分子器件非弹性电子隧穿谱的理论研究
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作者邹斌 著作
出版社中央民族大学出版社
ISBN9787566003447
出版时间2013-07
版次1
装帧平装
开本32开
纸张胶版纸
页数181页
字数180千字
定价22元
货号SC:9787566003447
上书时间2024-12-03
商品详情
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内容简介:
本书主要介绍了分子器件非弹性电子隧穿谱的研究现状，以及计算其隧穿谱的一种理论方法。主要是在量子化学计算的基础上，充分考虑了非弹射散射过程，发展了一整套基于第一性原理的计算分子器件非弹性电子隧穿谱的计算方法，并与他人的理论和实验结果进行了比较。本书适合物理、化学等不同专业背景从事，也可作为相关专业研究生的教学科研参考书。
目录:
第一章分子器件非弹性电子隧穿谱简介.....................（1)
1非弹性电子隧穿谱介绍....................................（2)
1.1.1非弹性电子隧穿谱的测量原理.....................（3)
1.1.2非弹性电子隧穿谱的特点...........................（5)
2分子器件非弹性电子隧穿谱的产生与发展............（7)
3目前存在的问题和本书的主要工作..................（16)
1.3.1目前存在的问题....................................（16)
1.3.2解决方案和本书的工作...........................（17)
章密度泛函理论.............................................（28)
1 Hohenberg - Kohn定理....................................(30)
2 Kohn -Sham方程..........................................(33)
3交换关联泛函.............................................（35)
2.3. 1局域密度近似泛函（LDA) ........................ (36)
2.3.2广义梯度近似泛函（GGA) ........................ (38)
2.3.3 杂化密度泛函
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