• 半导体物理学(第6六版) 刘恩科 电子工业出版社 9787505389854
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半导体物理学(第6六版) 刘恩科 电子工业出版社 9787505389854

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14.4 九品

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江西南昌
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作者刘恩科

出版社电子工业出版社

ISBN9787505389854

出版时间2003-08

装帧线装

页数448页

货号161835

上书时间2024-03-20

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品相描述:九品
商品描述
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书名:半导体物理学(第6版)
编号:161835
ISBN:9787505389854[十位:]
作者:刘恩科
出版社:电子工业出版社
出版日期:2003年08月
页数:448
定价:38.00 元
参考重量:0.651Kg
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主要参数符号表
第1章 半导体中的电子状态
 1.1 半导体的晶格结构和结合性质
 1.1.1 金刚石型结构和共价键 
 1.1.2 闪锌矿型结构和混合键
 1.1.3 纤锌矿型结构
 1.2 半导体中的电子状态和能带
 1.2.1 原子的能级和晶体的能带
 1.2.2 半导体中电子的状态和能带
 1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带
 1.3 半导体中电子的运动 有效质量
 1.3.1 半导体中E(k)与k的关系
 1.3.2 半导体中电子的平均速度
 1.3.3 半导体中电子的加速度
 1.3.4 有效质量的意义
 1.4 本征半导体的导电机构空穴
 1.5 回旋共振
 1.5.1 k空间等能面
 1.5.2 回旋共振
 1.6 硅和锗的能带结构
 1.6.1 硅和锗的导带结构
 1.6.2 硅和锗的价带结构
 1.7 ⅢⅤ族化合物半导体的能带结构
 1.7.1 锑化铟的能带结构
 1.7.2 砷化镓的能带结构
 1.7.3 磷化镓和磷化铟的能带结构
 1.7.4 混合晶体的能带结构
 1.8 ⅡⅥ族化合物半导体的能带结构
 1.8.1 二元化合物的能带结构
 1.8.2 混合晶体的能带结构
 1.9 Si1-x Ge x合金的能带
 1.10 宽禁带半导体材料
 1.10.1 SiC的晶格结构与能带
 1.10.2 GaN,AIN的晶格结构与能带
 习题
 参考资料
第2章 半导体中杂质和缺陷能级
 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
 2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质
 2.1.2 施主杂质、施主能级
 2.1.3 受主杂质、受主能级
 2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算
 2.1.5 杂质的补偿作用
 2.1.6 深能级杂质
 2.2 ⅢⅤ族化合物中的杂质能级
 2.3 缺陷、位错能级
 2.3.1 点缺陷
 2.3.2 位错
 习题
 参考资料
第3章 半导体中载流子的统计分布
 3.1 状态密度
 3.1.1 k空间中量子态的分布
 3.1.2 状态密度
 3.2 费米能级和载流子的统计分布
 3.2.1 费米分布函数
 3.2.2 玻耳兹曼分布函数
 3.2.3 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度
 3.2.4 载流子浓度乘积n0p0
 3.3 本征半导体的载流子浓度
 3.4 杂质半导体的载流子浓度
 3.4.1 杂质能级上的电子和空穴
 3.4.2 n型半导体的载流子浓度
 3.5 一般情况下的载流子统计分布
 3.6 简并半导体
 3.6.1 简并半导体的载流子浓度
 3.6.2 简并化条件
 3.6.3 低温载流子冻析效应
 3.6.4 禁带变窄效应
*3.7 电子占据杂质能级的概率
 3.7.1 求解统计分布函数
 习题
 参考资料
第4章 半导体的导电性
第5章 非平衡载流子
第6章 pn结
第7章 金属和半导体的接触
第8章 半导体表面与MIS结构
第9章 半导体异质结构
第10章 半导体的光学性质和光电与发光现象
第11章 半导体的热电性质
第12章 半导体磁和压阻效应
第13章 非晶态半导体
附录A 常用物理常数和能量表达变换表
附录B 半导体材料物理性质表
参考文献
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