半导体制造技术导论
￥ 36.01 5.2折 ￥ 69 九五品
仅1件
作者Hong Xiao(萧宏), 杨银堂, 段宝兴
出版社电子工业出版社
ISBN9787121188503
出版时间2013-01
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数459页
定价69元
上书时间2024-08-15
商品详情
- 品相描述：九五品
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基本信息
书名:半导体制造技术导论
定价：69.00元
作者:Hong Xiao(萧宏), 杨银堂, 段宝兴
出版社：电子工业出版社
出版日期：2013-01-01
ISBN：9787121188503
字数：
页码：459
版次：1
装帧：平装
开本：16开
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《半导体制造技术导论(第2版)》是一本半导体工艺技术的教材，并不强调很深的理论和数学知识，而是重点关注半导体关键加工技术概念的理解。全书共分15章，包括：半导体技术导论，集成电路工艺导论，半导体基础知识，晶圆制造，外延和衬底加工技术，半导体工艺中的加热工艺，光刻工艺，等离子体工艺技术，离子注入工艺，刻蚀工艺，化学气相沉积与电介质薄膜沉积，金属化工艺，化学机械研磨工艺，半导体工艺整合，CMOS工艺演化，并在最后展望了半导体工艺的发展趋势。
内容提要
本书共包括15章： 章概述了半导体制造工艺； 第2章介绍了基本的半导体工艺技术； 第3章介绍了半导体器件、 集成电路芯片， 以及早期的制造工艺技术； 第4章描述了晶体结构、 单晶硅晶圆生长， 以及硅外延技术； 第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论； 第8章讨论了离子注入工艺； 第9章详细介绍了刻蚀工艺； 0章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺， 以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、 原子层沉积（ALD）工艺过程； 1章介绍了金属化工艺； 2章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺； 3章介绍了工艺整合； 4章介绍了先进的CMOS、 DRAM和NAND闪存工艺流程； 5章总结了本书和半导体工业未来的发展。
目录
章 导论 1.1 集成电路发展历史 1.1.1 世界上第一个晶体 1.1.2 世界上第一个集成电路芯片 1.1.3 摩尔定律 1.1.4 图形尺寸和晶圆尺寸 1.1.5 集成电路发展节点 1.1.6 摩尔定律或超摩尔定律 1.2 集成电路发展回顾 1.2.1 材料制备 1.2.2 半导体工艺设备 1.2.3 测量和测试工具 1.2.4 晶圆生产 1.2.5 电路设计 1.2.6 光刻版的制造 1.2.7 晶圆制造 1.3 小结 1.4 参考文献 1.5 习题 第2章 集成电路工艺介绍 2.1 集成电路工艺简介 2.2 集成电路的成品率 2.2.1 成品率的定义 2.2.2 成品率和利润 2.2.3 缺陷和成品率 2.3 无尘室技术 2.3.1 无尘室 2.3.2 污染物控制和成品率 2.3.3 无尘室的基本结构 2.3.4 无尘室的无尘衣穿着程序 2.3.5 无尘室协议规范 2.4 集成电路工艺间基本结构 2.4.1 晶圆的制造区 2.4.2 设备区 2.4.3 辅助区 2.5 集成电路测试与封装 2.5.1 晶粒测试 2.5.2 芯片的封装 2.5.3 最终的测试 2.5.4 3D封装技术 2.6 集成电路未来发展趋势 2.7 小结 2.8 参考文献 2.9 习题 第3章 半导体基础 3.1 半导体基本概念 3.1.1 能带间隙 3.1.2 晶体结构 3.1.3 掺杂半导体 3.1.4 掺杂物浓度和电导率 3.1.5 半导体材料概要 3.2 半导体基本元器件 3.2.1 电阻 3.2.2 电容 3.2.3 