宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路

图书标准信息

• 作者 赵正平 著；王小谟、左群声 编
• 出版社 国防工业出版社
• 出版时间 2017-12
• 版次 1
• ISBN 9787118114546
• 定价 98.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 291页
• 字数 370千字
• 正文语种 简体中文
• 丛书 雷达与探测前沿技术丛书

【内容简介】

　　《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》重点介绍了SiC和GaN宽禁带半导体高频开关和微波功率器件与电路的新进展与实用制备技术。
　　《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》共5章：第1章介绍电力电子和固态微波器件的发展及其在雷达领域的应用；第2章介绍SiC和GaN宽禁带半导体材料，包括SiC和GaN单晶、SiC的同质外延生长、GaN的异质外延生长；第3章介绍SiC高频功率器件，包括SiC功率二极管、SiC MESFET、SiC MOSFET、SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT和SiC GTO；第4章介绍GaN微波功率器件与电路，包括GaNHEMT、GaN MMIC、E模GaN HEMT和N极性GaN HEMT；第5章介绍正在发展中的固态新型器件，包括太赫兹器件、金刚石器件和二维材料器件。
　　《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》可供从事宽禁带半导体和雷达、通信、电子对抗以及电力电子应用等领域的科研人员参考。

【作者简介】

　　赵正平，江苏扬州人，研究员级高工，1970年毕业于清华大学无线电电子学系，1982年获南京工学院电子工程系半导体物理与器件专业工学硕士学位。1982年至2002年在电子工业部第十三研究所工作，历任课题组长、研究室主任、主管科研副所长和所长，2002年后参于组建中国电子科技集团公司，历任党组成员兼总经理助理和党组成员兼副总经理。现任中国电子科技集团公司集团科技委副主任.中国航空工业集团公司外部董事，河北工业大学微电子专业博导。常期从事砷化镓功率器件与集成电路。微米、钠米技术和宽禁带半导体功率器件的开创性研究。在国内首次突破GaAs功率器件，功率MMIC.星用固态放大器和GaNHEMT功率器件等关键技术，获国家科技进步奖二、三等奖各1次，部科技进步奖一、二、三等奖8次。历任国家“863”信息领域专家、国防“973”首席专家和“核高基”国家重大专项专家，1993年获得政府特贴专家称号，1994年获国家中青年专家称号。

【目录】

第1章 绪论
1．1 电力电子器件的发展
1．1．1 Si电力电子器件的发展
1．1．2 宽禁带电力电子器件的发展
1．1．3 我国电力电子器件的发展
1．2 固态微波器件的发展
1．2．1 Si和GaAs固态微波器件与电路的发展
1．2．2 SiC固态微波器件与电路发展
1．2．3 GaN固态微波器件与电路发展
1．3 固态器件在雷达领域的应用
1．3．1 si、GaAs固态微波器件与固态有源相控阵雷达
1．3．2 SiC、GaN固态微波器件与T／R模块
1．3．3 siC、GaN高频开关功率器件与开关功率源／固态脉冲调制源
参考文献

第2章 宽禁带半导体材料
2．1 氮化镓和碳化硅晶体材料
2．1．1 GaN晶体性质和制备
2．1．2 SiC晶体性质和制备
2．2 碳化硅材料的同质外延生长技术
2．2．1 SiC同质外延生长方法
2．2．2 SiC CVD同质外延关键技术
2．2．3 SiC外延层缺陷
2．3 氮化物材料的异质外延生长技术
2．3．1 氮化物外延生长基本模式和外延衬底的选择
2．3．2 用于氮化物异质外延的金属有机物化学气相沉积技术
2．3．3 氮化物异质外延生长中的几个重要问题
2．4 宽禁带半导体材料的表征方法
2．4．1 X射线衍射测试
2．4．2 原子力显微镜测量
2．4．3 光致发光谱测量
2．4．4 傅里叶变换红外谱厚度测试
2．4．5 汞探针C-V法测量杂质浓度分布
参考文献

第3章 碳化硅高频功率器件
3．1 SiC功率二极管
3．1．1 siC肖特基二极管
3．1．2 siC PIN二极管
3．1．3 SiC JBS二极管
3．1．4 siC二极管进展
3．1．5 siC二极管应用
3．2 SiC MESFET
3．2．1 工作原理
3．2．2 SiC MESFET研究进展
3．2．3 SiC MESFET应用
3．3 SiC MOSFET
3．3．1 工作原理
3．3．2 关键工艺
3．3．3 SiC MOSFET进展
3．3．4 SiC MOSFET应用
3．4 siC JFET
3．4．1 SiC JFET的半导体物理基础
3．4．2 横向SiC JFET
3．4．3 垂直SiC JFET
3．4．4 SiC VJFET发展趋势及挑战
3．4．5 SiC JFET应用
3．5 SiC BJT
3．5．1 BJT基本工作原理
3．5．2 BJT基本电学特性
3．5．3 SiC BJT关键技术进展
3．5．4 siC BJT的应用
3．6 siC IBJT
3．6．1 工作原理
3．6．2 SiC IGBT进展
3．6．3 SiC IGBT应用
3．7 SiC GTO
3．7．1 晶闸管的导通过程
3．7．2 关断特性
3．7．3 频率特性
3．7．4 临界电荷
3．7．5 SiC GTO研究进展与应用
参考文献

第4章 氧化镓微波功率器件与电路
4．1 GaN HEMT
4．1．1 GaN HEMT器件工作原理
4．1．2 GaN HEMT器件的性能表征
4．1．3 GaN HEMT器件关键技术
4．1．4 国内外D模HEMT器件进展
4．2 GaN MMIC
4．2．1 MMIC功率放大器电路设计
4．2．2 MMIC功率放大器电路制备的关键工艺
4．2．3 国内外GaN MMIC研究进展
4．2．4 GaN MMIC应用
4．3 E模GaN HEMT
4．3．1 E模器件基本原理
4．3．2 国内外E模GaN HEMT器件进展
4．3．3 E模GaN器件应用
4．4 N极性GaN HEMT
4．4．1 N极性GaN HEMT原理
4．4．2 N极性GaN材料生长
4．4．3 国内外N极性面GaN器件进展
4．5 GaN功率开关器件与微功率变换
4．5．1 GaN功率开关器件工作原理
4．5．2 国内外GaN功率开关器件进展
4．5．3 国内外GaN功率开关器件应用
4．5．4 GaN开关功率管应用与微功率变换
参考文献

第5章 展望
5．1 固态太赫兹器件
5．1．1 太赫兹肖特基二极管
5．1．2 太赫兹三极管
5．1．3 氮化物太赫兹固态器件
5．1．4 太赫兹固态器件总结与展望
5．2 金刚石器件
5．2．1 金刚石材料基本性质
5．2．2 金刚石材料生长方法
5．2．3 金刚石器件举例
5．2．4 总结与展望
5．3 二维材料器件
5．3．1 石墨烯材料器件
5．3．2 其他二维材料器件
5．3．3 二维材料器件制备工艺
5．3．4 总结与展望
参考文献

主要符号表
缩略语