衍射极限附近的光刻工艺
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作者伍强等编著
出版社清华大学出版社
ISBN9787302537427
出版时间2020-02
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数653页
字数1027千字
定价168元
货号SC:9787302537427
上书时间2024-12-22
商品详情
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主编推荐:
"集成电路产业是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。光刻工艺是集成电路制造业核心工艺技术之一，在集成电路的诸多领域，扮演着不可或缺的重要作用。
《衍射极限附近的光刻工艺》以光刻工艺为主线，将光刻设备、光刻材料、光刻成像的理论计算、光刻工艺中各种建模思想和推导，芯片制造的技术发展要求，以及对光刻工艺各项参数的要求紧密地联系在一起，为读者展现一个整体的图景。
本书是一部极具深度和广度的光刻工艺技术著作，覆盖多学科领域，体系结构完整，内容系统全面，数据资料翔实，论述严谨，可读性强。本书的出版将帮助读者全面、深入地了解光刻技术，推动光刻技术各领域的交流和协同，促进人才培养、技术进步和产业发展。
伍强博士等作者是随着半导体产业的发展成长起来的资深光刻技术专家，不仅有深厚的学术根基，还有丰富的产业经验，他们带领的团队多年来在国内外多家很好公司一线工作，掌握了业界领先的制造工艺。他们处理实际问题的经验以及从产业出发的独特技术视角，将给读者带来启发和帮助。本书理论与实际相结合，紧跟国际技术前沿，填补国内外相关图书空白。
"
内容简介:
为了应对我国在集成电路领域，尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局面，破解光刻制造设备、材料和光学邻近效应修正软件几乎接近依赖进口的困境，作为从事光刻工艺研发近20年的资深研发人员，作者肩负着协助光刻设备、材料和软件等产业链共同研发和发展的责任，将近20年的学习成1和研发经验汇编成书，建立联系我国集成电路芯片的研发和制造，设备、材料和软件的研发，以及大专院校、科研院所的科学技术研究、人才培养的一座桥梁。本书以光刻工艺为主线，有机地将光刻设备、光刻材料、光刻成像的理论计算、光刻工艺中各种建模思想和推导、芯片制造的技术发展要求以及对光刻工艺各项参数的要求紧密地联系在一起，给读者一个整体的图景。本书可供光刻技术领域科研院所的研究人员、大专院校的教师和学生、集成电路工厂的工程技术人员等参考。
目录:
第1章光刻技术引论
1.1集成电路简史
1.2我国集成电路的发展简史(1958年—20世纪90年代)
1.3我国成像镜头的发展简史和我国数码相机的近期新成果
1.4光刻机的发展简史和我国光刻机的发展简史
1.5我国光刻胶的发展简史和近期新进展
1.6光刻工艺使用的其他设备的发展和我国的发展
1.7光刻工艺的仿真计算发展包括光学邻近效应修正的发展
1.8极紫外光刻的发展和导向自组装的发展
结语
引文
第2章光刻工艺概览
2.1光刻的整体技术要点
2.2光刻工艺的流程
2.2.1第一步：气体硅片表面预处理
2.2.2第二步：旋涂光刻胶，抗反射层
2.2.3第三步：曝光前烘焙
2.2.4第四步：对准和曝光
2.2.5第五步：曝光后烘焙
2.2.6第六步：显影和冲洗
2.2.7第七步：显影后烘焙，坚膜烘焙
2.2.8第八步：测量
2.3光刻工艺使用的设备
2.3.1光刻机
2.3.2涂胶显影一体机
2.4光刻工艺使用的材料：光刻胶、抗反射层、填隙材料
2.5光刻工艺的一整套建立方法，包括确定各种膜厚、照明条件、工艺窗口等
思考题
引文
第3章光学成像原理及分辨率
3.1光学成像原理
3.2分辨率的定义：瑞利判据、全宽半高定义
3.3部分相干光的成像理论：照明条件中的部分相干性
3.4光学照明系统的结构和功能：科勒照明方式
3.5光学成像的傅里叶变换
思考题
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