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微电子器件

21.82 3.6折 59.9 九五品

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江苏南京

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作者陈星弼

出版社电子工业出版社

ISBN9787121342677

出版时间2018-01

版次1

装帧平装

开本16开

纸张胶版纸

页数348页

字数99999千字

定价59.9元

上书时间2024-08-17

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商品详情

品相描述：九五品

商品描述: 基本信息
书名:微电子器件
定价：59.90元
作者:陈星弼
出版社：电子工业出版社
出版日期：2018-01-01
ISBN：9787121342677
字数：696000
页码：348
版次：4
装帧：平装
开本：16开
商品重量：
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内容提要
本书为普通高等教育“十一五”、“十二五”规划教材。本书首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上，全面系统地介绍PN结二极管、双极结型晶体管（BJT）和绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）的基本结构、基本原理、工作特性和SPICE模型。本书还介绍了主要包括HEMT和HBT的异质结器件。书中提供大量习题，便于读者巩固及加深对所学知识的理解。本书适合作为高等学校电子科学与技术、集成电路设计与集成系统、微电子学等专业相关课程的教材，也可供其他相关专业的本科生、研究生和工程技术人员阅读参考。
目录
章半导体物理基础及基本方程11半导体晶格111基本的晶体结构112晶向和晶面113原子价键 12半导体中的电子状态121原子的能级和晶体的能带122半导体中电子的状态和能带123半导体中电子的运动和有效质量124导体、半导体和绝缘体13平衡状态下载流子浓度131费米能级和载流子的统计分布132本征载流子浓度133杂质半导体的载流子浓度134简并半导体的载流子浓度14非平衡载流子141非平衡载流子的注入与复合过程142非平衡载流子的寿命143复合理论15载流子的输运现象151载流子的漂移运动及迁移率152载流子的扩散运动153爱因斯坦关系16半导体器件基本方程161泊松方程162输运方程163连续性方程164方程的积分形式165基本方程的简化与应用举例本章参考文献第2章PN结21PN结的平衡状态211空间电荷区的形成212内建电场、内建电势与耗尽区宽度213能带图214线性缓变结215耗尽近似和中性近似的适用性22PN结的直流电流电压方程221外加电压时载流子的运动情况222势垒区两旁载流子浓度的玻耳兹曼分布223扩散电流224势垒区产生复合电流225正向导通电压226薄基区二极管23准费米能级与大注入效应231自由能与费米能级232准费米能级233大注入效应24PN结的击穿241碰撞电离率和雪崩倍增因子242雪崩击穿243齐纳击穿244热击穿25PN结的势垒电容251势垒电容的定义252突变结的势垒电容253线性缓变结的势垒电容254实际扩散结的势垒电容26PN结的交流小信号特性与扩散电容261交流小信号下的扩散电流262交流导纳与扩散电容263二极管的交流小信号等效电路27PN结的开关特性271PN结的直流开关特性272PN结的瞬态开关特性273反向恢复过程274存储时间与下降时间28SPICE中的二极管模型习题二本章参考文献第3章双极结型晶体管31双极结型晶体管基础311双极结型晶体管的结构312偏压与工作状态313少子浓度分布与能带图314晶体管的放大作用32均匀基区晶体管的电流放大系数321基区输运系数322基区渡越时间323发射结注入效率324电流放大系数33缓变基区晶体管的电流放大系数331基区内建电场的形成332基区少子电流密度与基区少子浓度分布333基区渡越时间与输运系数334注入效率与电流放大系数335小电流时放大系数的下降336发射区重掺杂的影响337异质结双极型晶体管34双极结型晶体管的直流电流电压方程341集电结短路时的电流342发射结短路时的电流343晶体管的直流电流电压方程344晶体管的输出特性345基区宽度调变效应35双极结型晶体管的反向特性351反向截止电流352共基极接法中的雪崩击穿电压353共发射极接法中的雪崩击穿电压354发射极与基极间接有外电路时的反向电流与击穿电压355发射结击穿电压356基区穿通效应36基极电阻361方块电阻362基极接触电阻和接触孔边缘到工作基区边缘的电阻363工作基区的电阻和基极接触区下的电阻37双极结型晶体管的功率特性371大注入效应372基区扩展效应373发射结电流集边效应374晶体管的热学性质375二次击穿和安全工作区38电流放大系数与频率的关系381高频小信号电流在晶体管中的变化382基区输运系数与频率的关系383高频小信号电流放大系数384晶体管的特征频率385影响高频电流放大系数与特征频率的其他因素39高频小信号电流电压方程与等效电路391小信号的电荷控制模型392小信号的电荷电压关系393高频小信号电流电压方程394小信号等效电路310功率增益和最高振荡频率3101高频功率增益与高频优值3102最高振荡频率3103高频晶体管的结构311双极结型晶体管的开关特性3111晶体管的静态大信号特性3112晶体管的直流开关特性3113晶体管的瞬态开关特性312SPICE中的双极晶体管模型3121埃伯斯-莫尔(EM)模型3122葛谋-潘(GP)模型习题三本章参考文献第4章绝缘栅型场效应晶体管41MOSFET基础42MOSFET的阈电压421MOS结构的阈电压422MOSFET的阈电压43MOSFET的直流电流电压方程431非饱和区直流电流电压方程432饱和区的特性44MOSFET的亚阈区导电45MOSFET的直流参数与温度特性451MOSFET的直流参数452MOSFET的温度特性453MOSFET的击穿电压46MOSFET的小信号参数、高频等效电路及频率特性461MOSFET的小信号交流参数462MOSFET的小信号高频等效电路463最高工作频率和最高振荡频率464沟道渡越时间47短沟道效应471小尺寸效应472迁移率调制效应473漏诱生势垒降低效应474强电场效应475表面势和阈值电压准二维分析48体硅MOSFET的发展方向481按比例缩小的MOSFET482双扩散MOSFET483深亚微米MOSFET484应变硅MOSFET485高K栅介质及金属栅电极MOSFET49功率垂直型双扩散场效应晶体管491VDMOS器件492超结VDMOS器件493常规VDMOS与超结VDMOS器件的电流电压关系的比较410SOI MOSFET4101SOI MOSFET结构特点4102SOI MOSFET一维阈值电压模型 4103SOI MOSFET的电流特性4104SOI MOSFET的亚阈值斜率4105短沟道SOI MOSFET的准二维分析411多栅结构MOSFET与FINFET4111多栅MOSFET结构4112多栅结构MOSFET的特征长度4113双栅FINFET的亚阈值斜率4114双栅FINFET的按比例缩小4115多栅FINFET的结构设计412无结晶体管4121无结晶体管的工作原理4122无结晶体管的阈值电压4123无结晶体管的直流电流电压关系 4124无结晶体管的温度特性413SPICE中的MOSFET模型4131MOS1模型4132MOS2模型4133MOS3模型4134电容模型4135小信号模型4136串联电阻的影响习题四本章参考文献第5章半导体异质结器件51半导体异质结511半导体异质结的能带突变512半导体异质结伏安特性52高电子迁移率晶体管(HEMT)521高电子迁移率晶体管的基本结构522HEMT的工作原理523异质结界面的二维电子气524高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流特性525HEMT的高频模型526HEMT的高频小信号等效电路527高电子迁移率晶体管(HEMT)的频率特性53异质结双极晶体管(HBT)531HBT的基础理论532能带结构与HBT性能的关系533异质结双极晶体管的特性534Si/Si1-xGex异质结双极晶体管习题五本章参考文献
作者介绍

序言

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