VLSI设计基础(第3版)
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作者李伟华
出版社电子工业出版社
ISBN9787121205910
出版时间2013-06
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数288页
字数540千字
定价39元
货号SC:9787121205910
上书时间2024-12-22
商品详情
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内容简介:
本教材为“普通高等教育‘十一五’重量规划教材”，全书共有10章。第1~3章重点介绍了VLSI设计的大基础，包括三个主要部分：信息接收、传输、处理体系结构及与相关硬件的关系； MOS器件、工艺、版图等共性基础，以及设计与工艺接口技术、规范与应用。第4~6章介绍了数字VLSI设计的技术与方法，其中第6章以微处理器为对象，综合介绍了数字系统设计方法的具体应用。第7章介绍了数字系统的测试问题和可测试性设计技术。第8章介绍了VLSIC中的模拟单元和变换电路的设计技术。第9章介绍了微机电系统（MEMS）及其在系统集成中的关键技术。第10章主要介绍了设计系统、HDL，对可制造性设计（DFM）的一些特殊问题进行了讨论。
本书可作为高等学校电类专业本科生“VLSI设计技术基础”课程教材，注重相关理论的结论和知识的应用，内容深入浅出。本教材也可作为微电子专业硕士研究生VLSI系统设计技术的参考书。同时，因本教材中涉及了较多的工程设计技术，也可供有关专业的工程技术人员参考。
目录:
第1章 VLSI设计概述
1.1 系统及系统集成
1.1.1 信息链
1.1.2 模块与硬件
1.1.3 系统集成
1.2 VLSI设计方法与管理
1.2.1 设计层次与设计方法
1.2.2 复杂性管理
1.2.3 版图设计理念
1.3 VLSI设计技术基础与主流制造技术
1.4 新技术对VLSI的贡献
1.5 设计问题与设计工具
1.6 一些术语与概念
1.7 本书主要内容与学习方法指导
练习与思考一
第2章 MOS器件与工艺基础
2.1 MOS晶体管基础
2.1.1 MOS晶体管结构及基本工作原理
2.1.2 MOS晶体管的阈值电压VT
2.1.3 MOS晶体管的电流―电压方程
2.1.4 MOS器件的平方律转移特性
2.1.5 MOS晶体管的跨导gm
2.1.6 MOS器件的直流导通电阻
2.1.7 MOS器件的交流电阻
2.1.8 MOS器件的优选工作频率
2.1.9 MOS器件的衬底偏置效应
2.1.10 CMOS结构
2.2 CMOS逻辑部件
2.2.1 CMOS倒相器设计
2.2.2 CMOS与非门和或非门的结构及其等效倒相器设计方法
2.2.3 其他CMOS逻辑门
2.2.4 D触发器
2.2.5 内部信号的分布式驱动结构
2.3 MOS集成电路工艺基础
2.3.1 基本的集成电路加工工艺
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