电子技术（第2版）

图书标准信息

• 作者 林红；郭典；林晓曦；蒙丹阳；林卫
• 出版社 清华大学出版社
• 出版时间 2022-04
• 版次 2
• ISBN 9787302601722
• 定价 63.00元
• 装帧 其他
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 377页
• 字数 605.000千字

【内容简介】

本书按照1995年教育部（原国家教委）颁发的“高等工业学校电子技术基础课程教学基本要求”，本着简洁、通俗、先进和实用的原则而精心编写。 本书主要内容有半导体二极管及其基本电路、晶体管及其基本放大电路、场效应管及其基本放大电路、反馈放大电路、集成电路运算放大器及其应用、信号产生电路、直流电源、数字电路基础、逻辑代数与逻辑函数、组合逻辑电路、双稳态触发器、时序逻辑电路、数模和模数转换器。 本书每章有小结、习题或思考题，并附有一部分习题答案，便于教学和自学。 本书可作为高等学校和成人高等教育各专业电子技术课程的教材(教学学时为40～70)，本书也可供工程技术人员自学和参考。

【作者简介】

林红，华中科技大学教授，主要研究领域为通信系统、数字电路等。多年来，长期从事高等学校电子和通信类课程和科研工作，出版多部著作。

精彩内容：

    第3章场效应管及其基本放大电路
    由于双极型晶体管工作在放大时，必须保证发结正向导通，故输入端始终存在输入电流。改变输入电流可改变输出电流，所以晶体管是电流控制器件，需要信号源提供的电流才能工作，故其输入电阻较低，通常仅为102～104ω。
    场效应管是一种利用电场效应来控制其导电能力的一种半导体器件，属于电压控制器件。它不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此，场效应管的输入电阻可高达108～1015ω。由于场效应管工作时只有一种载流子(多数载流子)参加导电，故常称为单极型晶体管。场效应管不仅有输入阻抗高、耗电省、寿命长等特点，而且还有体积小、质量轻、噪声低、热稳定好、抗辐能力强和制造工艺简单等优点，因而极大地扩展了它的应用范围，特别是在大规模和超大规模集成电路中得到了广泛的应用。
    根据结构的不同，场效应管可分为两大类： 结型场效应管(junction type field effect tranitorjfet)和金属氧化物半导体场效应管(metalodeemiconductor type field effect tranitor，mofet)。
    本章首先介绍各类场效应管的结构、工作、特曲线及主要参数，然后介绍场效应管的特点和放大电路。
    3.1结型场效应管
    3.1.1结构
    结型场效应管(简称jfet)有两种结构形式。图3.1(a)是一种结型场效应管的结构示意图。它是在一块n型半导体材料的两侧进行高浓度扩散形成两个p区(记作p)构成两个pn结，将这两个p区连在一起引出一个电极，称为栅极(g)，在n型半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极()和漏极(d)，中间的n区为电流流通的路径，称为导电沟道。这种结构的管子称为n沟道结型场效应管，其符号如图3.1
