信息功能材料手册(上)
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作者组织编写
出版社化学工业出版社
ISBN9787122053381
出版时间2009-10
版次1
装帧精装
开本大16开
纸张胶版纸
字数1883千字
定价130元
货号SC:9787122053381
上书时间2024-09-16
商品详情
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内容简介:
《信息功能材料手册》涉及信息的获取、传输、存储、显示和处理等主要技术用的材料与器件，对各种材料的结构、性能、制备工艺以及电子器件的制造和应用都进行了详细的介绍。本书不仅全面系统地反映了国外信息功能材料研究领域的现状、近期新进展和发展趋势，而且也特别注重我国在该领域的研发和产业化方面取得的成果，力图使其具有实用性、优选性和很好不错性。本书的出版，将有力推动我国信息技术和信息产业的健康发展。
本书主要供从事信息功能材料的科研工作者和工程技术人员查阅使用。
摘要:
1.3我国硅材料的发展现状与趋势
2003年我国硅材料生产的企业约40家，从业人员约4000人，硅单晶的产量1200 t左右，销售额在15亿人民币。在多晶硅方面，我国在20世纪70、 80年代有10多条小型的生产线，主要利用"西门子法"制备电子级多晶硅材枓，目前仅有峨嵋半导体和洛阳单晶硅公司仍然在生产多晶珪，其中洛阳多晶硅仅仅是提供自己使用，而峨嵋半导体厂具有1OOt多晶硅的生产线，2001年，靠前多晶硅的市场需求约800 t， 2004年增加到2280 t，而靠前实际生产量仅80 t左右；2005年为2882 t, 2010年我国多晶硅需求量将增为约……
目录:
第1篇 概论
第1章 信息功能材料在信息技术中的战略地位
第2章 信息功能材料的发展现状和趋势
第2篇 半导体硅材料
第1章 概述
第2章 硅单晶的制备
第3章 硅晶体的机械性质
第4章 硅晶体表面性质
第5章 硅晶体的腐蚀
第6章 硅晶片加工工艺
第7章 硅单晶的缺陷
第8章 硅单晶中轻元素杂质
第9章 硅单晶中的过渡族金属杂质和吸杂
第10章 其它硅材料
第11章 硅材料的发光
第3篇 集成电路制造技术
第1章 集成电路设计技术
第2章 微细加工技术
第3章 集成电路工艺技术
第4章 CMOS器件及电路制造技术
第5章 双极型器件及电路制造技术
第6章 半导体功率器件及电路
第7章 化合物半导体器件和电路
第8章 集成电路封装技术
第4篇 硅基异质结构材料和器件
第1章 概论
第2章 SiGe的晶体结构
第3章 SiGe的能带结构
第4章 SiGe的力学性质、热学性质和Raman光谱
第5章 SiGe的电学性质和磁学性质
第6章 SiGe的光学性质
第7章 SiGe（001）的原子再构和表面性质
第8章 SiGeC/Si异质结
第9章 硅基Ⅲ—Ⅴ族半导体异质结构
第10章 SOI材料和器件
第11章 硅基二氧化硅材料 第
第12章 Si基异质结构的外延生长
第13章 Si基异质结构电子器件
第14章 硅基光电子器件
第5篇 化合物半导体材料
第1章 CaAs和InP的结构和性质
第2章 GaAs和InP的制备
第3章 GaAs和InP中的杂
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