二维iii-vi族化合物的自旋相关特 新材料 琚伟伟|责编:徐卿华//李军亮
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作者 琚伟伟|责编:徐卿华//李军亮
出版社 化学工业
ISBN 9787122413857
出版时间 2022-06
版次 1
装帧 平装
开本 32
页数 160页
定价 49元
货号 404_9787122413857
上书时间 2024-06-23
商品详情
品相描述:全新
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商品描述
主编: 本书是作者来在对低维纳米材料的电子结构、磁特以及自旋轨道耦合效应研究的基础上撰写而成,系统地介绍了二维iiivi族化合物的自旋相关特。全书共分7章,主要内容包括:相关材料的研究背景及理论方法,二维niiixvi (n=ga in; x= e te)单层rahba自旋劈裂的电场调控,极xaby (a b = ga in; x≠y = e te)中显著的rahba自旋劈裂,ii型b/ine范德华异质结中rahba自旋劈裂的偶极子控制,ine/mte2 (m = pd pt)范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特及inte/pte2异质结中rahba自旋劈裂效应。 本书可供低维材料相关领域的科研技术人员学使用,也可供高等院校相关专业师生参。 目录: 章绪论 1.1自旋电子学的发展2 1.2自旋轨道耦合作用5 1.3二维材料8 1.3.1石墨烯的基本特8 1.3.2过渡金属硫属化合物的基本特9 1.3.3ⅲ-ⅵ族硫属化合物的基本特11 参文献15 第2章理论方法 2.1能带理论的三大近似21 2.1.1绝热近似21 2.1.2单电子近似与密度泛函理论23 2.1.3布洛赫定理28 2.2势与波函数的处理31 2.2.1面波方法32 2.2.2原子轨道线组合法34 2.2.3赝势方法35 2.2.4投影缀加波法37 2.3kohn-sham方程的自洽求解40 参文献41 第3章二维nⅲxⅵ(n=ga,in;x=s,se,te)单层rashba自旋劈裂的电场调控 3.1概述47 3.2计算方法和模型50 3.3结果和讨论52 参文献61 第4章极xaby(a,b=ga,in;x≠y=s,se,te)中显著的rashba自旋劈裂 4.1概述69 4.2计算方法与模型72 4.3结果与讨论75 参文献87 第5章ⅱ型sb/inse范德华异质结中rashba自旋劈裂的偶极子控制 5.1概述95 5.2计算方法98 5.3结果和讨论99 5.3.1几何结构99 5.3.2电子特101 5.3.3自旋电子特106 参文献113 第6章inse/mte2 (m=pd,pt)范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特 6.1概述123 6.2计算方法125 6.3结果和讨论126 6.3.1几何结构和电子特126 6.3.2光学特135 6.3.3自旋电子特135 参文献139 第7章inte/ptse2异质结中rashba自旋劈裂效应 7.1概述147 7.2计算方法149 7.3结果和讨论150 7.3.1异质结的构建150 7.3.2外界调控对异质结rashba自旋劈裂的影响150 参文献156 内容简介: 本书是作者来在对低维纳米材料的电子结构、磁特以及自旋轨道耦合效应的研究基础上撰写而成的,系统地介绍了二维ⅲⅵ族化合物的自旋相关特。全书共分七章,前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法,第3章介绍了二维nⅲxⅵ(n=ga,in;x=,e,te)单层rahba自旋劈裂的电场调控,第4章介绍了极xaby(a,b=ga,in;x≠y=,e,te)中显著的rahba自旋劈裂,第5章介绍了ⅱ型b/ine范德华异质结中rahba自旋劈裂的偶极子控制,第6章介绍了ine/mte2(m=pd,pt)范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特,第7章介绍了inte/pte2异质结中rahba自旋劈裂效应。 本书可供低维材料相关领域以及从事自旋电子学研究的科技工作者参,也可作为高等院校相关专业的本科生和的参书。 作者简介: 无
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