射频和微波混合电路：基础材料和工艺

图书标准信息

• 作者 [美]布朗 著；孙海 译
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2006-11
• 版次 1
• ISBN 9787121033575
• 定价 42.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 304页
• 字数 341千字
• 丛书 微电子技术系列丛书

【内容简介】

　　近年来，无线通信、汽车电子和国防电子的发展使电子行业对高频系统的需求快速增长。与单片微波集成电路（MMIC）的持续发展相呼应，混合微波集成电路（HMIC）的新材料和新工艺也有了很大发展。本书首先对射频微波的基本概念作了简要介绍，比较了单片微波集成电路和混合微波集成电路的特点，讲述了作为射频微波基础元件的传输线和混合电路工艺的“波导”结构；然后从射频微波应用的角度对基础材料（导体、介质和基片）及其性能进行了讨论，包括它们对于阻抗、电路高频性能的影响；最后探讨了混合微波集成电路的各种适用工艺。
　　本书适合从事混合微波集成电路（HMIC）研发的设计工程师、工艺工程师和材料工程师阅读，也适合作为高等学校电子工程、微电子和微波工程专业高年级大学生和研究生的教学参考书。

【作者简介】

　　理查德·布朗（RichardBrown）是美国的混合电路技术和工程咨询专家，在薄厚膜、电镀和基板技术方面有30多年工作经验。他最初在贝尔电话实验室参加工作。1968年加入美国无线电公司（RCA）固体电路部以后，于1979年转入位于普林斯顿的RCA微波技术中心。1991年，布朗先生任Alcoa电子封装技术团队的项目经理，负责在多芯片模块（MCM）的高温共烧陶瓷表面制作薄膜。他著述颇多，曾为1998年。McGraw—Hill出版社出版的《薄膜技术手册》撰写了“薄膜微波混合电路”一章。1995年，国际混合微电子学会（ISHM）授予他盛誉——JohnA．Wagncm，Jr．技术成就奖。他开设了有关《射频和微波混合电路——基础、材料和工艺》的一日课程。1991年他的文章《微波混合电路的材料和工艺》被设在弗吉尼亚州Reston的国际混合微电子学会（ISHM）发表。2002年，Kluwer教育出版社出版了本书《射频和微波混合电路——基础、材料和工艺》。

【目录】

第1章混合微波集成电路与单片微波集成电路
参考文献
第2章基本概念
2.1引言
2.2麦克斯韦定律
2.3介电常数与磁导率
2.4自由空间波长
2.5传播速度
2.6分贝（dB）
2.7Q值测量
2.8小信号（S参数）
参考文献
第3章平面波导
3.1阻抗
3.2微带
3.2.1波导波长（λg）
3.3共面波导
3.4带状线
参考文献
第4章电流及损耗
4.1介质损耗
4.1.1tanδ
4.1.2各向异性
4.2导体损耗
4.2.1波导波长损耗
4.2.2衰减
4.2.3回波损耗
4.2.4电压驻波比（VSWR）
4.2.5趋肤深度
4.2.6附着层
4.2.7表面粗糙度
参考文献
第5章基片
5.1玻璃
5.2单晶
5.3多晶陶瓷
5.3.1制造
5.3.2基片的特性
5.4低温共烧陶瓷(LTCC)
5.5覆铜板材料
5.5.1玻璃转化温度Tg
5.5.2材料性能
5.5.3制造
5.5.4机械刻图
5.6清洗
5.6.1湿法清洗工艺
5.6.2干法清洗工艺
5.7安全事项
参考文献
第6章厚膜
6.1丝网印刷
6.2金属箔掩模
6.3光刻厚膜
6.3.1光刻厚膜
6.3.2光敏厚膜
6.4加法工艺
6.4.1金属有机物
6.4.2直接绘图
6.4.3直接键铜（DBCu）
参考文献
第7章薄膜
7.1物理气相沉积
7.1.1蒸发沉积
7.1.2溅射
参考文献
第8章介质沉积
8.1等离子增强低压化学气相沉积（PELPCVD）
8.2阳极化
参考文献
第9章聚合物
9.1材料性能
9.1.1吸湿性
9.1.2机械性能
9.1.3玻璃转化温度（Tg)
9.1.4平坦化
9.2沉积
9.2.1旋涂
9.2.2喷涂
9.2.3丝网印刷
9.2.4其他沉积方法
9.3图形化
9.3.1湿法刻蚀
9.3.2干法刻蚀
9.3.3光敏聚合物
参考文献
第10章加工方法
第11章光刻
11.1光刻胶
11.1.1旋涂
11.1.2喷涂
11.1.3辊涂
11.1.4半月涂覆
11.1.5电沉积
11.1.6干膜
11.1.7浸涂
11.2原图和掩模
11.3曝光
11.3.1非准直光光源
11.3.2大泛光光源
11.3.3短泛光光源
11.3.4准直光光源
11.3.5激光曝光
参考文献
第12章电镀
12.1综述
12.2无机添加剂
12.3有机添加剂
12.4波形
12.4.1非均衡直流
12.4.2脉冲
12.5电场密度
12.6化学镀
参考文献
第13章刻蚀
13.1湿法刻蚀
13.2干法刻蚀
13.2.1溅射刻蚀
13.2.2离子束研磨
13.2.3反应刻蚀技术
13.3刻蚀对阻抗的影响
参考文献
第14章元件
14.1无源元件
14.1.1电阻
14.1.2衰减器
14.1.3电容器
14.1.4电感器
14.2传输线元件
14.2.1互易功分器/功合器
14.2.2滤波器
参考文献
第15章封装
15.1集成化
15.2互连
15.2.1圆线
15.2.2条带
15.2.3修正的载带自动键合（TAB）
15.2.4集成的跨接线
15.2.5外壳
15.2.6热膨胀
15.2.7基板贴装
15.2.8接地
15.2.9通孔
15.2.10可电镀性
15.2.11时域反射计（TDR）
参考文献
第16章超导
16.1高转变温度（Tc）材料的性质
16.2材料因素
16.3基板材料
16.4膨胀系数
16.5缓冲（阻挡）层
16.6膜的形成
16.6.1偏轴（off-axis）溅射
16.6.2脉冲激光沉积
16.6.3蒸发
16.6.4有机金属化学气相沉积(MOCVD)
16.7图形制作
16.7.1湿法刻蚀
16.7.2干法刻蚀
参考文献
第17章微机电系统（MEMS）
参考文献
附录A符号定义
附录B公司名录
附录C单位换算
附录D对微带的w/h和εeff的图解评估