【谢学锦旧藏】中国旅美科学家杨光荣教授致谢学锦院士贺卡
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作者杨光荣
年代2010年代 (2010-2019)
页数1页
尺寸20 × 13 cm
上书时间2021-05-28
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杨光荣，男，毕业于中国科学技术大学（北京）技术物理半导体专业，物理学家，2017年被美国名人录授予终身成就奖。
毕业于中国科学技术大学（北京）技术物理半导体专业。大学毕业后，在中国科学院半导体研究所从事半导体材料、器件及其工艺与理论的研究。1964年至1985年间，所参加过的研究工作中包括半导体温差电致冷材料、半导体冰箱、氧化物半导体、硫系半导体、双束合成低能离子束外延试验机等项目，曾获得过中国科学院科学技术进步奖和一个1978年全国科学大会奖。在中国科学院工作期间，在全国性刊物和全国性会议上发表过十来篇文章，组织和参加了“大规模集成电子学”的编译和出版工作。
1985年至1987年，在加拿大西安大略大学表面科学中心做访问学者，主要从事半导体镓砷材料和器件的分析和研究，另外还参与了金矿石的分析和评估、特色钢材性能与成分的鉴别、碳同位素对考古项目的应用等。1987年至1988年，在该校的物理系及物理化学中心做访问教授，主要从事非晶硅硼合金薄膜材料的特殊光学和电学性质的研究、材料的特性与其结构成分和工艺之间的相互关系的研究以及该薄膜材料在光学、光电、电子和半导体器件等领域的应用和研究。这段时间从事的工作大部分都属于当时世界上的前缘项目，尤其是有关非晶硅硼合金薄膜的全面和系统的研究，其领先地位一致被世界所公认。
1988年后，应邀在美国霍伦尔理工学院的物理系、集成电子学中心、集成电路和微电子器件研制中心和半导体研究合作协调小组做访问学者、研究教授，负责指导博士生和其研究工作，协调和实施与美国各大半导体公司、有关大学和其他研发组织的合作项目。主要从事用于超大规模集成电路、新一代计算机、改进生物、医疗和通讯的新材料（如纳米、高分子等）、新技术（如电磁调控的真空蒸发合成有机高分子薄膜，金属等离子真空低温外延等）、新工艺（原子级和分子级薄膜的生长等）和新器材的超前研究。所涉及到的研发项目和其研究成果，有不少还始终占据在世界的前沿地位。其间曾申请到多个美国专利，如“利用电场提高真空蒸发淀积高分子成形速度”、“超薄CVD高分子薄膜的表面处理”等，同时有一百多篇文章发表在国外的书、刊和会议文集上。曾是美国材料学会、美国前沿科学协会会员，同时被美国一些学术网站评价为是在材料科学、有机化学和高分子化学领域的高级专家。
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