正版书籍氮化镓功率晶体管——器件、电路与应用(原书第3版)(美)亚历克斯·利多 等9787111695523新华仓库多仓直发
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作者(美)亚历克斯·利多 等
出版社机械工业出版社
ISBN9787111695523
出版时间2022-01
装帧平装
开本16开
定价139元
货号1202578822
上书时间2024-09-19
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作者简介
亚历克斯·利多，Alex Lidow是宜普电源转换（Efficient Power Conversion，EPC）公司的首席执行官。在成立EPC公司之前，Lidow博士是靠前整流器（International Rectifier，IR）公司的首席执行官。作为HEXFET MOSFET（六角形原胞功率MOSFET）的共同发明人，Lidow博士在功率半导体技术方面拥有多项，并撰写了多部功率半导体技术方面的专著。Lidow博士于1975年获得加州理工学院学士学位，并于1977年获得斯坦福大学博士学位。
目录
译者序
原书前言
致谢
第1章 GaN技术概述
1.1 硅功率MOSFET（1976～2010年）
1.2 GaN基功率器件
1.3 GaN和SiC材料与硅材料的比较
1.3.1 禁带宽度Eg
1.3.2 临界电场Ecrit
1.3.3 导通电阻RDS（on）
1.3.4 二维电子气
1.4 GaN晶体管的基本结构
1.4.1 凹槽栅增强型结构
1.4.2 注入栅增强型结构
1.4.3 pGaN栅增强型结构
1.4.4 混合增强型结构
1.4.5 GaN HEMT反向导通
1.5 GaN晶体管的制备
1.5.1 衬底材料的选择
1.5.2 异质外延技术
1.5.3 晶圆处理
1.5.4 器件与外部的电气连接
1.6 GaN集成电路
1.7 本章小结
参考文献
第2章 GaN晶体管的电气特性
2.1 引言
2.2 器件的额定值
2.2.1 漏源电压
2.3 导通电阻RDS(on)
2.4 阈值电压
2.5 电容和电荷
2.6 反向传输
2.7 本章小结
参考文献
第3章 GaN晶体管的驱动特性
3.1 引言
3.2 栅极驱动电压
3.3 栅极驱动电阻
3.4 用于栅极注入晶体管的电容电流式栅极驱动电路
3.5 dv/dt抗扰度
3.5.1 导通时dv/dt控制
3.5.2 互补器件导通
3.6 di/dt抗扰度
3.6.1 器件导通和共源电感
3.6.2 关断状态器件di/dt
3.7 自举和浮动电源
3.8 瞬态抗扰度
3.9 考虑高频因素
3.10 增强型GaN晶体管的栅极驱动器
3.11 共源共栅、直接驱动和高压配置
3.11.1 共源共栅器件
3.11.2 直接驱动器件
3.11.3 高压配置
3.12 本章小结
参考文献
第4章 GaN晶体管电路布局
4.1 引言
4.2 减小寄生电感
4.3 常规功率回路设计
4.3.1 横向功率回路设计
4.3.2 垂直功率回路设计
4.4 功率回路的优化
4.4.1 集成对于寄生效应的影响
4.5 并联GaN晶体管
4.5.1 单开关应用中的并联GaN晶体管
4.5.2 半桥应用中的并联GaN晶体管
4.6 本章小结
参考文献
第5章 GaN晶体管的建模和测量
5.1 引言
5.2 电学建模
5.2.1 建模基础
5.2.2 基础建模的局限性
5.2.3 电路模拟的局限性
5.3 GaN晶体管性能测量
5.3.1 电压测量要求
5.3.2 探测和测量技术
5.3.3 测量未接地参考信号
5.3.4 电流测量要求
5.4 本章小结
参考文献
第6章 散热管理
6.1 引言
6.2 热等效电路
6.2.1 引线框架封装中的热阻
6.2.2 芯片级封装中的热阻
6.2.3 结-环境热阻
6.2.4 瞬态热阻
6.3 使用散热片提高散热能力
6.3.1 散热片和热界面材料的选择
6.3.2 用于底部冷却的散热片附件
6.3.3 用于多边冷却的散热片附件
6.4 系统级热分析
6.4.1 具有分立GaN晶体管的功率级热模型
6.4.2 具有单片GaN集成电路的功率级热模型
6.4.3 多相系统的热模型
6.4.4 温度测量
6.4.5 实验表征
6.4.6 应用实例
6.5 本章小结
参考文献
……
第7章 硬开关拓扑
第8章 谐振和软开关变换器
第9章 射频性能
第10章 DC-DC功率变换
第11章 多电平变换器
第12章 D类音频放大器
第13章 激光雷达
第14章 包络跟踪技术
第15章 高谐振无线电源
第16章 GaN晶体管的空间应用
第17章 替代硅功率MOSFET
附录 术语表
内容摘要
本书共17章，第1章概述了氮化镓（GaN）技术；第2章为GaN晶体管的器件物理；第3章介绍了GaN晶体管驱动特性；第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计；第5章讨论了GaN晶体管的建模和测l量；第6章介绍了GaN晶体管的散热管理；第7章介绍了硬开关技术；第8章介绍了软开关技术和变换器；第9章介绍了GaN晶体管射频性能；第10章介绍了DC－DC功率变换；第11章讨论了多电平变换器设计；第12章介绍了D类音频放大器；第13章介绍了GaN晶体管在激光雷达方面的应用；第14章介绍了包络跟踪技术；第15章讨论了高谐振无线电源；第16章讨论了GaN晶体管的空间应用；第17章分析了GaN晶体管替代硅功率晶体管的原因。
适合作为从事GaN功率半导体技术研究的科研工作者、工程师、高年级本科生和研究生的参考书，也可以作为高等院校微电子科学与工程、集成电路科学与工程、电力电子技术专业的教材。
主编推荐
1）美国EPC公司CEO、靠前整流器公司原CEO非常不错著作，全彩色印刷，理解GaN晶体管结构、特性和应用的实用指南。2）系统全面介绍氮化镓（GaN）技术及其应用的经典著作，获得了靠前上众多知名专家的推荐。3）第3版更新了35%的内容，包括散热管理、多电平变换器、高谐振无线电源和激光雷达等新章节。4）在使用GaN晶体管构建功率变换系统时，提供了有关特定电路的实用设计。5）适合从事GaN功率半导体技术研究的科研工作者、工程师、高年级本科生和研究生使用，对于从事其他功率半导体技术的研究也具有借鉴意义。
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