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半导体器件电子学(英文版)

45 6.3折 72 九品

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作者格朗 著;[美]沃纳

出版社电子工业出版社

出版时间2002-09

版次1

装帧平装

上书时间2024-06-18

   商品详情   

品相描述:九品
图书标准信息
  • 作者 格朗 著;[美]沃纳
  • 出版社 电子工业出版社
  • 出版时间 2002-09
  • 版次 1
  • ISBN 9787505379626
  • 定价 72.00元
  • 装帧 平装
  • 开本 其他
  • 纸张 胶版纸
  • 页数 905页
【内容简介】
全书分5章,内容包括现代电子学基础、半导体体特性、PN结、双极结型晶体管(BJT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等半导体器件电子学中最基本、最经典的内容。从电荷、电场开始,循序渐渐地讲解半导体体特性、器件理论,最后深入分析两类最基本的晶体管(BJT和MOSFET)并对其性能作比较,本书还特别强调SPICE分析方法。这些内容和讲述方法在国内同类书籍中并不多见。

  本书在正式出版之间,作者已用它在美国明尼苏达大学电机工程系讲授多年。书中吸收了作者的教学经验及学生们的意见,内容精心安排,文字叙述简洁,公式推导准确易懂,图例说明清晰,并包含大量的习题解答,使本书非常适用于教学;每章后面的小结、复习要点与习题便于读者更好地理解、掌握有关的基本概念,并能将其灵活运用到工程实践中。
【目录】
第1章 现代电子学基础

第2章 半导体体特性

第3章 PN结

第4章 双极结型晶体管(BJT)

第5章 金属氧化物半导体效应晶体管
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