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极紫外光刻

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作者(美)哈利·杰·莱文森

出版社上海科学技术出版社

ISBN9787547857212

出版时间2022-09

版次1

装帧平装

开本16开

纸张胶版纸

页数220页

字数250千字

定价128元

货号SC:9787547857212

上书时间2024-09-16

文源文化

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品相描述:全新
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商品描述
作者简介:

哈利•杰•莱文森(Harry J.Levinson),国际光学工程学会(SPIE)会士,HJL Lithography 的独立光刻顾问和首席光刻师,专注于光刻领域多年。曾在Sierra Semiconductor和IBM担任过职位。曾将光刻应用于许多不同的技术,包括双极存储器、64MB和256MB DRAM开发、专用集成电路芯片制造、磁记录薄膜磁头、闪存和逻辑芯片等。曾数年担任美国光刻技术工作组主席,参与制定了《国际半导体技术路线图》中有关光刻技术的章节。他是硅谷首批SVG-5倍步进式光刻机的用户之一,也是248nm、193nm和极紫外光刻的早期参与者;撰写的著作还有:《光刻工艺控制》《光刻原理》,拥有70多项美国专利。 高伟民,阿斯麦公司(ASML)中国区技术总监,资深的光刻技术专家。获浙江大学光学工程学士学位和比利时鲁汶大学物理学硕士、博士学位,先后就职于比利时微电子研发中心(IMEC)和美国新思科技(Synopsys)。专注光刻技术研发,浸润光刻技术研发20年,参与了从0.13μm到5nm节点的多世代芯片光刻技术开发,拥有15年极紫外光刻技术研发的丰富经验。还在各种国际期刊和会议上发表了100多篇论文,担任多个国际会议组委并多次作邀请演讲。


主编推荐:

"1. 本书概况 极紫外光刻是光刻里的技术,它是7nm及以下芯片制造的核心的技术关键。本书综合地介绍了极紫外光刻技术相关联的各个重要方面及其发展历程,不仅论述了极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模版、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻的技术内容,而且还讨论了极紫外光刻生态系统的其他重要方面。 2.本书特色 (1)本书是一本论述极紫外光刻技术的新的专著,有关极紫外光刻技术许多新的研发内容都有所介绍和讨论。 (2)目前尚没有一本中文版的有关极紫外光刻技术的专门论著或译著,对于从事芯片领域的从业技术人员,这是一本非常及时且内容丰富的参考书。 (3)本书从内容上看新颖又全面,从形式上看详实又精炼。"


内容简介:

本书是一本论述极紫外光刻技术的新的专著,该书综合地介绍了极紫外光刻技术相关联的各个重要方面及其发展历程,不但论述极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模版、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻的技术内容,还讨论了极紫外光刻生态系统的其他重要方面,如极紫外光刻工艺特点和控制,极紫外光刻量测的特殊要求,极紫外光刻的成本计算,作者后还讨论了极紫外光刻未来的各种延伸技术。


目录:
第1章 绪论

1.1 光刻技术的历史背景/1

1.2 光刻技术的组成部分/3

1.3 材料考量和多层膜反射镜/4

1.4 一般性问题/11

习题/12

参考文献/12

第2章 EUV光源

2.1 激光等离子体光源/15

2.2 放电等离子体光源/28

2.3 自由电子激光器/32

习题/36

参考文献/36

第3章 EUV光刻曝光系统

3.1 真空中的EUV光刻/40

3.2 照明系统/45

3.3 投影系统/47

3.4 对准系统/52

3.5 工件台系统/53

3.6 聚焦系统/54

习题/55

参考文献/56

第4章 EUV掩模

4.1 EUV掩模结构/60

4.2 多层膜和掩模基板缺陷/66

4.3 掩模平整度和粗糙度/71

4.4 EUV掩模制作/74

4.5 EUV掩模保护膜/75

4.6 EUV掩模放置盒/83

4.7 其他EUV掩模吸收层与掩模架构/85

习题/88

参考文献/88

第5章 EUV光刻胶

5.1 EUV化学放大光刻胶的曝光机制/95

5.2 EUV光刻中的随机效应/98

5.3 化学放大光刻胶的新概念/108

5.4 金属氧化物EUV光刻胶/110

5.5 断裂式光刻胶/111

5.6 真空沉积光刻胶/111

5.7 光刻胶衬底材料/113

习题/114

参考
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