半导体材料 大中专理科科技综合 王如志,刘维,刘立英
none
￥ 33.35 6.9折 ￥ 48 全新
库存12件
北京丰台
认证卖家担保交易快速发货售后保障
作者王如志,刘维,刘立英
出版社清华大学出版社
ISBN9787302542971
出版时间2019-12
版次1
装帧平装
开本16
页数153页
字数245千字
定价48元
货号xhwx_1202010152
上书时间2024-12-12
- 在售商品 暂无
- 平均发货时间 26小时
- 好评率 暂无
商品详情
- 品相描述：全新
- 正版特价新书
- 商品描述
-
目录：
章 半导体材料概述
1.1 半导体材料的发展与应用
1.2 半导体材料的概念与质
1.2.1 半导体材料的概念
1.2.2 半导体材料的质
第2章 典型半导体材料
2.1 硅、锗单质半导体材料
2.1.1 硅
2.1.2 锗
2.2 ⅱ-ⅵ族化合物半导体材料
2.2.1 光学质
2.2.2 杂质自补偿特
2.2.3 应用概述
2.3 ⅲ-ⅴ族化合物半导体材料
2.3.1 基本质
2.3.2 晶体结构、化学键和极
2.3.3 部分重要 ⅲ-ⅴ族半导体材料的应用
2.4 非晶半导体材料
2.4.1 非晶半导体物理特
2.4.2 非晶态半导体制备
2.4.3 非晶态半导体特分析
2.4.4 非晶态半导体的应用
2.5 有机半导体材料
2.5.1 有机半导体材料的基本质
2.5.2 有机半导体材料的分类
2.5.3 有机半导体材料的应用
第3章 半导体材料的制备与工艺
3.1 半导体单晶的制备方法
3.1.1 单晶提纯
3.1.2 单晶生长
3.1.3 晶片的制备
3.2 半导体薄膜生长方法
3.2.1 外延生长介绍
3.2.2 真空蒸发镀膜法
3.2.3 溅法镀膜
3.2.4 离子成膜技术
3.2.5 化学气相沉积法
第4章 纳米半导体材料
4.1 纳米半导体材料的物理效应和特
4.1.1 半导体材料的物理效应
4.1.2 纳米半导体材料的基本特
4.2 一维硅、锗纳米半导体
4.2.1 硅纳米线
4.2.2 硅纳米管
4.2.3 锗纳米线
4.3 一维氧化锌纳米材料
4.3.1 一维氧化锌纳米材料的制备方法
4.3.2 一维氧化锌纳米材料的应用
4.4 碳纳米管
4.4.1 碳纳米管的结构
4.4.2 碳纳米管的质
4.4.3 碳纳米管的制备
4.4.4 碳纳米管的纯化方法
4.4.5 碳纳米管的应用
4.4.6 表征技术
4.5 其他半导体量子材料
4.5.1 半导体量子点材料
4.5.2 半导体量子线材料
第5章 半导体材料测试与表征
5.1 半导体材料微区电阻测试技术
5.1.1 微区薄层电阻测试方法
5.1.2 微区电阻测试方法的基本
5.1.3 四探针测试方法
5.2 霍尔效应测试方法
5.2.1 霍尔效应的基本
5.2.2 霍尔测试样品
5.2.3 霍尔测试条件
5.3 俄歇电子能谱
5.3.1 俄歇能谱测试系统
5.3.2 俄歇电子能谱表面分析技术
5.3.3 俄歇电子谱在半导体领域中的典型应用
5.4 红外光谱分析技术
5.4.1 傅里叶变换红外光谱优点
5.4.2 傅里叶变换红外光谱测试系统
5.4.3 红外光谱测试样品制备
5.4.4 测试条件
5.5 扫描探针显微镜
5.5.1 扫描隧道显微镜
5.5.2 原子力显微镜
5.5.3 扫描近场光学显微镜
附录a si半导体特参数
a.1 基本参数 (300k)
a.2 能带结构与载流子浓度
a.3 电学质
a.4 光学质
a.5 热力学能
附录b ge半导体特参数
b.1 基本参数 (300k)
b.2 能带结构与载流子浓度
b.3 电学质
b.4 光学质
b.5 热力学能
附录c c半导体特参数
c.1 基本参数 (300k)
c.2 能带结构与载流子浓度
c.3 电学质
c.4 热力学能
附录d gaas半导体特参数
d.1 基本参数
d.2 能带结构与载流子浓度
d.3 电学质
d.4 热力学能
附录e gan半导体特参数
e.1 纤锌矿型gan基本参数
e.2 力学能相关参数
e.3 纤锌矿型 gan波传播特
e.4 闪锌矿型 gan力学能相关参数
e.5 闪锌矿型 gan波传播特
e.6 gan的热能参数
e.7 纤锌矿型 gan电学和光学特
e.8 闪锌矿型 gan电学和光学特
附录f aln半导体特参数
f.1 与纤锌矿机械能相关的参数
f.2 与闪锌矿机械能相关的参数
f.3 闪锌矿型 aln波传播特
f.4 纤锌矿型 aln的热能相关参数
f.5 纤锌矿型 aln的光电能相关参数
f.6 闪锌矿型 aln的光电能相关参数
参文献
内容简介：
本书是为材料、物理及电子信息等本科专业编写的教材，介绍了半导体材料的结构特、制备工艺、测试表征、发展历程及研究前沿。全书共分5章，章为半导体材料概述；第2章为典型半导体材料；第3章为半导体材料的制备与工艺；第4章为纳米半导体材料；第5章为半导体材料测试与表征；附录为典型半导体材料的能参数。本书尽量避过多的理论阐述，结合作者多年科研积累，力求采用通俗易懂的语言讲清楚半导体材料的基本内容与思想方法，并着重突出了来纳米半导体材料发展及相应的新的理论成果、技术方法与器件应用。本书可作为从事半导体材料及相关研究的科研人员和相关专业的参书。
— 没有更多了 —
以下为对购买帮助不大的评价