电子学原理与应用

图书标准信息

• 作者 麻寿光 编
• 出版社 高等教育出版社
• 出版时间 2011-01
• 版次 1
• ISBN 9787040311419
• 定价 40.90元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 440页
• 正文语种 简体中文

【内容简介】

　　《电子学原理与应用》是普通高等教育“十一五”国家级规划教材，吸收了国内外同类优秀教材的主体思想、内容、方法和手段，并将作者多年的教学、科研经验有机融合到教材中。《电子学原理与应用》内容包括：固态电子学、二极管与二极管电路、场效应管、双极型三极管、小信号放大器、功率放大器、运算放大器、振荡器、电子控制器件和电路、直流稳压电源。

　　扎实的理论功底与将基本原理转化到工程应用中的技能是创新的要素。《电子学原理与应用》以基本的物理概念和基本的数学分析过程为基础，引出由器件基本特性构成的电路模型，这个过程尽可能论据充足，使读者充分理解不同的工作条件下，如何合理建立相应的电路模型。为适应现代微电子技术发展的趋势，将M0sFET作为重点内容介绍。从MOS电容的特性入手，建立MOSFET的导电模型，并对高密度MOS集成电路中的一些问题及解决办法做较详细介绍。电子技术的应用领域不断拓展，新的技术与器件层出不穷，本教材内容的选择尽可能反映当前电子新技术在工业领域的新应用。在基本内容的选取上，充分体现了当前电子工程应用中模拟与数字、线性与非线性等相互结合的特点。《电子学原理与应用》使用相当多的篇幅，通过工程实例讨论了电磁兼容问题的解决方案，将为工程技术人员设计一个可靠的电子产品提供有用韵思路。

　　《电子学原理与应用》适于作为高等学校电气信息、电子信息类各专业模拟电子技术课程的教材，也可作为工程技术人员的参考书。

【目录】

第1章 固态电子学

1.1固态电子学材料

1.2 共价键模型

1.3 半导体中的漂移电流与迁移率

1.3.1漂移电流

1.3.2 迁移率

1.3.3 饱和速度

1.4 本征硅的电阻率

1.5 半导体掺杂

1.5.1硅晶体中的施主杂质

1.5.2 硅晶体中的受主原子

1.6 掺杂半导体中电子与空穴的浓度

1.6.1N型材料（ND>NA）

1.6.2 型材料（NA>NE）

1.7 掺杂半导体的迁移率与电阻率

1.8 扩散电流

1.9 总电流

1.10能带模型

1.10.1本征半导体内的电子空穴对

1.10.2 掺杂半导体的能带模型

1.10.3 补偿半导体

小结

习题

第2章 二极管与二极管电路

2.1PN结二极管

2.1.1PN结的静态电荷

2.1.2 -=.极管内的电流

2.2 二极管的伏安特性

2.3 二极管的数学模型

2.4 反向偏置、零偏置、正向偏置下的二极管特性

2.4.1反向偏置

2.4.2 零偏置

2.4.3 正向偏置

2.5 二极管的温度系数

2.6 反向偏置二极管

2.6.1实际二极管的饱和电流

2.6.2 反向击穿电压

2.6.3 击穿区的二极管模型

2.7 PN结电容

2.7.1反向偏置电容

2.7.2 正向偏置电容

2.8 肖特基势垒二极管

2.9 二极管模型与版图

2.10二极管电路

2.10.1负载线分析

2.10.2 用数学模型分析

2.10.3 用理想二极管模型分析

2.10.4 恒压降二极管模型分析

2.10.5 模型比较与讨论

2.11多二极管电路

2.11.1含两个二极管电路分析

2.11.2 含三个二极管电路分析

2.12工作在击穿区的二极管

2.12.1负载线分析

2.12.2 分段线性化模型分析

2.12.3 稳压器

2.12.4 考虑稳压二极管齐纳电阻电路分析

2.12.5 电源与负载的稳定性

2.13波整流电路

2.13.1电阻负载的半波整流电.路

2.13.2 滤波电容

2.13.3 有RC负载的半波整流电路

2.13.4 纹波电压与导通间隔

2.13.5 二极管电流

2.13.6 浪涌电流

2.13.7 额定反向峰值电压

2.13.8 二极管功耗

2.13.9 输出负电压的半波整流电路

2.14全波整流电路

2.14.1输出正电压

2.14.2 输出负电压

2.15桥式全波整流

2.16整流电路比较与设计权衡

2.17直流一直流（DC-DC）变换器

2.17.1升压（b00st）变换器

2.17.2 降压（buck）变换器

2.18二极管的动态开关特性

2.19光二极管、太阳能电池与发光二极管

2.19.1光二极管与光探测器

2.19.2 太阳能电池发电

2.19.3 发光二极管（LED）

小结

习题

第3章 场效应管

3.1MOS电容的特性

3.1.1电荷聚集区

3.1.2 电荷耗尽区

3.1.3 电荷反型区

3.2 NMOS管

3.2.1NMOS管伏安特性的定性讨论

3.2.2 NMOS管导通区

3.2.3 导通区电阻

3.2.4 MOSFET压控电阻的应用：压控衰减器；压控高通滤波器

3.2.5 MoSFET伏安特性的饱和区

3.2.6 饱和（夹断）区的数学模型

3.2.7 跨导

3.2.8 沟道长度调制效应

3.2 ，9转移特性与耗尽方式MoSFET

3.2.10体效应或衬底灵敏度

3.3 PMOS管

3.4 MOSFET的电路符号

3.5 MOS管制造与布线设计规则

3.5.1最小化特征尺寸与对准容差

3.5.2 MOS管布线

3.6 MOS管内的电容

3.6.1工作在导通区的NMOS管电容

3.6.2 工作在饱和状态的MOS管电容

3.6.3 工作在截止状态的MOS管电容

3.7 SPICE所用的MOSFET模型

3.8 NMOS场效应管偏置电路分析

3.9 PMOS场效应管偏置电路分析

3.10电流源和MOS电流镜

3.10.1NMOS电流镜的直流分析

3.10.2 MOS电流镜比率的改变

3.10.3 电流镜的输出电阻

3.10.4 电流镜的版图布局

3.10.5 多电流镜

3.11.MOS管的尺寸

3.11.1漏极电流

3.11.2 栅极电容和延迟时间

3.11.3 电路和功率密度

……

第4章 双极型三极管

第5章 小信号放大器

第6章 功率放大器

第7章 运算放大器

第8章 振荡器

第9章 电子控制和电路

第10章 直流稳压电源