微电子学概论（第3版）

图书标准信息

• 作者 张兴、黄如、刘晓彦 著
• 出版社 北京大学出版社
• 出版时间 2010-02
• 版次 3
• ISBN 9787301168790
• 定价 42.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 356页
• 字数 583千字
• 正文语种 简体中文
• 丛书 高等院校微电子专业丛书·普通高等教育“十一五”国家级规划教材

【内容简介】

　　《微电子学概论(第3版)》是在2000年1月北京大学出版社出版的《微电子学概论》一书的基础上形成的。《微电子学概论(第3版)》主要介绍了微电子技术的发展历史，半导体物理和器件物理基础知识，集成电路及s0C的制造、设计以及计算机辅助设计技术基础，光电子器件，微机电系统技术、半导体材料、封装技术知识，最后给出了微电子技术发展的一些规律和展望。《微电子学概论(第3版)》的特点是让外行的人能够看懂，通过阅读这《微电子学概论(第3版)》能够对微电子学能有一个总体的、全面的了解；同时让内行的人读完之后不觉得肤浅，体现出了微电子学发展极为迅速的特点，将微电子学领域中的一些最新观点、最新成果涵盖其中。
　　《微电子学概论(第3版)》可以作为微电子专业以及电子科学与技术、计算机科学与技术等相关专业的本科生和研究生的教材或教学参考书，同时也可以作为从事微电子或电子信息技术领域工作的科研开发人员、项目管理人员全面了解微电子技术的参考资料。

【作者简介】

张兴、黄如、刘晓彦，北京大学信息科学学院教授。,张兴、黄如、刘晓彦，北京大学信息科学学院教授。,张兴、黄如、刘晓彦，北京大学信息科学学院教授。

【目录】

第一章绪论
1.1晶体管的发明
1.2集成电路的发展历史
1.3集成电路的分类
1.3.1按器件结构类型分类
1.3.2按集成电路规模分类
1.3.3按结构形式分类
1.3.4按电路功能分类
1.3.5集成电路的分类小结
1.4微电子学的特点

第二章半导体物理和器件物理基础
2.1半导体及其基本特性
2.1.1金属-半导体-绝缘体
2.1.2半导体的掺杂
2.2半导体中的载流子
2.2.1半导体中的能带
2.2.2多子和少子的热平衡
2.2.3电子的平衡统计规律
2.3半导体的电导率和载流子输运
2.3.1迁移率
2.3.2过剩载流子
2.4pn结
2.4.1平衡pn结
2.4.2pn结的正向特性
2.4.3pn结的反向特性
2.4.4pn结的击穿
2.4.5pn结的电容
2.5双极晶体管
2.5.1双极晶体管的基本结构
2.5.2晶体管的电流传输
2.5.3晶体管的电流放大系数
2.5.4晶体管的直流特性曲线
2.5.5晶体管的反向电流与击穿电压
2.5.6晶体管的频率特性
2.6MOS场效应晶体管
2.6.1MOS场效应晶体管的基本结构
2.6.2MIS结构
2.6.3MOS场效应晶体管的直流特性
2.6.4MOS场效应晶体管的种类
2.6.5MOS场效应晶体管的电容

第三章大规模集成电路基础
3.1半导体集成电路概述
3.2CMOS集成电路基础
3.2.1集成电路中的MOSFET
3.2.2MOS数字集成电路
3.2.3CMOS集成电路
3.3半导体存储器集成电路
3.3.1存储器的种类和基本结构
3.3.2随机存取存储器(RAM)
3.3.3掩模只读存储器(ROM)
3.3.4可编程只读存储器PROM

第四章集成电路制造工艺
4.1材料膜的生长——化学气相淀积（CVD）
4.1.1化学气相淀积方法
4.1.2单晶硅的化学气相淀积（外延）
4.1.3二氧化硅的化学气相淀积
4.1.4多晶硅的化学气相淀积
4.1.5氮化硅的化学气相淀积
4.1.6金属有机物化学气相淀积（MOCVD）
4.2二氧化硅材料的特有生长方法——氧化
4.2.1SiO2的性质及其作用
4.2.2热氧化形成SiO2的机理
4.2.3氧化形成SiO2的方法
4.3材料膜的生长——物理气相淀积
4.4向衬底材料的图形转移——光刻
4.4.1光刻工艺简介
4.4.2几种常见的光刻方法
4.4.3超细线条光刻技术
4.5材料膜的选择性去除——刻蚀
4.6扩散与离子注入
4.6.1扩散
4.6.2扩散工艺
4.6.3离子注入
4.6.4离子注入原理
4.6.5退火
4.7接触与互连
4.7.1CMP（化学机械抛光）
4.7.2Cu互连的大马士革工艺
4.7.3难熔金属硅化物栅及其复合结构
4.7.4多层互连
4.8隔离技术
4.9MOS集成电路工艺流程
4.10集成电路工艺小结

第五章半导体材料
5.1引言
5.2半导体材料基础
5.2.1材料的晶体结构
5.2.2化学键和固体的结合
5.2.3能带论
5.2.4晶体的缺陷
5.2.5晶体的掺杂
5.3衬底材料
5.3.1Si材料
5.3.2GeSi材料
5.3.3应变Si材料
5.3.4SOI材料
5.3.5GaN材料
5.4栅结构材料
5.4.1栅电极材料
5.4.2栅绝缘介质材料
5.5源漏材料
5.6存储电容材料
5.6.1DRAM存储电容材料
5.6.2闪速存储器（Flash）
5.6.3非挥发性铁电存储器（FeRAM）
5.6.4磁随机存储器（MRAM）
5.6.5相变存储器（PCRAM）
5.6.6电阻式存储器（RRAM）
5.7互连材料

第六章集成电路设计
6.1集成电路的设计特点与设计信息描述
6.1.1设计特点
6.1.2设计信息描述
6.2集成电路的设计流程
6.2.1功能设计
6.2.2逻辑与电路设计
6.2.3版图设计
6.3集成电路的版图设计规则
6.3.1以λ为单位的设计规则
6.3.2以um为单位的设计规则
6.4集成电路的设计方法
6.4.1集成电路的设计方法选择
6.4.2全定制设计方法
6.4.3标准单元设计方法（SC方法）和积木块设计方法（BBL方法）
6.4.4门阵列设计方法（GA方法）
6.4.5可编程逻辑电路设计方法
6.5几种集成电路设计方法的比较
6.6可测性设计技术
……

第七章集成电路设计的EDA系统
第八章系统芯片(SOC)设计
第九章光电子器件
第十章微机电系统
第十一章集成电路封装
第十二章微电子技术发展的规律和趋势
附录A
附录B