    (b)所示。图中箭头所示方向为pn结的方向。
    如在p型半导体材料两侧各制作一个高浓度的n区，便可形成一个p沟道结型场效应管，其结构和符号如图3.2所示。
    图3.1n沟道结型场效应管
    图3.2p沟道结型场效应管
    3.1.2工作
    图3.3ud=0时，ug对导电沟道的控制作用
    下面以n沟道结型场效应管为例讨论其工作。
    当n沟道结型场效应管处在放大时，在栅、源极之间加反向电压ug，栅极电流ig≈0，场效应管呈现高达107ω以上的输入电阻。而在漏、源极之间加正向电压
    ud，使n沟道中的多数载流子(自由电子)在电场作用下由源极向漏极运动，形成电流id。id的大小受
    ug的控制。因此，讨论结型场效应管的工作是讨论ug对id的控制作用和ud对id的影响。
    1.  ug对导电沟道id的控制作用
    为讨论方便起见，先令ud=0，ug也为0，即为原始，如图3.3(a)所示。
    当ug从0向负值增加时，两个pn结耗尽层加宽，向n沟道中扩展，使得导电沟道变窄、沟道电阻变大，如图3.3(b)所示。当ug增加到等于夹断电压up时，两
    pn结的耗尽层将合拢，沟道被夹断。此时，漏极与源极间的电阻趋向无穷大，如图3.3(c)所示。
    由以上分析可知，改变栅、源电压ug，可改变沟道的电阻值的大小。如在漏、源极之间加正向电压ud，使n沟道中的多数载流子(自由电子)在电场作用下由源极向漏极运动，形成从漏极流向源极的电流(称漏极电流)id。则改变栅、源电压ug可改变漏极电流id，当|ug|增加时，沟道电阻增加，id减小； 反之，id增大。从而实现了利用栅、源电压ug产生的电场来控制导电沟道电流的目的。这是结型场效应管的工作。
    2.  ud对导电沟道id的影响
    事实上，当栅、源极负向电压ug的数值小于up某值时，增加漏、源极之间正向电压ud，漏极电流
    id将随之改变。设ud为零时，id显然为零，如图3.4(a)所示。当漏、源极之间正向电压ud逐渐增加时，沟道电场强度加大，漏极电流id迅速加大，但是，由于漏极电流id沿沟道产生的电压使得沟道上各点与栅极间的电压不再是相等的，漏极处的电压优选，随着电位的降低在源极处的电压小。这使得沟道两侧的耗尽层沿着从源极到漏极的方向逐渐变宽，而在漏极附近导电沟道窄，导电沟道呈楔形，如图3.4(b)所示。所以从这方面来说，增加ud，又产生了阻碍漏极电流id提高的因素。但在ud较小时，导电沟道靠近漏端区域仍较宽，这时阻碍的因素是次要的，故id随ud升高几乎成正比地随着ud增大。由于ug保持不变，ud增大，使|ugd|随之增大，当ud增大到使|ugd|等于|up|时，在漏极附近两侧的耗尽层开始合拢于a点，如图3.4(c)所示，这种情况称为预夹断，此时有
    ugd=ugud(3.1）
    图3.4ug时，ud对导电沟道的影响
    若ug=0，ugd=ud=up，对应于图3.5(a)，id达到了饱和漏极电流id，id下标中的第二个表示栅、源极间短路的意思。当ud再继续增加时，耗尽区的合拢点a将从漏极开始向源极方向延伸(即夹断电压增长)，如图3.4(d)所示。但由于夹断处场强也增大，仍能将电子拉过夹断区(即耗尽层)，形成漏极电流，这和npn型晶体管在集电结反

