三维电子封装的硅通孔技术【正版新书】
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作者John H.Lau
出版社化学工业出版社
ISBN9787122198976
出版时间2014-07
装帧平装
开本16开
定价148元
货号1200910237
上书时间2024-06-25
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商品详情
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作者简介
John H. Lau（刘汉诚）博士，于2010年1月当选台湾地区工业技术研究院院士。之前，刘博士曾作为访问教授在香港科技大学工作1年，作为新加坡微电子研究所（IME）所属微系统、模组与元器件实验室主任工作2年，作为资历科学家在位于加利福尼亚的HPL、安捷伦公司工作超过25年。
刘汉诚博士是电子器件、光电子器件、发光二极管（LED）和微机电系统（MEMS）等领域的有名专家，多年从事器件、基板、封装和印制电路板（PCB）的设计、分析、材料表征、工艺制造、品质与可靠性测试以及热管理等方面工作，尤其专注于表面贴装技术（SMT）、晶圆级倒装芯片封装技术、硅通孔（TSV）技术、三维（3D）IC集成技术以及SiP封装技术。
在超过36年的研究、研发与制造业经历中，刘汉诚博士发表了310多篇技术论文，编写和出版书籍120多章，申请和授权30多项，并在世界范围内做了270多场学术报告。独自或与他人合作编写和出版了17部关于TSV、3D MEMS封装、3D IC集成可靠性、优选封装技术、球栅陈列(BGA)封装、芯片尺寸封装（CSP）、载带键合（TAB）、晶圆级倒装芯片封装、高密度互连、板上芯片（COB）、SMT、无铅焊料、钎焊与可靠性等方面的教材。
刘汉诚博士在伊利诺伊大学（香槟校区）获得理论与应用力学博士学位，在不列颠哥伦比亚大学获得靠前个硕士学位（结构工程），在威斯康辛大学（麦迪逊）获得第二个硕士学位（工程物理），在费尔莱迪金森大学获得第三个硕士学位（管理科学），在台湾地区大学获得土木工程专业学士学位。
刘汉诚博士曾担任多家学术期刊编委。这些期刊包括美国机械工程师协会（ASME）会刊Journal of Electronic Packaging；美国电气电子工程师协会（IEEE）会刊Components, Packaging, and Manufacturing Technology； Circuit World; Soldering and Surface Mount Technology等。1990年至1995年，担任IEEE 电子元件与技术会议（ECTC）和技术委员会；1987年至1992年，担任International Electronic Manufacturing Technology Symposium会议和技术委员会；1987年至2002年，为ASME冬季年会Solder Mechanics Symposium会议组织者；为ASME IMECE 2010 3D IC Integration Symposium会议组织者；1995年至2006年，担任IEEE ECTC会议论文集出版。刘汉诚博士曾服务于IEEE元件封装与制造技术（CPMT）理事会，并在过去的11年里每年都是理事会很杰出的讲师之一。
刘汉诚博士获得ASME、IEEE、美国制造工程师协会（SME）等协会颁发的多个奖项。刘汉诚博士为ASME院士和IEEE院士（1994）。
目录
章半导体工业中的纳米技术和3D集成技术1
1.1引言1
1.2纳米技术1
1.2.1纳米技术的起源1
1.2.2纳米技术的重要里程碑1
1.2.3石墨烯与电子工业3
1.2.4纳米技术展望3
1.2.5摩尔定律：电子工业中的纳米技术4
1.33D集成技术5
1.3.1TSV技术5
1.3.23D集成技术的起源7
1.43DSi集成技术展望与挑战8
1.4.13DSi集成技术8
1.4.23DSi集成键合组装技术9
1.4.33DSi集成技术面临的挑战9
1.4.43DSi集成技术展望9
1.53DIC集成技术的潜在应用与挑战10
1.5.13DIC集成技术的定义10
1.5.2移动电子产品的未来需求10
1.5.3带宽和宽I/O的定义11
1.5.4存储带宽11
1.5.5存储芯片堆叠12
1.5.6宽I/O存储器13
1.5.7宽I/O动态随机存储器（DRAM）13
1.5.8宽I/O接口17
1.5.92.5D与3DIC集成（无源与有源转接板）技术17
1.62.5DIC集成（转接板）技术的最新进展18
1.6.1用作中间基板的转接板18
1.6.2用于释放应力的转接板20
1.6.3用作载板的转接板22
1.6.4用于热管理的转接板23
1.73DIC集成无源TSV转接板技术的新趋势23
1.7.1双面贴装空腔式转接板技术24
1.7.2有机基板开孔式转接板技术25
1.7.3设计举例25
1.7.4带散热块的有机基板开孔式转接板技术27
1.7.5超低成本转接板27
1.7.6用于热管理的转接板技术28
1.7.7用于LED和SiP封装的带埋入式微流体通道的转接板技术29
1.8埋入式3DIC集成技术32
1.8.1带应力释放间隙的半埋入式转接板33
1.8.2用于光电子互连的埋入式3D混合IC集成技术33
1.9总结与建议34
1.10参考文献35
第2章TSV技术39
2.1引言39
2.2TSV的发明39
2.3采用TSV技术的量产产品40
2.4TSV孔的制作41
2.4.1DRIE与激光打孔41
2.4.2制作锥形孔的DRIE工艺44
2.4.3制作直孔的DRIE工艺46
2.5绝缘层制作56
2.5.1热氧化法制作锥形孔绝缘层56
2.5.2PECVD法制作锥形孔绝缘层58
2.5.3PECVD法制作直孔绝缘层的实验设计58
2.5.4实验设计结果60
2.5.5总结与建议61
2.6阻挡层与种子层制作62
2.6.1锥形TSV孔的Ti阻挡层与Cu种子层63
2.6.2直TSV孔的Ta阻挡层与Cu种子层64
2.6.3直TSV孔的Ta阻挡层沉积实验与结果65
2.6.4直TSV孔的Cu种子层沉积实验与结果67
2.6.5总结与建议67
2.7TSV电镀Cu填充69
2.7.1电镀Cu填充锥形TSV孔69
2.7.2电镀Cu填充直TSV孔70
2.7.3直TSV盲孔的漏电测试72
2.7.4总结与建议73
2.8残留电镀Cu的化学机械抛光（CMP）73
2.8.1锥形TSV的化学机械抛光
……
第3章TSV的力学、热学与电学行为
第4章薄晶圆的强度测量
第5章薄晶圆拿持技术
第6章微凸点制作、组装与可靠性
第7章微凸点的电迁移
第8章芯片到芯片、芯片到晶圆、晶圆到晶圆键合
第9章3DIC集成的热管理
0章3DIC封装
1章3D集成的发展趋势
附录
内容摘要
刘汉诚编写的《三维电子封装的硅通孔技术》系统讨论了用于电子、光电子和微机电系统（MEMS）器件的三维集成硅通孔（TSV）技术的近期新进展和可能的演变趋势，详尽讨论了三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和潜在解决方案。首先介绍了半导体工业中的纳米技术和三维集成技术的起源和演变历史，然后重点讨论TSV制程技术、晶圆减薄与薄晶圆在封装组装过程中的拿持技术、三维堆叠的微凸点制作与组装技术、芯片与芯片键合技术、芯片与晶圆键合技术、晶圆与晶圆键合技术、三维器件集成的热管理技术以及三维集成中的可靠性问题等，很后讨论了具备量产潜力的三维封装技术以及TSV技术的未来发展趋势。
本书适合从事电子、光电子、MEMS等器件三维集成的工程师、科研人员和技术管理人员阅读，也可以作为相关专业大学高年级本科生和研究生教材和参考书。
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