半导体材料及器件的辐射效应

图书标准信息

• 作者 刘忠立、高见头 著
• 出版社 国防工业出版社
• 出版时间 2020-06
• 版次 1
• ISBN 9787118119299
• 定价 98.00元
• 装帧 精装
• 开本 其他
• 页数 383页
• 字数 99999千字

【内容简介】

  《半导体材料及器件的辐射效应》共11章，结合作者30多年的研究经验，从辐射环境及其相关半导体物理基础知识开始，详细介绍了各种半导体材料及器件的辐射效应机理和加固方案，并整理和分享了先进工艺辐射效应的研究动向。
  《半导体材料及器件的辐射效应》内容全面、系统、精炼、易于理解，可作为高等院校相关课程的教材，也可供从事微电子、光电子研究和生产的科技人员参考。

【作者简介】

刘忠立，长期从事辐射加固集成电路、微传感器及半导体功率器件研究。现任中国科学院微电子研究所特聘研究员，传感技术国家重点实验室学术委员会委员、北京市传感技术实验室学术委员会委员、中国电子学会核辐射电磁脉冲专委会委员。 高见头，男，硕士，中国科学院微电子研究所不错工程师,长期从事半导体集成电路与功率器件辐照能力评估与抗辐照加固工作,在NSREC、TNS等靠前外会议、期刊发表论文数十篇。

【目录】

第1章 辐射环境
1．1 引言
1．2 辐射环境的种类
1．2．1 空间环境
1．2．2 核环境
1．2．3 高能物理实验环境
1．2．4 器件制造引入的辐射环境
1．3 小结

第2章 辐射效应相关的半导体基础知识
2．1 引言
2．2 本征半导体及非本征半导体
2．2．1 半导体能带结构
2．2．2 本征半导体
2．2．3 非本征半导体
2．2．4 浅能级、深能级、杂质的补偿作用
2．3 半导体中载流子的产生及复合
2．3．1 载流子的产生
2．3．2 载流子的复合
2．4 载流子的迁移率
2．4．1 迁移率的特性
2．4．2 载流子的扩散系数
2．5 PN结二级管
2．6 肖特基结二极管
2．7 MOS电容及MOSFET
2．7．1 表面势
2．7．2 耗尽层
2．7．3 表面反型层
2．7．4 MOS电容
2．7．5 MOSFET
2．8 直接有辐射环境的半导体工艺
2．8．1 NMOSFET工艺流程
2．8．2 离子注入掺杂
2．8．3 干法刻蚀
2．9 小结
……

第3章 辐射效应的一般概念
第4章 半导体材料的辐射效应
第5章 Si半导体器件的辐射效应
第6章 GaAs半导体器件的辐射效应
第7章 光电子器件的辐射效应
第8章 Si集成电路的辐射效应及加固技术
第9章 纳米级CMOS集成电路的辐射效应及加固技术
第10章 半导体器件辐射效应的一些新研究动向
第11章 辐射效应模拟试验及测试技术

参考文献