改性锗半导体物理

图书标准信息

• 作者 宋建军
• 出版社 西安电子科技大学出版社
• 出版时间 2020-12
• 版次 1
• ISBN 9787560659510
• 定价 20.00元
• 装帧 其他
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 112页
• 字数 161千字

【内容简介】

本书共7章，主要介绍了改性锗半导体物理的相关内容，包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗 MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习，可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。
  本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书，也可供其他相关专业的学生参考。