氮化物宽禁带半导体材料与电子器件
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作者郝跃,张金风,张进成
出版社科学出版社
ISBN9787030367174
出版时间2023-07
装帧精装
开本大32开
纸张胶版纸
定价149元
货号28507753
上书时间2024-07-27
商品详情
- 品相描述：全新
- 正版全新
- 商品描述
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【内容】:本书以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了III族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al-GaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。
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