cmos芯片结构与制造技术 电子、电工 作者 新华正版
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作者作者
出版社电子工业出版社
ISBN9787121425004
出版时间2021-12
版次1
装帧平装
开本16
页数376页
字数632千字
定价158元
货号xhwx_1202566539
上书时间2024-05-04
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目录：
章 lsi/vlsi制造基本技术
1.1 基础工艺技术
1.1.1 基础工艺技术
1.1.2 工艺制程
1.1.3 工艺一体化
1.2 器件隔离技术
1.2.1 locos隔离
1.2.2 浅槽隔离
1.2.3 pn结隔离
1.3 衬底与阱技术
1.3.1 cmos工艺与阱的形成
1.3.2 可靠与阱技术
1.3.3 外延与soi衬底
1.4 栅与源、漏结的形成技术
1.4.1 栅工艺
1.4.2 源、漏结构的形成
1.4.3 漏极技术
1.5 接触的形成与多层布线技术
1.5.1 接触的形成
1.5.2 金属化系统
1.5.3 多层布线工艺与坦化技术
1.6 bicmos技术
1.7 lv/hv兼容技术
1.7.1 lv/hv兼容cmos
1.7.2 lv/hv兼容bicmos
1.7.3 lv/hv兼容bcd
1.8 mos集成电路工艺设计
1.8.1 硅衬底参数设计
1.8.2 栅介质材料
1.8.3 栅电极材料
1.8.4 阈值电压设计
1.8.5 工艺参数设计
1.9 mos集成电路设计与制造技术关系
1.9.1 芯片结构及其参数
1.9.2 芯片结构技术
1.9.3 芯片制造
第2章 单阱cmos芯片与制程剖面结构
2.1 p-well cmos（a）
2.1.1 芯片面/剖面结构
2.1.2 工艺技术
2.1.3 工艺制程
2.2 p-well cmos（b）
2.2.1 芯片剖面结构
2.2.2 工艺技术
2.2.3 工艺制程
2.3 p-well cmos（c）
2.3.1 芯片剖面结构
2.3.2 工艺技术
2.3.3 工艺制程
2.4 hv p-well cmos
2.4.1 芯片剖面结构
2.4.2 工艺技术
2.4.3 工艺制程
2.5 n-well cmos（a）
2.5.1 芯片面/剖面结构
2.5.2 工艺技术
2.5.3 工艺制程
2.6 n-well cmos（b）
2.6.1 芯片剖面结构
2.6.2 工艺技术
2.6.3 工艺制程
2.7 n-well cmos（c）
2.7.1 芯片剖面结构
2.7.2 工艺技术
2.7.3 工艺制程
2.8 hv n-well cmos
2.8.1 芯片剖面结构
2.8.2 工艺技术
2.8.3 工艺制程
……
第3章 双阱cmos芯片与制程剖面结构
第4章 lv/hv兼容cmos芯片与制程剖面结构
第5章 bicmos芯片与制程剖面结构
第6章 lv/hv兼容bicmos芯片与制程剖面结构
第7章 lv/hv兼容bcd芯片与制程剖面结构
附录a 术语缩写对照
附录b 简要说明
参文献
内容简介：
本书从cmo芯片结构技术出发，系统地介绍了微米、亚微米、深亚微米及纳米cmo制造技术，内容包括单阱cmo、双阱cmo、lv/hv兼容cmo、bicmo、lv/hv兼容bicmo以及lv/hv兼容bcd制造技术。除章外，全书各章都采用由cmo芯片主要元器件、制造技术及主要参数所组成的综合表，从芯片结构出发，利用计算机和相应的软件，描绘出芯片制造的各工序剖面结构，从而得到制程剖面结构。书中给出了100余种典型cmo芯片结构，介绍了各种典型制造技术，并描绘出50余种制程剖面结构。深入地了解芯片制程剖面结构，对于电路设计、芯片制造、成品率提升、产品质量提高及电路失效分析等都是十分重要的。
本书技术含量高，很好实用，可作为芯片设计、制造、测试及可靠等方面工程技术人员的重要参资料，也可作为微电子专业高年级本科生的用书，还可供信息领域其他专业的和相关科研人员、工程技术人员参。
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