283
8.1.3超重力场的特性与影响285
8.1.4晶体生长过程的高压技术287
8.2晶体生长过程中的应力分析291
8.2.1应力场计算的基本方程292
8.2.2应力场的分析方法295
8.2.3应力作用下的塑性变形297
8.2.4薄膜材料中的应力299
8.3电场在晶体生长过程中的作用原理301
8.3.1材料的电导特性302
8.3.2材料的电介质特性303
8.3.3晶体生长相关的电学原理304
8.3.4电场在晶体生长过程应用的实例306
8.4电磁场在晶体生长过程中应用的基本原理312
8.4.1电磁效应及磁介质的性质313
8.4.2电磁场的作用原理316
8.4.3电磁悬浮技术320
8.4.4电磁场对对流的控制作用322
参考文献326
第三篇晶体生长技术
第9章熔体法晶体生长(1)——Brid-man法及其相似方法333
9.1Bridgman法晶体生长技术的基本原理333
9.1.1Bridgman法晶体生长技术简介333
9.1.2Bridgman法晶体生长过程的传热特性339
9.1.3Bridgman法晶体生长过程结晶界面控制原理340
9.2Bridgman法晶体生长过程的溶质传输及其再分配342
9.2.1一维平界面晶体生长过程中的溶质再分配343
9.2.2多元合金及快速结晶条件下的溶质分凝348
9.2.3实际Bridgman法晶体生长过程中的溶质分凝分析350
9.3Bridgman法晶体生长过程的数值分析355
9.3.1Bridgman法晶体生长过程数值分析技术的发展355
9.3.2Bridgman法晶体生长过程多场耦合的数值模拟方法356
9.3.3晶体生长过程应力场的数值分析362
9.4Bridgman法晶体生长工艺控制技术364
9.4.1Bridgman法晶体生长过程的强制对流控制364
9.4.2Bridgman法晶体生长过程的电磁控制373
9.4.3水平Bridgman法及微重力条件下的Brid-man法晶体生长376
9.4.4高压Bridgman法晶体生长379
9.4.5其他改进的Bridgman生长方法381
9.5其他定向结晶的晶体生长方法385
9.5.1垂直温度梯度法385
9.5.2区熔-移动加热器法387
9.5.3浮区法391
9.5.4溶剂法398
参考文献399
0章熔体法晶体生长(2)——Cz法及其他熔体生长方法411
10.1Cz法晶体生长的基本原理与控制技术411
10.1.1Cz法晶体生长的基本原理411
10.1.2Cz法晶体生长过程的控制技术417
10.2Cz法晶体生长过程的传热与生长形态控制425
10.2.1Cz法晶体生长过程的传热特性425
10.2.2环境温度和气相传输的影响428
10.2.3晶体内辐射特性的影响433
10.2.4晶体旋转与温度的波动437
10.3电磁控制技术在Cz法晶体生长中的应用441
10.3.1静磁场控制Cz法晶体生长中的对流441
10.3.2交变磁场对Cz法晶体生长过程的影响445
10.3.3电流场和磁场共同作用下的Cz法晶体生长448
10.4Cz法晶体生长过程传质特性与成分控制451
10.4.1多组元熔体Cz法晶体生长过程中的溶质再分配及其宏观偏析452
10.4.2Cz法晶体生长过程中熔体与晶体中的成分控制456
10.5其他熔体法晶体生长的方法465
10.5.1成形提拉法(导模法)465
10.5.2泡生法472
10.5.3火焰熔融生长法476
参考文献477
1章溶液法晶体生长486
11.1溶液法晶体生长的基本原理和方法486
11.1.1溶液的宏观性质486
11.1.2溶液中溶质的行为及溶剂的选择489
……
内容摘要
本书将在绪论中，对人工晶体生长的基本概念、研究范畴、研究历史和晶体生长方法分类等基本概念进行简要介绍，然后分4篇进行论述。靠前篇为晶体生长的基本原理，将分5章，对晶体生长过程的热力学和动力学原理，结晶界面形貌与结构，形核与生长的动力学过程进行描述。第二篇为晶体生长的技术基础，将分3章，对晶体生长过程的涉及的传热、传质及流体流动原理，晶体生长过程的化学原理和晶体生长过程控制涉及的物理原理进行论述。第三篇为晶体生长技术，将分4章对熔体生长（2章）、溶液生长、气相生长的主要方法及其控制原理进行论述。第四篇，晶体的性能表征与缺陷，将分2章，分别对晶体的结构、性能的主要表征方法，晶体的结构缺陷形成与控制原理进行论述。
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