【目录】

绪论

0.1  电子技术发展概况

0.2  电子技术及其相关概念

0.3  本课程的质、任务与重点

0.4  本课程的特点和学方法

章  半导体二极管及其基本电路

1.1  半导体的基础知识

1.1.1  本征半导体

1.1.2  杂质半导体

1.1.3  pn结

1.2  半导体二极管

1.2.1  半导体二极管的结构和符号

1.2.2  伏安特

1.2.3  主要参数

1.3  二极管基本电路及分析方法

1.3.1  二极管伏安特的建模

1.3.2  限幅电路

1.3.3  开关电路

1.4  稳压二极管

1.4.1  稳压二极管的伏安特及工作

1.4.2  稳压管的主要参数

1.5  特殊二极管

1.5.1  发光二极管

1.5.2  变容二极管

1.5.3  光电二极管

小结

题

第2章  晶体管及其基本放大电路

2.1  晶体管

2.1.1  基本结构

2.1.2  晶体管的电流放大作用

2.1.3  晶体管的特曲线

2.1.4  主要参数

2.1.5  温度对晶体管特的影响

2.2  共极放大电路

2.2.1  放大电路的组成

2.2.2  共极基本放大电路的工作

2.2.3  直流通路和交流通路

2.2.4  放大电路的基本能指标

2.3  图解分析法

2.3.1  静态分析

2.3.2  动态分析

2.3.3  非线失真

2.4  微变等效电路分析法

2.4.1  晶体管微变等效电路

2.4.2  微变等效电路动态分析法

2.5  放大电路静态工作点的稳定问题

2.5.1  稳定

2.5.2  动态分析

2.6  共集电极放大电路

2.6.1  静态分析

2.6.2  动态分析

2.7  多级放大电路

2.7.1  多级放大电路的组成

2.7.2  多级放大电路的耦合方式

2.7.3  多级放大电路的能指标计算

2.8  功率放大电路

2.8.1  功率放大电路的特点

2.8.2  功率放大电路的工作方式

2.8.3  互补对称功率放大电路

2.9  放大电路的频率特

2.9.1  频率特的概念

2.9.2  线失真

2.9.3  晶体管的频率参数

小结

题

第3章  场效应管及其基本放大电路

3.1  结型场效应管

3.1.1  结构

3.1.2  工作

3.1.3  特曲线

3.1.4  主要参数

3.2  金属氧化物半导体场效应管

3.2.1  n沟道增强型mos场效应管

3.2.2  n沟道耗尽型mos场效应管

3.2.3  p沟道mos场效应管

3.2.4  mos场效应管的主要参数

3.3  场效应管的特点

3.4  场效应管放大电路

3.4.1  场效应管的直流偏置电路

3.4.2  静态分析

3.4.3  场效应管的微变等效电路

3.4.4  动态分析

小结

题

第4章  反馈放大电路

4.1  反馈的基本概念与分类

4.1.1  反馈的定义

4.1.2  反馈类型及其判定

4.1.3  负反馈放大器的四种基本组态

4.2  负反馈对放大电路能的改善

小结

题

第5章  集成电路运算放大器及其应用

5.1  差动放大电路

5.1.1  基本差动放大电路

5.1.2  恒流源差动放大电路

5.2  复合管电路

5.3  集成运算放大器

5.3.1  集成运算放大器组成

5.3.2  集成电路运算放大器的主要参数

5.3.3  集成运算放大器的低频等效电路

5.4  集成电路运算放大器的应用

5.4.1  比例运算电路

5.4.2  加法运算电路

5.4.3  减法运算电路

5.4.4  积分电路与微分电路

5.4.5  测量放大器

5.4.6  电压比较器

小结

题

第6章  信号产生电路

6.1  正弦波信号发生器

6.1.1  自激振荡的基本

6.1.2  rc正弦振荡器

6.1.3  lc型正弦波信号发生器

6.1.4  石英晶体振荡器

6.2  非正弦波发生器

6.2.1  方波发生器

6.2.2  三角波发生器

6.2.3  锯齿波发生器

小结

题

第7章  直流电源

7.1  单相整流电路

7.1.1  单相半波整流电路

7.1.2  单相桥式整流电路

7.2  滤波电路

7.2.1  电容滤波电路

7.2.2  电感滤波电路

7.3  稳压电路

7.3.1  稳压电路的能指标

7.3.2  并联稳压电路

7.3.3  串联稳压电路

7.3.4  集成稳压电路

小结

题

第8章  数字逻辑电路基础知识

8.1  数字电路的特点

8.2  数制

8.2.1  十进制

8.2.2  二进制

8.2.3  十六进制

8.2.4  不同进制数的表示符号

8.2.5  不同进制数之间的转换

8.3  码制

8.3.1  自然二进制代码

8.3.2  二十进制代码

8.3.3  ascii码

8.4  基本逻辑运算及逻辑门

8.4.1  与逻辑运算及与门电路

8.4.2  或逻辑运算及或门电路

8.4.3  非逻辑运算及非门电路

8.4.4  复合逻辑门

8.4.5  正逻辑和负逻辑

8.5  ttl数字集成逻辑门电路

8.5.1  基本ttl与非门工作

8.5.2  ttl与非门的技术参数

8.5.3  ttl集电极开路门

8.5.4  三态门

……