半导体材料 第二版

图书标准信息

• 作者 杨树人 著
• 出版社 科学出版社
• 出版时间 2004-04
• 版次 2
• ISBN 9787030128171
• 定价 26.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 264页
• 字数 333千字
• 正文语种 简体中文

【内容简介】

《半导体材料（第2版）》是为大学本科与半导体相关的专业编写的教材。《半导体材料（第2版）》介绍主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理，工艺和特性的控制等。全书分11章：第1章为硅和锗的化学制备；第2章为区熔提纯；第3章为晶体生长；第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷；第5章为硅外延生长；第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体；第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长；第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体；第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体；第10章为氧化物半导体材料；第11章为其他半导体材料。
《半导体材料（第2版）》也可以作为从事与半导体相关研究工作的科研人员和相关专业研究生的参考书。

【目录】

再版前言
前言
绪论

第1章硅和锗的化学制备
1-1硅和锗的物理化学性质
1-2高纯硅的制备
1-3锗的富集与提纯

第2章区熔提纯
2-1分凝现象与分凝系数
2-2区熔原理
2-3锗的区熔提纯

第3章晶体生长
3-1晶体生长理论基础
3-2熔体的晶体生长
3-3硅、锗单晶生长

第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷
4-1硅、锗晶体中杂质的性质
4-2硅、锗晶体的掺杂
4-3硅、锗单晶的位错
4-4硅单晶中的微缺陷

第5章硅外延生长
5-1外延生长概述
5-2硅的气相外延生长
5-3硅外延层电阻率的控制
5-4硅外延层的缺陷
5-5硅的异质外延

第6章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
6-1Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性
6-2砷化镓单晶的生长方法
6-3砷化镓单晶中杂质的控制
6-4砷化镓单晶的完整性
6-5其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备

第7章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长
7-1气相外延生长（VPE）
7-2金属有机物气相外延生长（MOVPE）
7-3液相外延生长（LPE）
7-4分子束外延生长（MBE）
7-5化学束外延生长（CBE）
7-6其他外延生长技术

第8章Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体
8-1异质结与晶格失配
8-2GaAlAs外延生长
8-3InGaN外延生长
8-4InGaAsP外延生长
8-5超晶格与量子阱
8-6应变超晶格
8-7能带工程

第9章Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
9-1Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备
9-2Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象
9-3Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料
9-4Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料

第10章氧化物半导体材料
10-1氧化物半导体材料的制备
10-2氧化物半导体材料的电学性质
10-3氧化物半导体材料的应用

第11章其他半导体材料
11-1窄带隙半导体
11-2黄铜矿型半导体
11-3纳米晶材料
11-4非晶态半导体材料
11-5有机半导体材料

参考文献