占“新”为民兴“材”报国——王占国院士文集

图书标准信息

• 作者 中国科学院半导体研究所 著
• 出版社 科学出版社
• 出版时间 2018-11
• 版次 1
• ISBN 9787030591067
• 定价 480.00元
• 装帧 精装
• 开本 16开
• 页数 644页
• 字数 99999千字
• 正文语种 简体中文

【内容简介】

本书梳理和总结了*****院士、半导体材料及材料物理学家王占国院士近60年从事半导体材料领域科研活动的历程。主要包括王占国院士生活和工作的珍贵照片、有代表性的研究论文、科研和工作事迹、回忆文章、获授奖项以及育人情况等内容。王占国院士是我国著名的半导体材料及材料物理学家，对推动我国半导体材料科学领域的学术繁荣、学科发展、技术创新、产业振兴以及人才培养做出了重要贡献。

【目录】

序第一篇 自传幼年时光 3插曲 7初入小学 8远足与讲演 10夜“逃”红军 11崭新的小学生活 12侯集镇的3 年初中生活 14夜惊 15雪夜宿房营 16入伙 18紧张有趣的课外活动 19南阳第二高中 20只身北上南开求学 23胆战心惊的高等数学课 26共产主义暑假 27毛主席视察南开大学 283 年困难时期的大学生活 29早期科研工作概述 33什刹海黑夜救同事 37天津小站劳动锻炼 381978 年中国物理学会年会趣事 40变温霍尔系数测量系统建设 41留学瑞典隆德大学固体物理系 421984 年回国后的研究工作 45第二篇 论著选编硅的低温电学性质 49Evidence that the gold donor and acceptor isilicoare two levels of the same defect 57Optical properties of irodoped AlxGa1-xAs alloys 62Electronic properties of native deep-level defects iliquid-phase epitaxial GaAs 73Direct evidence for random-alloy splitting of Cu levels iGaAs1-xPx 89Acceptor associates and bound excitons iGaAs：Cu 95Localizatioof excitons to Cu-related defects iGaAs 116Direct evidence for the acceptorlike character of the Cu-related C and F bound-excitocenters iGaAs 128混晶半导体中深能级的展宽及其有关效应 140Electronic properties of aelectron-attractive complex neutral defect iGaAs 151硅中金施主和受主光电性质的系统研究 158A novel model of “new donors” iCzochralski-growsilico169Electrical characteristics of GaAs growfrom the melt ia reduced-gravity environment 177SI-GaAs 单晶热稳定性及其电学补偿机理研究 185Interface roughness scattering iGaAs-AlGaAs modulation-doped heterostructures 195Simulatioof lateral confinement ivery narrow channels 201Theoretical investigatioof the dynamic process of the illuminatioof GaAs 209Effect of image forces oelectrons confined ilow-dimensional structures under a magnetic field 222Photoluminescence studies of single submonolayer InAs structures growoGaAs(001)matrix 234Influence of DX centers ithe Alx Ga1-x As barrier othe low-temperature density and mobility of the two-dimensional electrogas iGaAs / AlGaAs modulation-doped heterostructure 240Photoluminescence studies overy high-density quasi-two-dimensional electrogases ipseudomorphic modulation-doped quantum wells 247Ordering along ？111？ and ？100？ directions iGaInP demonstrated by photoluminescence under hydrostatic pressure 252Influence of the semi-insulating GaAs Schottky pad othe Schottky barrier ithe active layer 259Electrical properties of semi-insulating GaAs growfrom the melt under microgravity conditions 264808nm high-power laser growby MBE through the control of Be diffusioand use of superlattice 269Reflectance-difference spectroscopy study of the Fermi-level positioof low-temperature-growGaAs 275半导体材料的现状和发展趋势 283Effects of annealing oself-organized InAs quantum islands oGaAs(100) 285Wurtzite GaN epitaxial growth oa Si(001)substrate using γ-Al2O3 as aintermediate layer 291High-density InAs nanowires realized isitu on(100)InP 298High power continuous-wave operatioof self-organized In(Ga)As / GaAs quantum dot lasers 304Quantum-dot superluminescent diode： A proposal for aultra-wide output spectrum 306Optical properties of InAs self-organized quantum dots in-i-p-i GaAs superlattices 317High-performance strain-compensated InGaAs / InAlAs quantum cascade lasers 322Research and development of electronic and optoelectronic materials iChina 328半导体量子点激光器研究进展 339High-power and long-lifetime InAs / GaAs quantum-dot laser at 1080nm 349Self-assembled quantum dots， wires and quantum-dot lasers 355Controllable growth of semiconductor nanometer structures 365Effect of In0. 2Ga0. 8As and In0. 2Al0. 8As combinatiolayer oband offsets of InAs quantum dots 372信息功能材料的研究现状和发展趋势 380High-performance quantum-dot superluminescent diodes 395Time dependence of wet oxidized AlGaAs / GaAs distributed Bragg reflectors 400Materials science isemiconductor processing 407半导体照明将触发照明光源的革命 409Study of the wetting layer of InAs / GaAs nanorings growby droplet epitaxy 415Broadband external cavity tunable quantum dot lasers with low injectiocurrent density 422Experimental investigatioof wavelength-selective optical feedback for a high-power quantum dot superluminescent device with two-sectiostructure 43219μm quantum cascade infrared photodetectors 442High-performance operatioof distributed feedback terahertz quantum cascade lasers 450Efficacious engineering ocharge extractiofor realizing highly efficient perovskite solar cells 456Room temperature continuous wave quantum dot cascade laser emitting at 7.2μm 474第三篇 学术贡献忍受辐照伤痛，换来我国空间用硅太阳电池的定型投产 489挑战国际权威，澄清GaAs 和硅中深能级物理本质 491“863”十年，掌舵我国新型半导体材料与器件发展 494任“S-863”专家组长，开展新材料领域战略研究 498任咨询组组长，为“973”材料领域发展做出重要贡献 499开拓创新，解决“信息功能材料相关基础问题” 501推动材料基础研究，实施光电信息功能材料重大研究计划 503第四篇 回忆半导体材料科学实验室的筹建与初期发展历程回顾 507深情厚谊，历久弥坚 509王占国院士科研事迹回顾 511一段往事 514王占国院士支持南昌大学GaN 研究记事 515我生命中的贵人 517贺王占国老师80 寿辰 519往事点滴 521在王占国导师身边的日子 523我们的大导师王占国院士 526我眼中的王占国院士 528德高望重，仰之弥高 529超宽禁带半导体材料研究组发展
作者介绍

序言