半导体器件物理(第3版)
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作者孟庆巨主编
出版社科学出版社
ISBN9787030729156
出版时间2022-10
版次3
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数360页
字数573千字
定价79元
货号SC:9787030729156
上书时间2024-10-30
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商品详情
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内容简介:
本书是普通高等教育“十一五”重量规划教材。本书介绍了常用半导体器件的基本结构、工作原理、主要性能和基本工艺技术。内容包括：半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导体太阳电池和光电二极管、发光二极管和半导体激光器等。
本书可作为高等院校电子科学与技术、微电子学、光电子技术等专业的半导体器件物理相关课程的教材，也可供有关科研人员和工程技术人员参考。
目录:
第1章半导体物理基础
1.1半导体中的电子状态
1.1.1周期性势场
1.1.2周期性势场中电子的波函数、布洛赫定理
1.1.3周期性边界条件
1.2能带
1.3有效质量
1.4导带电子和价带空穴
1.4.1金属、半导体和绝缘体的区别
1.4.2空穴
1.5硅、锗、砷化镓的能带结构
1.5.1等能面
1.5.2能带图
1.6杂质和缺陷能级
1.6.1施主杂质和施主能级、N型半导体
1.6.2受主杂质和受主能级、P型半导体
1.6.3Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的杂质
1.6.4深能级杂质
1.6.5缺陷能级
1.7载流子的统计分布
1.7.1状态密度
1.7.2费米分布函数与费米能级
1.7.3能带中的电子和空穴浓度
1.7.4本征半导体
1.7.5只有一种杂质的半导体
1.7.6杂质补偿半导体
1.7.7简并半导体
1.8载流子的散射
1.8.1格波与声子
1.8.2载流子的散射过程
1.9电荷输运现象
1.9.1漂移运动、迁移率与电导率
1.9.2扩散运动、扩散流密度和扩散电流
1.9.3流密度、电流密度和电流方程
1.10非均匀半导体中的自建电场
1.10.1半导体中的静电场和静电势
1.10.2爱因斯坦关系
1.10.3非均匀半导体和自建电场
1.11非平衡载流子
1.12准费米能级
1.12.1准费
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