半导体制造基础

图书标准信息

• 作者 [美]梅、[美]施敏 著；代永平 译
• 出版社 人民邮电出版社
• 出版时间 2007-11
• 版次 1
• ISBN 9787115166395
• 定价 45.00元
• 装帧 平装
• 开本 其他
• 纸张 胶版纸
• 页数 268页

【内容简介】

《半导体制造基础》在简要介绍半导体制造流程的基础上，着力从理论和实践两个方面对晶体生长、硅氧化、光刻、刻蚀、扩散、离子注入和薄膜淀积等主要制备步骤进行详细探讨。《半导体制造基础》所有内容的讲解都结合了计算机仿真和模拟工具，并将工艺模拟作为问题分析与讨论的工具。
《半导体制造基础》可作为高等院校微电子和材料科学等专业高年级本科生或者一年级研究生的教材。

【作者简介】

GaryS.May，半导体制造领域的世界级专家，IEEE会士，现任佐治亚理工学院电子和计算机工程学院院长、教授。May于1991年获得加州大学伯克利分校博士学位，此后任职于贝尔实验室和麦道公司。曾担任半导体领域权威期刊IEEETransactionsofSemiconductormanufacturing主编。

【目录】

第1章概述
1.1半导体材料
1.2半导体器件
1.3半导体工艺技术
1.3.1关键半导体技术
1.3.2技术趋势
1.4基本制造步骤
1.4.1氧化
1.4.2光刻和刻蚀
1.4.3扩散和离子注入
1.4.4金属化
1.5小结
参考文献
第2章晶体生长
2.1从熔体生长硅单晶
2.1.1初始原料
2.1.2Czpcjralslo法
2.1.3杂质分布
2.1.4有效分凝系数
2.2硅悬浮区熔法
2.3GaAs晶体生长技术
2.3.1初始材料
2.3.2晶体生长技术
2.4材料特征
2.4.1晶片整形
2.4.2晶体特征
2.5小结
参考文献
习题
第3章硅氧化
3.1热氧化方法
3.1.1生长动力学
3.1.2薄氧化层生长
3.2氧化过程中杂质再分布
3.3二氧化硅掩模特性
3.4氧化层质量
3.5氧化层厚度表征
3.6氧化模拟
3.7小结
参考文献
习题
第4章光刻
4.1光学光刻
4.1.1超净间
4.1.2曝光设备
4.1.3掩模
4.1.4光致抗蚀剂
4.1.5图形转移
4.1.6分辨率增强工艺
4.2下一代光刻方法
4.2.1电子束光刻
4.2.2极短紫外光刻
4.2.3X射线光刻
4.2.4离子束光刻
4.2.5各种光刻方法比较
4.3光刻模拟
4.4小结
参考文献
习题
第5章刻蚀
第6章扩散
第7章离子注入
第8章薄膜淀积
第9章工艺集成
第10章IC制造
第11章未来趋势和挑战
附录A符号表
附录B国示单位制
附录C单位词头
附录D希腊字母表
附录E物理常数
附录F300K时Si和GaAs的性质
附录G误差函数的一些性质
附录H气体基本动力学理论
附录ISUPREM命令
附录J运行PROLITH
附录Kt分布的百分点
附录LF分布的百分点
索引