半导体锗材料与器件

图书标准信息

• 作者 [比]克莱、[比]西蒙 著；屠海令 译
• 出版社 冶金工业出版社
• 出版时间 2010-04
• 版次 1
• ISBN 9787502451752
• 定价 70.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 392页
• 字数 467千字
• 正文语种 简体中文

【内容简介】

《半导体锗材料与器件》是全面深入探讨这一技术领域的首部著作，其内容涵盖了半导体锗技术研究的最新进展，阐述了锗材料科学、器件物理和加工工艺的基本原理。作者系来自科学界及工业界从事该领域前沿研究的国际知名专家。
《半导体锗材料与器件》还介绍了锗在光电子学、探测器以及太阳能电池领域的工业应用。它对从事半导体器件与材料物理研究的科技人员、高等院校材料专业的师生以及工业和研究领域的工程师们而言，是一部必不可少的参考书，无论是专家还是初学者都将从《半导体锗材料与器件》中受益。锗是研发晶体管技术的基础性半导体材料，近年来，由于其在微纳电子学领域的潜在优势，半导体锗材料又重新受到人们的关注。

【目录】

0导论
0.1引言
0.2历史沿革和重大事件
0.3锗用作新型超大规模集成电路（ULSI）衬底：机遇与挑战
0.4本书梗概
参考文献

1锗材料
1.1引言
1.2体锗片的制备
1.2.1锗原材料：供应及生产流程
1.2.2锗晶体生长
1.2.3锗片制造
1.3GOI衬底
1.3.1背面研磨SOI
1.3.2以薄层转移技术制备GOI衬底
1.4结论
参考文献

2锗中长入缺陷
2.1引言
2.2锗中本征点缺陷
2.2.1本征点缺陷特性的模拟
2.2.2有关空位特性的实验数据
2.2.3Voronkov模型对锗的应用
2.3非本征点缺陷
2.3.1掺杂剂
2.3.2中性点缺陷
2.3.3碳
2.3.4氢
2.3.5氧
2.3.6氮
2.3.7硅
2.4直拉生长过程中位错的形成
2.4.1热模拟
2.4.2机械应力的发生
2.4.3锗的力学性质
2.4.4拉晶过程中的位错成核和增殖
2.4.5锗中位错的电学影响
2.5点缺陷团
2.5.1空位团的实验观察
2.5.2空位团形成的模型和模拟
2.6结论
参考文献

3锗中掺杂剂的扩散和溶解度
3.1引言
3.2半导体中的扩散
3.2.1扩散机制
3.2.2自扩散
3.3锗中的本征点缺陷
3.3.1淬火
3.3.2辐照
3.4在锗和硅中的自扩散和Ⅳ族原子扩散
3.4.1放射性示踪实验
3.4.2锗中同位素作用和Ⅳ族元素的扩散
3.4.3掺杂和压力的影响
3.4.4锗在硅中的扩散
3.5锗中杂质的溶解度
3.6锗中Ⅲ、Ⅴ族掺杂剂的扩散
3.6.1Ⅲ族受主的扩散
3.6.2V族施主的扩散
3.6.3锗中掺杂电场对掺杂扩散的作用
3.6.4小结
3.7结论
参考文献

4锗中氧
4.1引言
4.2间隙氧
4.2.1氧浓度的测量
4.2.2扩散率和溶解度
4.2.3振动谱结构和缺陷模型
4.3TDs和氧二聚物
4.3.1TDs的电子态
4.3.2TDs的振动谱
4.3.3氧二聚物的振动谱
4.4氧沉淀的红外吸收
4.5空位.氧缺陷
4.6结论
参考文献

5锗中金属
5.1引言
5.2锗中的铜杂质
5.2.1分配系数Kd
5.2.2锗中铜原子结构
5.2.3游离铜的扩散机理
5.2.4掺杂浓度对铜扩散和溶解度的影响
5.2.5锗中铜扩散Kick-0ut机理
5.2.6锗中铜的沉淀
5.2.7替位铜的能级和俘获截面
5.2.8间隙铜原子与Cu-Cui原子对的能级
5.2.9铜对锗中载流子寿命的影响
5.3锗中的银、金和铂
5.3.1分凝系数、溶解度和扩散系数
5.3.2能级和俘获截面
5.3.3对载流子寿命的影响
5.4锗中的镍
5.4.1镍在锗中的溶解度和扩散率
5.4.2镍在锗中的能级和俘获截面
5.4.3对载流子寿命的影响
5.5锗中的过渡金属
5.5.1铁
5.5.2钴
5.5.3锰
5.5.4其他金属
5.6锗中金属性能的化学趋势
5.6.1电学性能
5.6.2锗中金属的光学性质
5.6.3影响锗中载流子寿命的因素
5.7结论
参考文献

6锗中缺陷从头计算的建模
6.1引言
6.2量子力学方法
6.3Kohn-Sham能级和占据能级
6.4形成能、振动模和能级
6.5锗中的缺陷模拟
6.6锗中的缺陷
6.6.1锗中的空位和双空位
6.6.2自间隙
6.6.3氮缺陷
6.6.4锗中的碳
6.6.5锗中的氧
6.6.6热施主
6.6.7锗中的氢
6.7缺陷的电学能级
……
7锗中辐射缺陷及行为
8锗器件的电学性能
9器件模拟
10纳米尺度锗MOS栅介质和MOS结
11先进的锗MOS器件
12锗的其他应用
13发展趋势与展望
附录