碳化硅技术基本原理(日)木本恒畅,(美)詹姆士A.库珀(James A.Cooper) 著;夏经华 等 译2018-05-01
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作者(日)木本恒畅,(美)詹姆士A.库珀(James A.Cooper) 著;夏经华 等 译
出版社机械工业出版社
ISBN9787111586807
出版时间2018-05
装帧平装
开本16开
定价150元
货号1201693116
上书时间2023-05-26
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商品详情
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作者简介
木本恒畅，日本京都大学电子科学与工程系的教授。他的主要科研活动包括SiC的外延生长、光学和电学特性表征、缺陷电子学、离子注入、金属-氧化物-半导体（MOS）物理和高电压器件。此外，他也参与了在纳米级的硅、锗器件、非易失存储器中用新型材料，以及基于氮化镓（GaN）的电子器件方面的研究。
詹姆士A.库珀，美国普渡大学电气与计算机工程学院的一位半导体界的元
老级人物。
目录
译者序
原书前言
原书作者简介
第1章 导论1
1.1 电子学的进展1
1.2 碳化硅的特性和简史3
1.2.1 早期历史3
1.2.2 SiC晶体生长的革新4
1.2.3 SiC功率器件的前景和展示5
1.3 本书提纲6 参考文献7
第2章 碳化硅的物理性质10
第3章 碳化硅晶体生长36
第4章 碳化硅外延生长70
第5章 碳化硅的缺陷及表征技术117
第6章 碳化硅器件工艺177
第7章 单极型和双极型功率二极管262
第8章 单极型功率开关器件286
第9章 双极型功率开关器件336
9.1 双极结型晶体管（BJT） 336
9.1.1 内部电流337
9.1.2 增益参数338
9.1.3 端电流340
9.1.4 电流－电压关系341
9.1.5 集电区中的大电流效应：饱和和准饱和343
9.1.6 基区中的大电流效应：Rittner效应347
9.1.7 集电区的大电流效应：二次击穿和基区扩散效应351
9.1.8 共发射极电流增益：温度特性353
9.1.9 共发射极电流增益：复合效应353
9.1.10 阻断电压355
9.2 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 356
9.2.1 电流－电压关系357
9.2.2 阻断电压367
9.2.3 开关特性368
9.2.4 器件参数的温度特性373
9.3 晶闸管375
9.3.1 正向导通模式377
9.3.2 正向阻断模式和触发381
9.3.3 开通过程386
9.3.4 dV／dt触发388
9.3.5 dI／dt的389
9.3.6 关断过程390
9.3.7 反向阻断模式397
参考文献397
第10章 功率器件的优化和比较398
第11章 碳化硅器件在电力系统中的应用425
第12章 专用碳化硅器件及应用466
附录490
附录A 4H－SiC中的不接近杂质电离490
参考文献494
附录B 双曲函数的性质494
附录C 常见SiC多型体主要物理性质497
C.1 性质497
C.2 主要物理性质的温度和／或掺杂特性498
参考文献499
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