50年代（和平）彩色日记本
￥ 1000 九五品
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北京朝阳
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作者上海
年代新中国 (1949-1955)
页数200页
尺寸17 × 13 cm
货号20181008
上书时间2018-10-09
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曾世铭
曾世铭，男，汉族，1933年7月19日出生于江苏省徐州市，祖籍云南，美国国籍，中国半导体硅材料的技术专家。
1955年毕业于云南大学和昆明工学院有色冶金系，分配至北京有色金属研究总院，教授级高级工程师。
研究贡献
长期从事半导体级直拉硅单晶、区熔硅单晶和太阳电池级硅单晶的科研开发及生产工作，是我国半导体硅单晶制备技术的主要开拓者之一。先后研制出我国第一根半导体硅单晶、基座法硅单晶，成功研制出细硅芯拉制工艺，填补我国空白，为我国的多晶硅生产和发展作出重大贡献。
工作经历
1951－1955年 云南大学和昆明工学院冶金系学习并毕业
1955－1980年 北京有色金属研究总院任技术员和课题组长
1981－1987年 北京有色金属研究总院高级工程师
1987－1996年 北京有色金属研究总院教授级高级工程师
1991年 北京市政府专业顾问团顾问
1996－1998年 受聘于美国KAYEX公司，担任其北京代表处的首席代表
2000－2003年 受聘于锦州新日硅公司任总工程师
2007－2010年 受聘于常州恒能光电公司任技术总监
2010－至 今 受聘于江西旭阳雷迪高科技股份有限公司任首席单晶研究员[1]
成就及荣誉
成就
1．1956年，在中国科学院参与半导体锗单晶的拉制技术研究工作；
2．1958年5月，在北京有色金属研究总院拉制出冶金部系统的第一根锗单晶；
3．1958年11月，拉制出中国第一根半导体硅单晶；
4．1963年9月，开发成功细硅芯拉制工艺，填补我国空白，当时仅德国和日本有此工艺，此项技术推广
全国为我国的多晶硅生产发展作出重大贡献；
5．1964年5月, 拉制出中国第一根基座法硅单晶；
6．1966年至1976年，由有研总院委派至洛阳单晶硅厂和总政2602工厂负责单晶生产的技术工作；
7．1978年，掌握了硅单晶控氧、降碳技术，提高了电路级硅单晶质量；
8．80年代，在国内率先研制成功大直径重掺锑、重掺砷的硅单晶；
9．2008年，在国内率先解决太阳能级硅单晶电池衰减问题；
10．2011年，在旭阳雷迪指导单晶部拉制出业界Φ8〞P型最长硅单晶棒，并保持行业纪录；
荣誉
1．共获得国家级、部级科技进步奖十余项，多次荣立有研总院个人二等功和三等功，发表论文几十余篇；
2．1981年首批晋升为有研总院高级工程师；
3．1988年首批晋升为有研总院教授级高级工程师；
4．1991年首批获得国务院颁发的政府特殊津贴[2]；
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