Ⅲ—Ⅴ氮化物纳米材料的制备及性能研究
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作者曹传宝
出版社哈尔滨工业大学出版社
ISBN9787560358024
出版时间2017-08
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
定价98元
货号7671433
上书时间2024-09-26
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基本信息
书名:Ⅲ—Ⅴ氮化物纳米材料的制备及性能研究
定价：98元
作者:曹传宝
出版社：哈尔滨工业大学出版社
出版日期：2017-08-01
ISBN：9787560358024
字数：
页码：
版次：1
装帧：平装
开本：16开
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编辑推荐
本书对于从事Ⅲ-Ⅴ氮化物纳米材料研究的学者具有一定的参考作用。
内容提要
Ⅲ-Ⅴ氮化物属于第三代半导体，具有独特的性能及应用领域，现在得以广泛应用的蓝光LED就是以氮化镓为基材制备出来的。本书内容主要是Ⅲ-Ⅴ氮化物纳米材料的研究，包括零维量子点的制备及性能，一维纳米材料的制备及性能，纳米阵列的制备及性能，以及对于Ⅲ-Ⅴ氮化物的理论模拟研究等。
目录
目录章Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体材料简介第2章气相反应制备GaN纳米线的催化效应第3章GaN纳米带和纳米带环的生长与形成机理第4章碳热辅助法控制生长GaN低维结构第5章定向排列的孪晶GaN纳米线的制备与表征第6章GaN纳米柱阵列的制备及表征第7章Fe、Co掺杂GaN纳米线的制备及性能研究第8章GaN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究第9章GaN纳米晶体及其复合材料的制备及性能0章GaN的理论模拟研究1章AIN纳米结构的可控制备与表征2章单晶InN纳米线的制备及表征3章InN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究参考文献名词索引
作者介绍
序言
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【封面】
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