半导体器件导论（英文版）

图书标准信息

• 作者 [美]尼曼（Neamen D.A.） 著
• 出版社 清华大学出版社
• 出版时间 2006-03
• 版次 1
• ISBN 9787302124511
• 定价 69.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 670页

【内容简介】

　　本书是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SemiconductorPhysicsandDevices，3rdedition”一书的改进版本。.
　　与原书相比，本书更好地将固体品格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用本书，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。..
　　另外，本书还尽量保持了原书的主要优点：
　　(1)注重基本概念和方法。本书从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。
　　(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是本书突出的特点。

【目录】

Prefacexvii
CHAPTER1
TheCrystalStructureofSolids
1.0Preview1
1.1SemiconductorMaterials2
1.2TypesofSolids3
1.3SpaceLattices4
1.3.1PrimitiveandUnitCell4
1.3.2BasicCrystalStructures6
1.3.3CrystalPlanesandMillerIndices
1.3.4TheDiamondStructure13
1.4AtomicBonding15
1.5ImperfectionsandImpuritiesinSolids17
1.5.1ImperfectionsinSolids17
1.5.2ImpuritiesinSolids18
1.6GrowthofSemiconductorMaterials19
1.6.1GrowthfromaMelt20
1.6.2EpitaxialGrowth22
1.7DeviceFabricationTechniques：
Oxidation23
1.8Summary25
Problems27
CHAPTER2
TheoryofSolids31
2.0Preview31
2.1PrinciplesofQuantumMechanics32
2.1.1EnergyQuanta32
2.1.2Wave-ParticleDualityPrinciple34
2.2EnergyQuantizationandProbabilityConcepts36
2.2.1PhysicalMeaningoftheWaveFunction36
2.2.2TheOne-ElectronAtom37
2.2.3PeriodicTable40
2.3Energy-BandTheory41
2.3.1FormationofEnergyBands41
2.3.2TheEnergyBandandtheBondModel45
2.3.3ChargeCarriers——ElectronsandHoles47
2.3.4EffectiveMass49
2.3.5Metals，Insulators，andSemiconductors50
2.3.6Thek-SpaceDiagram52
2，4DensityofStatesFunction55
2.5StatisticalMechanics57
2.5.1StatisticalLaws57
2.5.2TheFermi-DiracDistributionFunction
andtheFermiEnergy58
2.5.3Maxwell-BoltzmannApproximation62
2.6Summary64
Problems65
CHAPTER3
TheSemiconductorinEquilibrium70
3.0Preview70
3.1ChargeCarriersinSemiconductors71
3.1.1EquilibriumDistributionofElectronsandHoles72
3.1.2ThenoandPoEquations74
3.1.3TheIntrinsicCarrierConcentration79
3.1.4TheIntrinsicFermi-LevelPosition82
3.2DopantAtomsandEnergyLevels83
3.2.1QualitativeDescription83
3.2.2IonizationEnergy86
3.2.3GroupIII-VSemiconductors88
3.3CarrierDistributionsintheExtrinsicSemiconductor89
3.3.1EquilibriumDistributionofElectronsandHoles89
……