微晶硅膜制作工艺技术大全
￥ 300 九五品
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北京丰台
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作者梁宗存、 沈辉
出版社化学工业出版社
出版时间2014
印刷时间2014
装帧平装
上书时间2014-12-07
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第一部分：《正版图书——多晶硅与硅片生产技术》出版社最新出版图书
图书介绍 目录如下：
第1章晶体硅的物理特性
1.1晶体结构
1.2能带和能级
1.3电学性质
1.3.1本征载流子
1.3.2施主与受主
1.3.3非平衡载流子的产生和复合
1.3.4电阻率
1.3.5迁移率
1.3.6载流子扩散
1.4光学性质
1.4.1吸收系数
1.4.2折射率和反射率
1.5力学和热学性质
1.5.1弹性常数
1.5.2硬度
1.5.3热膨胀系数
1.5.4热导率
1.6p—n结
1.6.1扩散法
1.6.2离子注入
1.7晶体硅太阳电池常规结构与工艺
参考文献
第2章硅源合成工艺
2.1各种硅源的制备技术
2.1.1硅石
2.1.2冶金级硅
2.1.3三氯氢硅（trichlorosilane：TCS）
2.1.4四氯化硅（SiCl4）
2.1.5二氯二氢硅（SiH2Cl2）
2.1.6硅烷（SiH4）
2.2物理性质
2.2.1密度（液态）
2.2.2蒸气压
2.2.3比热容（液态）
2.3化学性质
2.3.1安全性
2.3.2着火和爆炸性
2.3.3对材料的腐蚀性
参考文献
第3章电子级多晶硅的制备
3.1改良西门子法制备多晶硅
3.1.1改良西门子法热力学
3.1.2改良西门子法动力学
3.2改良西门子法工艺
3.2.1原料系统
3.2.2反应系统
3.2.3尾气回收
3.2.4SiCl4冷氢化
3.2.5改良西门子法发展趋势
3.3其他氯硅烷法制备多晶硅
3.3.1SiH2Cl2制备多晶硅
3.3.2SiCl4制备多晶硅
3.4硅烷法制备多晶硅工艺
3.4.1Asimi工艺
3.4.2MEMC工艺
3.5多晶硅材料的评价
参考文献
第4章冶金法太阳级多晶硅提纯技术
4.1冶金法多晶硅的进展
4.2冶金法多晶硅的提纯工艺
4.2.1金属硅的冶炼：从矿石到单质硅
4.2.2高纯金属硅冶炼工艺
4.2.3炉外精炼
4.2.4湿法冶金
4.2.5真空熔炼与定向凝固
4.3硅料的储运和处理
4.3.1金属硅的储运和处理
4.3.2炉外精炼的硅料处理
4.3.3湿法硅料的处理
4.3.4真空装料处理
4.4冶金法多晶硅的生产设备
4.4.1金属硅冶炼设备
4.4.2炉外精炼设备
4.4.3湿法冶炼设备
4.4.4真空熔炼与铸锭设备
4.4.5物料处理设备
4.4.6坩埚喷涂与烧结设备
4.5冶金法多晶硅的安全生产问题
4.5.1炉外精炼的安全问题
4.5.2湿法冶金的安全生产
4.5.3真空铸锭时的安全生产
4.6冶金法多晶硅的应用
4.6.1冶金法多晶硅的成本优势
4.6.2冶金法多晶硅的应用情况
4.6.3冶金法多晶硅应用中存在的问题及对策
4.6.4冶金法多晶硅的质量标准
4.6.5冶金法多晶硅的应用趋势
参考文献
第5章其他太阳级多晶硅提纯技术
5.1流化床法
5.1.1SiH4流化床法
5.1.2TCS流化床法
5.2无氯法
5.3直接冶炼法
5.3.1原材料的处理
5.3.2碳热还原过程
5.3.3硅的提炼
5.4区域熔化提纯法
5.5气液沉积法（VLD技术）
5.6常压碘化学气相传输净化法
5.7电化学熔盐电解法
5.7.1熔盐直接电解SiO2制备多晶硅
5.7.2熔盐电解精炼冶金硅
5.8其他方法
5.9太阳级硅的存在问题和解决办法
5.9.1存在问题
5.9.2解决办法
参考文献
第6章硅晶体生长工艺
6.1直拉法制备单晶硅
6.1.1直拉法制备单晶硅的原理
6.1.2直拉单晶生长系统简介
6.1.3直拉法晶体生长工艺
6.2悬浮区熔法制备单晶硅工艺
6.2.1原理
6.2.2区熔单晶炉
6.2.3区熔工艺
6.3多晶硅制备技术
6.3.1多晶硅生长原理
6.3.2多晶硅铸锭工艺
6.3.3多晶硅铸锭炉
6.3.4未来的发展趋势
6.4掺杂工艺
6.4.1直拉单晶硅的掺杂
6.4.2区熔硅单晶的掺杂
6.5带状多晶硅制造技术
6.5.1定边喂膜带硅技术
6.5.2枝蔓蹼状（DWeb）带硅技术
6.5.3SR带硅技术
6.5.4RGS带硅技术
6.5.5SSP带硅技术
参考文献
第7章硅片生产技术
7.1外圆加工
7.2内圆切割
7.3多线锯切割技术
7.3.1多线锯切割原理
7.3.2多线锯切割的优点
7.3.3多线锯切割走线方式
7.3.4多线锯切割浆料
7.3.5多线锯切割切削液
7.3.6碳化硅
7.3.7影响线切硅片的质量因素
7.3.8多线锯切割设备的发展和组成部分
7.3.9硅片加工的发展趋势
7.4清洗及腐蚀
7.4.1预清洗
7.4.2去除硅片表面切割损伤和制绒
7.5硅片绒面制备技术
7.5.1机械刻槽工艺
7.5.2等离子刻蚀法
7.5.3光刻技术
7.5.4电化学腐蚀法
7.5.5湿化学腐蚀法
参考文献
附录1物理常数
附录2晶体硅的部分特性（300K）
附录3符号一览表
第二部分：《正版光盘—— 硅膜、氮化硅膜生产工艺与微晶硅膜的应用 》光盘，包含以下目录所对应内容，几乎涵盖了所有这方面的内容。
光盘内容介绍 目录如下：
1、硅烷组合物、硅膜的形成方法和太阳能电池的制造方法
2、多晶态硅膜的制造方法和制造装置、以及半导体装置及其制造方法
3、制造具有碳化硅膜的半导体器件的方法
4、氧化硅膜制作方法
5、提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法
6、氮化硅膜、半导体装置及其制造方法
7、高级硅烷组合物及使用该组合物的硅膜形成方法
8、氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作装置
9、低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺
10、多晶硅膜的制造方法
