半导体物理基础
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作者黄昆,韩汝琦
出版社科学出版社
ISBN9787030287281
出版时间1979-01
版次1
装帧平装
开本B5
纸张胶版纸
页数292页
字数357千字
定价98元
货号SC:9787030287281
上书时间2024-10-30
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商品详情
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内容简介:
《中国科学技术经典文库·物理卷：半导体物理基础》主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。
《中国科学技术经典文库·物理卷：半导体物理基础》对一些基本概念的讲述做到了深入浅出、便于自学，在结合具体的半导体材料讲述晶体缺陷方面做了新的尝试，《中国科学技术经典文库·物理卷：半导体物理基础》可以作为高等学校有关课程的教学参考书，也可供从事半导体技术工作的科技人员和工人阅读。
目录:
前言
第1章 掺杂半导体的导电性
1.1 掺杂和载流子
1.2 电导率和电阻率
1.3 迁移率
1.4 测量电阻率的四探针方法
1.5 扩散薄层的方块电阻
第2章 能级和载流子
2.1 量子态和能级
2.2 多子和少子的热平衡
2.3 费米能级
2.4 电子的平衡统计分布规律
2.5 非平衡载流子的复合
2.6 非平衡载流子的扩散
第3章 pn结
3.1 pn结的电流-电压关系
3.2 空间电荷区中的复合和产生电流
3.3 晶体管的电流放大作用
3.4 高掺杂的半导体和pn结
3.5 pn结的击穿
3.6 pn结的电容效应
3.7 金属-半导体接触
第4章 半导体表面
4.1 表面空间电荷区及反型层
4.2 MIS电容器——理想C(V)特性
4.3 实际MIS电容器的C(V)特性及应用
4.4 硅-二氧化硅系统的性质
4.5 MOS场效应晶体管
4.6 电荷耦合器件
第5章 晶格和缺陷
5.1 晶格
5.2 空位和间隙原子
5.3 位错
5.4 层错
5.5 相变和相图
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