硅超大规模集成电路工艺技术

图书标准信息

• 作者 [美]普卢默 著；严利人 译
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2005-12
• 版次 1
• ISBN 9787121019876
• 定价 68.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 618页
• 字数 1050千字

【内容简介】

　　本书是美国斯坦福大学电气工程系“硅超大规模集成电路制造工艺”课程所使用的教材，该课程是为电气工程系微电子学专业的四年级本科生及一年级研究生开设的一门专业课。本书最大的特点是，不仅详细介绍了与硅超大规模集成电路芯片生产制造相关的实际工艺技术，而且还着重讲解了这些工艺技术背后的科学原理。特别是对于每一步单项工艺技术，书中都通过工艺模型和工艺模拟软件，非常形象直观地给出了实际工艺过程的物理图像。同时全书还对每一步单项工艺技术所要用到的测量方法做了详细的介绍，对于工艺技术与工艺模型的未来发展趋势也做了必要的分析讨论。另外，本书每一章后面都附有相关内容的参考文献，同时还附有大量习题。
　　对于我国高等院校微电子学专业的教师及学生，本书是一本不可多得的优秀教材和教学参考书，并可供相关领域的工程技术人员学习参考。

【作者简介】

James D.Plummer,于美国斯坦福大学获得电气工程博士学位。目前是斯坦福大学电气工程系教授。他已撰写或与人合作撰写了300多篇技术论文，并于1991年获得了电化学协会颁发的“固态科学与技术奖”。1996年，他被选入了美国国家工程院。目前致力于硅设备与技术方面的研究。

【目录】

第1章引言及历史展望
1.1引言
1.2集成电路与平面工艺——促成集成电路产生的几项关键发明
1.3半导体的基本特性
1.4半导体器件
1.4.1PN结二极管
1.4.2MOS晶体管
1.4.3双极型晶体管
1.5半导体工艺技术的发展历程
1.6现代科学发现——实验、理论与计算机模拟
1.7本书的内容安排
1.8本章要点小结
1.9参考文献
1.10习题
第2章现代CMOS工艺技术
2.1引言
2.2CMOS工艺流程
2.2.1CMOS工艺流程
2.2.2有源区的形成
2.2.3用于器件隔离的可选工艺方案——浅槽隔离
2.2.4N阱和P阱的形成
2.2.5用于制备有源区和阱区的可选工艺方案
2.2.6栅电极的制备
2.2.7前端或延伸区（LDD）的形成
2.2.8源漏区的形成
2.2.9接触与局部互连的形成
2.2.10多层金属互连的形成
2.3本章要点小结
2.4习题
第3章晶体生长、晶圆片制造与硅晶圆片的基本特性
3.1引言
3.2历史发展和基本概念
3.2.1单晶结构
3.2.2晶体中的缺陷
3.2.3原料与提纯
3.2.4直拉和区熔单晶的生长方法
3.2.5圆片的准备和规格
3.3制造方法和设备
3.4测量方法
3.4.1电学测试
3.4.2物理测量
3.5模型和模拟
3.5.1直拉法单晶生长
3.5.2CZ单晶生长期间的掺杂
3.5.3区域精炼与区熔（FZ）生长
3.5.4点缺陷
3.5.5硅中的氧
3.5.6硅中碳
3.5.7模拟
3.6技术和模型的限制及未来趋势
3.7本章要点小结
3.8参考文献
3.9习题
第4章半导体制造——洁净室、晶圆片清洗与吸杂处理
4.1引言
4.2历史的发展与几个基本概念
4.2.1第一个层次的污染降低:超净化工厂
4.2.2第二个层次的污染降低:晶圆片清洗
4.2.3第三个层次的污染降低:吸杂处理
4.3制造方法与设备
4.3.1第一个层次的污染降低:超净化工厂
4.3.2第二个层次的污染降低:晶圆片清洗
4.3.3第三个层次的污染降低:吸杂处理
4.4测量方法
4.4.1第一个层次的污染降低:超净化工厂
4.4.2第二个层次的污染降低:晶圆片清洗
4.4.3第二个层次的污染降低:吸杂处理
4.5模型与模拟（模型化方法与模拟技术）
4.5.1第一个层次的污染降低:超净化工厂
4.5.2第二个层次的污染降低:晶圆片清洗
4.5.3第三个层次的污染降低:吸杂处理
4.6工艺技术与模型方面的限制因素及未来的发展趋势
4.7本章要点小结
4.8参考文献
4.9习题
第5章光刻
第6章热氧化和Si-SiO2界面
第7章扩散
第8章离子注入
第9章薄膜淀积
第10章刻蚀
第11章后端工艺
附录
术语表