11、生产具有含有有机着色剂的二氧化硅膜的积层材料的方法和由此生产的积层材料
12、一种硅膜压阻压力传感器及其制造方法
13、一种硅膜电容压力传感器及其制造方法
14、一种集成硅膜热流量传感器及其制造方法
15、硅膜改性弹性玻璃毛细管柱的制备
16、结晶硅膜、半导体器件及其制造方法
17、从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法
18、形成微晶硅膜的方法、光电元件及其制造方法
19、制备薄硅膜的方法
20、氧化硅膜的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体装置、显示装置和红外光照射装置
21、玻璃的二氧化硅膜织构化
22、硅膜成形方法
23、硅膜的形成方法和喷墨用油墨组合物
24、高抗激光损伤阈值疏水增透二氧化硅膜的制备方法
25、多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法
26、由含表面活性剂的溶液制备的中孔二氧化硅膜及其制备方法
27、除去氮化硅膜的方法
28、氧化硅膜的制造方法、其控制程序、存储介质和等离子体处理装置
29、用于高性能CMOS应用的超薄Hf掺杂氮氧化硅膜及制造方法
30、使用透明基板制造多晶硅膜的方法和装置
31、增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法
32、采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法
33、二氧化硅膜形态的控制
34、通过后PECVD沉积UV处理增加氮化硅膜的拉伸应力的方法
35、活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
36、硅膜形成用组合物和硅膜的形成方法
37、氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法
38、硅膜传感器芯片的封装
39、用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法
40、非晶质硅膜的结晶方法
41、掺杂碳的二氧化硅膜的沉积方法与金属内连线的制造方法
42、多晶硅膜的形成方法
43、多晶硅膜的形成方法
44、多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法
45、生产结构体的方法和氧化硅膜用蚀刻剂
46、一种多孔氧化硅膜的制备方法
47、边缘限定硅膜生长工艺的晶体生长设备与方法
48、纳米硅膜生物传感器
49、利用微晶硅膜作为浮置闸以促进快闪式存储器性能的方法
50、单晶硅膜的制造方法
51、以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案
52、硅烷聚合物及硅膜的形成方法
53、借由控制膜层生成前驱物来控制所沉积氮化硅膜的性质及均一性的方法
54、氧化硅膜的成膜方法以及成膜装置
55、形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备
56、生产氢化碳氧化硅膜的方法
57、氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统
58、氮化硅膜的制造方法
59、使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法
60、一种介孔二氧化硅膜的制备方法
61、一种氮化硅膜的生长方法
62、氮化硅膜形成方法及装置
63、二氧化硅膜、该膜的形成材料和相关产品、及其制造方法
64、氮氧化硅膜的形成方法、形成装置以及程序
65、薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法
66、应力被调节的单层氮化硅膜及其沉积方法
67、硅膜形成装置
68、用于制备受控应力的氮化硅膜的方法
69、具有控制应力的氮化硅膜
70、用于制造晶体管的低热预算氮化硅膜及其制备方法
71、制备氮化硅膜的方法
72、氧化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法及计算机存储介质
73、多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶体管的制造方法
74、一种介孔二氧化硅膜及一种抗生素制药废水净化处理方法
75、以六氯乙硅烷进行的含硅膜的沉积
76、环状硅氧烷化合物、含硅膜形成材料及其用途
77、用于产生结晶方向受控的多晶硅膜的系统和方法
78、去除硅片背面氮化硅膜的方法
79、改性多孔质二氧化硅膜的制造方法、由该制造方法得到的改性多孔质二氧化硅膜、及含有该改性多孔质二氧化硅膜的半导体装置
80、含硅膜的等离子体增强周期化学气相沉积
81、用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物
82、用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光浆料组合物及其制备方法
83、氮化硅膜、半导体装置及其制造方法
84、多晶硅膜阻值的测试方法
85、硅膜的干刻蚀方法
86、氮化硅膜的干刻蚀方法
87、氧化硅膜、其制备方法以及具有使用其的栅极绝缘膜的半导体器件
88、用流动梯度设计沉积均匀硅膜的方法和装置
89、等离子增强循环沉积氮化金属硅膜的方法
90、利用硅膜柱吸附RNA的RNA提取方法
91、用于溅镀张力氮化硅膜的系统和方法
92、多晶硅膜的形成方法
93、微晶硅膜形成方法以及太阳电池
94、通过来自乙硅烷前体的远程等离子体CVD的高质量氧化硅膜
95、在硅膜中心部位设置四端单元件的力敏器件
96、矩形双岛硅膜结构过压保护型压力传感器
97、多晶硅膜微压传感器
98、中频反应磁控溅射制备二氧化硅膜设备
99、浮法线锡槽内玻璃镀硅膜的设备
100、用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片
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