氧化锌和氮化铝薄膜制备与表征实例
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作者赵祥敏,赵文海 著
出版社冶金工业出版社
ISBN9787502469177
出版时间2015-06
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数132页
字数133千字
定价25元
货号SC:9787502469177
上书时间2024-05-07
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作者简介:
赵祥敏，女，1979年2月出生，就职于牡丹江师范学院工学院，主要讲授电子技术基础、数字电路实验、模拟电路实验、信息技术和C语言程序设计、近代物理实验等课程，教学效果良好。
工作期间共发表论文6篇，其中EI检索1篇，中文核心期刊2篇；出版教材2部；主持校级教改项目1项，参与科研和教改项目10余项；发明实用经济型专利3个；获牡丹江市第二十四届自然科学技术学术成果奖二等奖1项，获2012~2014年度牡丹江市自然科学技术学术成果奖一等奖1项，获牡丹江市优秀教育科研成果奖一等奖1项，获第十二届全国多媒体课件一等奖1项，获牡丹江师范学院优秀教案奖1项，获牡丹江师范学院教师课件大赛优秀奖2项。
精彩内容:
目前，半导体材料已经成为 21 世纪信息社会高技术产业的基础材料。ZnO是继GaN之后出现的又一种宽禁带半导体材料，它有着与GaN相似的晶体结构，在某些方面具有比GaN更优越的性能。ZnO室温带隙约为3.37eV，激子结合能高达60meV，远大于其室温下的离化能26meV；ZnO的熔点高达1975℃，具有很高的化学和热稳定性，抗辐射能力强，远远超过GaN；ZnO薄膜是一种光学透明薄膜，纯ZnO及其掺杂薄膜具有优异的光电性能，用途广阔，而且原料易得、价廉、毒性小，是最有开发潜力的薄膜材料之一。自1998年ZnO薄膜的室温紫外受激发射报道以来，ZnO成为继GaN之后光电子领域内又一研究热点。
ZnO薄膜通常沿着[0001]方向优先生长，即具有c轴择优取向。在多晶和非晶衬底上通常只能得到六方柱状多晶薄膜；在单晶衬底（如c面或a面蓝宝石单晶片）上可以实现ZnO外延薄膜的生长。衬底不同会对ZnO外延薄膜的质量产生很大影响。
大量研究表明，在Si衬底上生长ZnO薄膜具有重要的意义，但是由于Si与ZnO的晶格常数及线膨胀系数的失配度均很大，难以实现高质量ZnO薄膜的外延生长，因此采用中间缓冲层是一种值得研究的工艺。由于AlN和ZnO具有相同的六方纤锌矿结构，而且两者晶格失配度较小，线膨胀系数相近，所以可作为生长ZnO薄膜的缓冲层，并可改善ZnO/AlN界面结构。
本书重点探讨了以AlN作为ZnO的缓冲层来制备和研究ZnO薄膜的性能，因此不但对ZnO做了详细的介绍，同时也对AlN做了详尽的介绍。
内容简介:
本书以实例的形式，介绍了用磁控溅射法制备氧化锌（ZnO）薄膜、氮化铝（AlN）薄膜和ZnO/AlN复合膜的详细工艺和性能表征。全书共分8章，第1章主要介绍ZnO的晶体结构、能带结构、性能与应用；第2章主要介绍AlN的晶体结构、能带结构、性能与应用；第3章主要介绍ZnO和AlN薄膜的常用制备方法及性能表征手段；第4~6章分别介绍了AlN薄膜、ZnO薄膜、ZnO/AlN复合膜的制备方法与性能表征；第7章主要介绍不同溅射时间下AlN缓冲层对ZnO薄膜的影响；第8章主要介绍退火温度对N掺杂ZnO薄膜的影响。
目录:
第1章 ZnO概述 6
1.1 引言 6
1.2 ZnO的晶体结构 7
1.3 ZnO的结构形态 8
1.3.1 ZnO体单晶 8
1.3.2 ZnO薄膜 8
1.3.3 ZnO纳米结构 8
1.4 ZnO的能带结构 9
1.5 ZnO的基本性质 9
1.5.1 ZnO的电学性质 10
1.5.2 ZnO的光学性质 10
1.5.3 ZnO的其特性 11
1.6 ZnO薄膜的应用 11
1.6.1 声表面波器件 12
1.6.2 紫外光电探测器 13
1.6.3 肖特基紫外探测器 13
1.6.4 稀磁半导体 14
1.6.5 发光器件 14
1.6.6 气敏传感器 14
1.6.7 压敏器件 15
1.6.8 透明电极 15
1.6.9 缓冲层 15
1.6.10 ZnO基LED 16
1.7 ZnO的本征缺陷 17
1.7.1 ZnO的本征点缺陷 18
1.7.2 ZnO薄膜的能级 18
1.8 ZnO的掺杂 19
1.8.1控制本征缺陷制备p型ZnO 19
1.8.2 I族元素单一受主掺杂 20
1.8.3 IB族元素单一受主掺杂 21
1.8.4 V族元素单一受主掺杂 21
1.8.5 受主-施主共掺杂 23
1.8.6 双受主共掺杂 23
1.8.7 稀土掺杂 23
参考文献 24
第2章 AlN概述 34
2.1 引言 34
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