半导体器件原理与技术
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江苏无锡
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作者文常保，商世广，李演明 主编
出版社人民交通出版社
ISBN9787114130991
出版时间2016-09
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
定价39元
货号24041435
上书时间2024-07-14
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商品详情
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【内容简介】:
《半导体器件原理与技术》主要介绍半导体物理基础、二管、双型晶体管、MOS场效应晶体管、无源器件、器件SPICE模型、半导体工艺技术、半导体工艺仿真、薄膜制备技术、半导体封装技术和半导体参数测试技术等微电子技术领域的基本内容？这些内容为进一步掌握新型半导体器件和集成电路分析、设计、制造、测试的基本理论和方法奠定了坚实的基础？《半导体器件原理与技术》可作为电子信息类电子科学与技术、微电子科学与工程、集成电路与集成系统、光电信息科学与工程、电子信息工程等专业的本科学生和相关研究生的专业课程教材？也可作为相近专业工程技术人员的自学和参考用书。
【目录】:
第1篇 半导体物理及器件
第1章 半导体物理基础
1．1 半导体材料
1．2 半导体的结构
1．3 半导体的缺陷
1．4 半导体的能带
1．5 费米能
1．6 半导体的载流子浓度
1．7 半导体的载流子运动
习题
参考文献
第2章 二管
2．1 二管的基本结构
2．2 pn结的形成及杂质分布
2．3 平衡pn结
2．4 二管的偏压特性
2．5 二管直流特性的影响因素
2．6 二管的击穿特性
2．7 二管的开关特性
习题
参考文献
第3章 双型晶体管
3．1 双型晶体管概述
3．2 双型晶体管的基本结构
3．3 双型晶体管的放大作用
3．4 双型晶体管的特性曲线
3．5 反向电流及击穿电压特性
3．6 基电阻
3．7 双型晶体管的开关特性
习题
参考文献
第4章 MOS场效应晶体管
4．1 MOS场效应晶体管的基本结构、工作原理和分类
4．2 MOS场效应晶体管的阈值电压
4．3 MOS场效应晶体管的直流特性
4．4 MOS场效应晶体管的小信号参数和频率特性
4．5 MOS场效应晶体管的二效应
4．6 MOS场效应晶体管的开关特性
习题
参考文献
第5章 无源器件
5．1 概述
5．2 嵌入式无源器件
5．3 集成无源器件
5．4 集成电阻
5．5 集成式电容
5．6 集成式电感
习题
参考文献
第6章 器件SPICE模型
6．1 SPICE器件模型概述
6．2 二管SPICE模型
6．3 双型晶体管的SPICE模型
6．4 MOS场效应晶体管SPICE模型
6．5 无源器件SPICE模型
习题
参考文献
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