二极管 3.2.4 双载流子晶体管 3.2.5 MOSFET 3.3 集成电路芯片 3.3.1 存储器 3.3.2 微处理器 3.3.3 专用集成电路（ASIC） 3.4 集成电路基本工艺 3.4.1 双载流子晶体管制造过程 3.4.2 P型MOS工艺（20世纪60年代技术） 3.4.3 N型MOS工艺（20世纪70年代技术） 3.5 互补型金属氧化物晶体管 3.5.1 CMOS电路 3.5.2 CMOS工艺（20世纪80年代技术） 3.5.3 CMOS工艺（20世纪90年代技术） 3.6 2000年后半导体工艺发展趋势 3.7 小结 3.8 参考文献 3.9 习题 第4章晶圆制造 4.1 简介 4.2 为什么使用硅材料 4.3 晶体结构与缺陷 4.3.1 晶体的晶向 4.3.2 晶体的缺陷 4.4 晶圆生产技术 4.4.1 天然的硅材料 4.4.2 硅材料的提纯 4.4.3 晶体的提拉工艺 4.4.4 晶圆的形成 4.4.5 晶圆的完成 4.5 外延硅生长技术 4.5.1 气相外延 4.5.2 外延层的生长过程 4.5.3 硅外延生长的硬件设备 4.5.4 外延生长工艺 4.5.5 外延工艺的发展趋势 4.5.6 选择性外延 4.6 衬底工程 4.6.1 绝缘体上硅（Silicon—on—Insulator，SOI） 4.6.2 混合晶向技术（HOT） 4.6.3 应变硅 4.6.4 绝缘体上应变硅（Strained Silicon on Insulator，SSOI） 4.6.5 IC技术中的应变硅 4.7 小结 4.8 参考文献 4.9 习题 第5章 加热工艺 5.1 简介 5.2 加热工艺的硬件设备 5.2.1 简介 5.2.2 控制系统 5.2.3 气体输送系统 5.2.4 装载系统 5.2.5 排放系统 5.2.6 炉管 5.3 氧化工艺 5.3.1 氧化工艺的应用 5.3.2 氧化前的清洗工艺 5.3.3 氧化生长速率 5.3.4 干氧氧化工艺 5.3.5 湿氧氧化工艺 5.3.6 高压氧化工艺 5.3.7 氧化层测量技术 5.3.8 氧化工艺的发展趋势 5.4 扩散工艺 5.4.1 沉积和驱入过程 5.4.2 掺杂工艺中的测量 5.5 退火过程 5.5.1 离子注入后退火 5.5.2 合金化热处理 5.5.3 再流动过程 5.6 高温化学气相沉积 5.6.1 外延硅沉积 5.6.2 选择性外延工艺 5.6.3 多晶硅沉积 5.6.4 氮化硅沉积 5.7 快速加热工艺（RTP）系统 5.7.1 快速加热退火（RTA）系统 5.7.2 快速加热氧化（RTO） 5.7.3 快速加热CVD 5.8 加热工艺发展趋势 5.9 小结 5.10 参考文献 5.11 习题 第6章 光刻工艺 6.1 简介 6.2 光刻胶 6.3 光刻工艺 6.3.1 晶圆清洗 6.3.2 预处理过程 6.3.3 光刻胶涂敷 6.3.4 软烘烤 6.3.5 对准与曝光 6.3.6 曝光后烘烤 6.3.7 显影工艺 6.3.8 硬烘烤工艺 6.3.9 图形检测 6.3.10 晶圆轨道—步进机配套系统 6.4 光刻技术的发展趋势 6.4.1 分辨率与景深（DOF） 6.4.2 Ⅰ线和深紫外线 6.4.3 分辨率增强技术 6.4.4 浸入式光刻技术 6.4.5 双重、三重和多重图形化技术 6.4.6 极紫外线（EUV）光刻技术 6.4.7 纳米压印 6.4.8 X光光刻技术 6.4.9 电子束光刻系统 6.4.10 离子束光刻系统 6.5 安全性 6.6 小结 6.7 参考文献 6.8 习题 …… 第7章 等离子体工艺 第8章 离子注入工艺 第9章 刻蚀工艺 0章 化学气相沉积与电介质薄膜 1章 金属化工艺 2章 化学机械研磨工艺 3章 半导体工艺整合 4章 IC工艺技术 5章 半导体工艺发展趋势和总结
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序言
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【封面】
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