全新未使用 半导体薄膜技术基础

图书标准信息

• 作者 李晓干 著
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2018-01
• 版次 1
• ISBN 9787121328800
• 定价 49.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 轻型纸
• 页数 148页
• 字数 237千字
• 正文语种 简体中文
• 丛书 微电子与集成电路设计系列规划教材

【内容简介】

本书对当前主要应用的薄膜技术及相关设备进行了深入浅出的介绍，主要包括作为*重要的半导体衬底的硅单晶材料学、薄膜基础知识、PVD技术、CVD技术及其他相关的薄膜加工技术，在对各种技术进行介绍的同时，还对各种技术所应用的设备进行简要介绍。本书提供配套电子课件。    本书作为半导体薄膜技术的入门书籍，既有薄膜技术的基本理论介绍，又提供了大量的设备基本结构知识，可以作为微电子等相关专业学生的教学参考书，对从事薄膜技术的工程技术人员而言，也可以作为相关的参考资料。

【作者简介】

李晓干，博士，毕业于英国利兹大学材料研究所，大连理工大学电子科学与技术系副教授。中国仪器仪表协会传感器分会理事；全国气、湿敏专业委员会委员。主要研究方向为高性能半导体敏感材料，纳米材料敏感电子学，传感器元件与检测系统。

【目录】

第1章 绪论 1
本章小结 5
习题 6
第2章 硅单晶材料学 7
2．1 硅及其化合物的基本性质 7
2．2 硅的晶体结构 13
2．3 硅的生长加工方法 16
2．4 硅材料与器件的关系 19
本章小结 21
习题 22
第3章 薄膜基础知识 23
3．1 薄膜的定义及应用 23
3．2 薄膜结构、缺陷及基本性质 26
3．2．1 薄膜的基本结构及缺陷 26
3．2．2 薄膜的基本性质 29
3．3 薄膜衬底材料的一般知识 34
3．3．1 玻璃衬底 34
3．3．2 陶瓷衬底 35
3．3．3 单晶体衬底 36
3．3．4 衬底清洗 37
3．4 薄膜的性能检测简介 40
3．4．1 薄膜的厚度检测 40
3．4．2 薄膜的可靠性 43
本章小结 44
习题 44
第4章 氧化技术 46
4．1 二氧化硅（SiO2）薄膜简介 47
4．2 氧化技术原理 49
4．2．1 热氧化技术的基本原理 50
4．2．2 水汽氧化 51
4．2．3 湿氧氧化工艺原理 52
4．2．4 三种热氧化工艺方法的优缺点 53
4．3 氧化工艺的一般过程 54
4．4 氧化膜质量评价 58
4．4．1 SiO2薄膜表面观察法 58
4．4．2 SiO2薄膜厚度的测量 58
4．5 热氧化过程中存在的一般问题分析 61
4．5．1 氧化层厚度不均匀 61
4．5．2 氧化层表面的斑点 61
4．5．3 氧化层的针孔 62
4．5．4 SiO2氧化层中的钠离子污染 62
本章小结 62
习题 63
第5章 溅射技术 64
5．1 离子溅射的基本原理 64
5．1．1 溅射现象 64
5．1．2 溅射产额及其影响因素 65
5．1．3 选择溅射现象 70
5．1．4 溅射镀膜工艺 70
5．2 溅射工艺设备 72
5．2．1 直流溅射台 74
5．2．2 射频溅射台 77
5．2．3 磁控溅射 79
5．3 溅射工艺应用及工艺实例 80
本章小结 83
习题 83
第6章 真空蒸镀技术 84
6．1 真空蒸镀技术简介 84
6．2 真空蒸镀工艺的相关参数 86
6．2．1 工艺真空 86
6．2．2 饱和蒸气压 88
6．2．3 蒸发速率和沉积速率 88
6．3 真空蒸镀源 89
6．4 真空蒸镀设备 90
6．4．1 热阻加热式蒸镀机（蒸发机） 92
6．4．2 电子束蒸发台 94
本章小结 96
习题 97
第7章 CVD技术 98
7．1 CVD技术简介 98
7．2 常用CVD技术简介 99
7．3 低压化学气相淀积（LPCVD） 103
7．4 PECVD 107
7．5 CVD系统的模型及基本理论 115
7．6 CVD工艺系统简介 117
7．6．1 CVD的气体源系统 118
7．6．2 CVD的质量流量控制系统 118
7．6．3 CVD反应腔室内的热源 119
本章小结 119
习题 119
第8章 其他半导体薄膜加工技术简介 121
8．1 外延技术 121
8．1．1 分子束外延 121
8．1．2 液相外延（LPE） 123
8．1．3 气相外延（VPE） 124
8．1．4 选择外延（SEG） 125
8．2 离子束沉积和离子镀 126
8．3 电镀技术 128
8．4 化学镀 131
8．5 旋涂技术 131
8．6 溶胶-凝胶法 133
本章小结 134
习题 134
参考文献 134