宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路

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江苏南京

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作者赵正平等

出版社国防工业出版社

ISBN9787118114546

出版时间2017-12

版次1

装帧平装

开本16开

纸张胶版纸

页数291页

字数370千字

定价98元

货号SC:9787118114546

上书时间2024-09-16

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内容简介:
本书将介绍新世纪十几年来第三代半导体——宽带半导体在固态高频和微波领域的发展，形成了新一代电力电子器件和第五代固态微波器件的格局。同时介绍宽带半导体高频与微波功率器件与电路这一革命性的发展在雷达、通信和电子对抗等领域的应用。
目录:

章绪论

1.1 电力电子器件的发展

1.1.1 Si电力电子器件的发展

1.1.2 宽禁带电力电子器件的发展

1.1.3 我国电力电子器件的发展

1.2 固态微波器件的发展

1.2.1 Si和GaAS固态微波器件与电路的发展

1.2.2 SiC固态微波器件与电路发展

1.2.3 GaN固态微波器件与电路发展

1.3 固态器件在雷达领域的应用

1.3.1 Si、GaAS固态微波器件与固态有源相控阵雷达

1.3.2 SiC、GaN固态微波器件与T／R模块

1.3.3 SiC、GaN高频开关功率器件与开关功率源／固态脉冲调制源

参考文献

第2章宽禁带半导体材料

2.1 氮化镓和碳化硅晶体材料

2.1.1 GaN晶体性质和制备

2.1.2 SiC晶体性质和制备

2.2 碳化硅材料的同质外延生长技术

2.2.1 SiC同质外延生长方法

2.2.2 SiC CVD同质外延关键技术

2.2.3 SiC外延层缺陷

2.3 氮化物材料的异质外延生长技术

2.3.1 氮化物外延生长基本模式和外延衬底的选择

2.3.2 用于氮化物异质外延的金属有机物化
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